第一个和铅连接的三重键

科学家最近找到了一种有潜在应用前景的成本较低而且实用的制备半导体薄膜的旋涂法。在较大面积上沉积半导体薄膜，如制造用于显示器和太阳能电池等的薄膜的工艺中，溶液处理法被认为是一种方便易行的方法。     

半导体的化学刻蚀

半导体的化学刻蚀，俗称湿法刻蚀，它是半导体器件制作中的一个重要工艺，按照化学作用的原理，它可分为化学反应刻蚀、电化学刻蚀和光电化学刻蚀，半导体的化学刻蚀是在众多刻蚀方法中最基本和最终不能全部被取代的一种方法，它在高新技术中有着各种挂用途，如选择准刻蚀、各向异性刻蚀和计算机控制无掩模刻蚀等。     

半导体硅的仪器中子活化分析

本文应用中子活化分析的相对法和单一比较器法,对各种不同工艺生产的半导体硅中的杂质元素进行了研究。同时用理论的和实验的K值以及相对法,研究了中子活化分析的单一比较器法的可靠性。应用这两种方法测定了半导体硅中的8种主要杂质元素,并计算了其探测极限。     

前驱体改性法制备薄层多孔富氨基的石墨相氮化碳用于光催化降解RhB和光催化制氢

半导体光催化是一种利用半导体将太阳能转换为高能化学能的绿色技术,在可再生清洁能源生产和污染物修复领域有着巨大的应用前景.石墨相氮化碳(g-C3N4)作为一种环境友好的非金属半导体,因其制备工艺简单、来源丰富、热稳定性和化学稳定性好、可见光吸收范围及特殊的电子性能而受到广泛关注.但一般常用氮源前驱体如二氰二胺、三聚氰胺等...     

超微粉二氧化钛和掺杂三氧化二铁光催化剂的表面光电压谱研究

基于表面光伏效应测得的表面光电压谱在半导体表面化学物理的研究中早已获得极为广泛的应用。近年来,我们实验室成功地将这一技术应用于复相光催化的研究中^[1,2],如发现表面光伏信号是半导体多晶粉末光催化剂具有活性的必要条件,光电压信号愈强光催化活性愈高,而且二者存在半定量的关系。这些结果启发我们,表面光伏技术有可能发展成为一种快速评估光催化剂的有效方法。     

光催化分解水制氢用二元半导体光催化剂

光催化分解水制氢被认为是解决能源问题和环境问题的有效方法,但目前的光催化效率仍然较低,结合使用2种半导体物质是提高光催化活性的一种有效途径。本文分两种类型阐述了已报道的用于光催化分解水制氢反应的二元半导体体系。一种为将2种半导体复合于一体,另一种为将2种半导体分散加入到光催化反应液中的Z型体系。基于肖特基模型探讨了2种半导体复合于一体的二元体系的光催化作用机制,指出p型半导体和n型半导体复合制得的光催化剂更能很好地发挥各半导体的光催化氧化性能和光催化还原性能。分析了Z型体系的优点和缺点,指出对于Z型体系的放氢催化剂和放氧催化剂也可以分别再进行二元复合改性,以抑制光激发载流子的复合,提高整个体系的光催化效率。     

化学简讯

制造复合半导体材料的新方法东京大学和东京理工学院的科学家们研究了一种有效的制造复合半导体材料的新方法。传统方法是在基体上一层一层地将物质沉积上去的,而M.Kawasaki及其同事报导的新方法却可以在反应室中同时引入生     

火焰原子吸收光谱法测定铟冶炼窑渣中铟

铟是一种稀有金属,在自然界中含量极少.铟金属主要用于半导体和无线电技术,铟大部分从冶炼铅、锌等废渣中回收.目前我国铟的大规模生产主要是从冶炼锌的弃渣中回收,其工艺流程为干燥、挥发、浸出、置换、电解等,其中铟的挥发工艺是关键.     

