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本文提出气流与化学激光的增益饱和理论,理论对特征时间比τ/τ_c的所有可能的数值范围均适用,这里τ指流动特征时间(即气流通过激光作用区所需要之时间),τc指碰撞弛豫特征时间。阐明并分析了对流和反转数密度“源流”的饱和效应,得到了增益系数之普遍关系式以及一些新的增益饱和规律。本理论在τ/τc《1条件下的结果与近来超声速扩散HF化学激光增益饱和的试验结果相符合。气体介质无宏观运动时的熟知增益饱和理论是本理论在τ/τc→∞条件下的特例;气流激光的已有增益饱和理论则是本理论在τ/τc》1条件下的特例。 相似文献
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研究了 5 32nm脉冲激光烧蚀La2-O3-CaO-MnO2 混合氧化物的反应 .在较高的激光能量密度下 ,烧蚀反应生成了高平动能的La ,Ca和Mn的离子、原子以及多种不同价态的金属氧化物 .由时间分辨质谱测得的飞行时间谱可用带质心速度的Maxwell-Boltzmann分布拟合 ,并由此得出Mn+离子的最可几平动能为 6 34eV ,Mn原子的最可几平动能为 0 .43eV .对烧蚀产物的角分布测定表明 ,Mn+离子的角分布可用cosnθ描述 ,而Mn原子的角分布遵循acosθ + ( 1 -a)cosnθ公式 .同时 ,对La-Ca-Mn-O的激光烧蚀反应机理进行了讨论 . 相似文献
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《中国科学A辑》2001,31(Z1):101-110
给出1998年5月1~7日南极中山站日地物理多种仪器的系统观测结果, 并与卫星观测数据相结合, 讨论了极区电离层对1998年4~5月太阳活动事件的响应. 在磁暴的起始阶段, 极区电离层F2层的高度急剧增加, 地磁场H分量开始负向偏移, 地磁Pc3脉动的强度开始明显增强. 电离层扰动对轰击到磁层顶的太阳风变化有1 h量级的时延, 在5月2日0639UT左右有一个高达2.9 dB的宇宙噪声的吸收峰, 这可能与磁层亚暴在晨侧所加速的能量粒子大量注入有关. 在整个磁暴期间, 高纬电离层处于剧烈扰动状态, 表现为经常发生地磁场急剧起伏; 不时出现宇宙噪声吸收事件和强烈的ULF波; 电离层吸收很强, 以致于数字测高仪在多数时间收不到回波, 但从有限的回波数据中仍能推断出F2层电子密度大为降低, F2层的峰值高度上下起伏高达200 km. 还讨论了日地事件的时序因果关系. 相似文献
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给定一个子群闭的饱和群系F ,定义群类Fpc ,使得G ∈Fpc 当且仅当对于每个子群X ≤G ,存在G的一个F 次正规子群S ,X≤S并且X在S中F 次反正规 .借助F投射子和F覆盖子群 ,给出了Fpc群的特征 . 相似文献
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系统研究了在LaAlO3 ,SrTiO3 和MgO衬底上、在不同的温度条件下利用脉冲激光法制备的La0.5Sr0.5CoO3薄膜的外延生长和电输运特性 ,测定了薄膜的电阻 温度关系 .研究表明薄膜的电输运性质对其外延结构具有密切的依赖性 ,外延生长的薄膜具有低的电阻率和金属性导电特征 ;在LaAlO3 衬底上在700℃左右外延生长的薄膜具有最佳的性能 ;探讨了这一薄膜的外延生长与其电输运性能的关系及其机理 . 相似文献
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本文用DLTS测量了P型硅MOS结构Si-SiO2界面的缺陷,发现了一个主界面缺陷Hit(0.503),其特点是:在测量温度范围内,它的平均空穴离化吉布斯自由能ΔGP≥0.503eV;当栅压使Si-SiO2界面处Fermi能级与硅价带顶的距离明显小于ΔGP时,它仍然具有很高的DLTS峰;随着半导体表面电位势的缩小,它的空穴表现激活能明显增大;它对空穴的俘获过程造成合脉冲宽度的多指数电容瞬态,难于用有限宽度的脉冲电压引进的空穴对其作饱和填充。上述实验结果表明:热氧化生长形成的Si-SiO2系统的能带是从共价键硅的能带连续过渡到SiO2的能带;Hit(0.503)分布在其中的过渡区中,它的能级与价带的距离随着离开硅表面