硅片表面化学表征的SIMS-XPS 方法

硅片是半导体工业的基础材料。随着微电子工业的迅速发展,如近年大规模和超大规模极高密度集成电路的出现,对于在各工艺过程中使用的硅片表面清洁度的要求愈加严格。因此,迫切需要相应的高灵敏分析方法表征硅片表面的化学状态或评价清洗工艺。近十几年,表面分析技术发展迅速,并已广泛地应用于半导体工业分析。1983年,Phil-lips等报告用SIMS法分析硅片上常见的污染元素,并指出这种技术可以做为评价清洗工艺质量的方法。     

可用于环境修复的半导体光催化剂及其改性策略研究进展

多相光催化技术作为一种直接利用太阳光降解多种污染物的先进氧化工艺在环境修复领域的研究中引起了广泛关注.在多相光催化过程中,半导体材料在太阳光的激发下,其强大的氧化/还原能力可快速高效降解各种污染物.研究者通常根据环境中污染物的状态和种类选择合适的半导体材料及修饰策略,构建高效多相光催化体系,探究光催化材料在环境修复中的...     

二氧化钛纳米微粒膜光电化学行为的研究

利用不同的制备方法制备出二氧化钛纳米微粒膜，对二氧化钛纳米微粒膜的光电化学材为和产生的机理进行了研究．结果表明；二氧化钛纳米微粒膜除了具有传统半导体的光电化学性质外，还具有不同于传统半导体的光电化学性质这主要是出膜的微粒性引起的，可综合传统半导体和胶粒半导体两种模型来加以解释。     

二氧化钛纳米微粒的制备及对染料橙黄Ⅱ的光催化氧化

染料废水的处理是受人关注的重要课题之一。而水溶性偶氮染料是印染工业中污染治理的主要对象,由于其色度深,浊度大,分子结构相对稳定,用传统的方法进行处理效果不佳,而近年来发展起来的半导体光催化氧化技术,为人们提供了一种有效的方法[1-3],在常见的半导体光催化剂中,TiO2以     

三组份烧结型气敏元件的研制

烧结型半导体气敏元件的主要材料是 SnO₂、ZnO和γ-Fe₂O₃,虽然三种金属氧化物都是属于n型半导体,但由于各自的晶体和电性能的差异,所以过去人们多以单一组份为母体,掺入少量的添加物和催化剂来制作气敏元件。这三种金属氧化物制作的单组份元件都有不足之处,如SnO₂受湿度影响较大;ZnO的工作温度高、功耗大;而γ-Fe₂O₃虽有不需添加催化剂敏感度很高的优点,但要求高温真空工艺等。本文以这三种氧化物为基本材料,按一定比例混合,采用烧结直热式进行研究,以便获得较佳的组份配比,制成一种不用催化剂,功耗又低、敏感性良好的多组份气敏元件。     

激光等离子体诱发SiCl4解离沉积硅膜的研究

硅是重要半导体材料之一,其薄膜广泛应用于集成电路和太阳能电池。但用普通方法制备纯硅需要很高温度,而利用激光便可在低温下进行。因此激光诱导化学气相沉积技术是改革集成电路工艺和制备太阳能电池的一种很有希望的方法。本文用SiCl_4代替通常使用的SiH_4,用TEA CO_2激光诱导SiCl_4解离气相沉积硅膜。     

有机半导体的催化性质

一、引言从1948年以来,陆续发现许多具有巨大共轭体系的有机化合物呈现类似半导体的特性,近来高分子半导体的合成则使这领域的研究工作进入了一个新的阶段。同时,在催化领域中则早已证明,许多优良的催化剂,如某些金属的氧化物,硫化物等都是典型的无机半导体,并且发现这些半导体的电学性质,如电导率,功函数等与其催化性质之间有着密切的联系。在这一基础上发展起来的半导体催化作用的电子理论已经成为催化理论的主要方向之一。因此,很自然地会想到,有机半导体是否也具有与无机半导体类似的催化     

电化学沉积CdSe纳晶薄膜的性能及沉积机理

电化学沉积是半导体薄膜制备的一种简便方法,常用于Ⅱ-族化合物半导体薄膜的制备.通过电沉积条件的适当改变可成功地在导电衬底上制备半导体纳晶薄膜^[1].CdSe薄膜作为一种透光性好、导电性好的半导体材料,可进行光学性能和光电性能方面的研究,而半导体纳晶多孔电极的光电化学特性与体材料之间有很大不同.本文采用电化学沉积法制备了CdSe纳晶薄膜并研究了其性能,通过扫描隧道显微镜(STM)形貌分形分析进一步研究其沉积机理.     

光电流谱、光致发光光谱和紫外可见吸收光谱在纳米半导体光电器件研究中的联用

在纳米半导体中由于纳米效应(如量子尺寸效应),其电子结构与块体半导体有所不同。进一步地,当纳米半导体与基底和其他组分结合制成器件后,其性质又受到基底或其他组分的影响,这两点导致了基于纳米半导体的光电器件的性能以及相应表征方法也大不相同。将光电流谱、光致发光光谱和紫外可见吸收光谱三种技术有机地结合起来,可以更好地表征纳米半导体的电子性质和光电性能。本文根据纳米半导体材料与电极的电子性质特点及其测量,结合本课题组前期工作,举例介绍三种谱学方法相结合应用于探究光伏电池和电致发光器件的纳米半导体材料的性能,以及纳米半导体材料表面态的表征。     

溶液法制备的氧化锌多层膜及其场效应性质(英文)

通过旋涂法,采用不同浓度的前躯体制备了氧化锌多层膜,并制备了基于此多层膜的薄膜晶体管器件.实验证明,基于按照氧化锌前躯体浓度顺序为0.25、0.10和0.05 mol.L-1依次旋涂前躯体溶液制备的氧化锌薄膜的晶体管器件的载流子迁移率为0.02 cm.2V-.1s-1,高于按照浓度顺序为0.05、0.10和0.25 mol.L-1依次旋涂前躯体溶液制备的氧化锌薄膜的载流子迁移率(0.013 cm2.V-.1s-1).原子力显微镜(AFM)结果表明,前一种薄膜粗糙度的均方根值(rms)为3.95 nm,而后一种薄膜粗糙度的rms远远高于前者,为4.52 nm,这就说明了氧化锌薄膜的粗糙度对薄膜的半导体性质有很大的影响,这是由于平整的薄膜有利于形成理想的源/漏电极与半导体层的接触.在晶体管中,起传输作用的半导体层是靠近ZnO/SiO2界面处的几纳米的半导体层中的氧化锌晶粒,因此起始形成的氧化锌薄膜的结晶度影响着晶体管的性能.采用X射线衍射(XRD)测试了多层膜中起始形成的薄膜的结晶性能.对于前一种薄膜,起始形成的薄膜为多晶薄膜,而对于后一种薄膜,起始形成的薄膜是无定形薄膜.因此,粗糙度以及起始形成的薄膜的结晶度影响着多层半导体薄膜的性质.     

半导体分析

一、前言从各种电子材料的分析中,本文拟就硅半导体、化合物半导体有关的分析作一综述。在半导体工业领域,当前需要研究的课题有以下几个方面。与器件有关的有:逻辑元件高速化,存储元件超高集成化,光电元件高性能化,研制以新概念为基础的新型器件等;与工艺有关的有:欲达到上述目的的微加工技术以及与其相应的净化技术,高纯预处理技术等;与单晶、     

CdSe的电子结构和光学性质研究

CdSe是Ⅱ-Ⅵ族半导体材料中一种重要的半导体材料,它有闪锌矿和纤锌矿两种不同的结构,带隙较窄,具有优良的电光特性和广泛的应用前景,得到了人们的广泛关注[1-3].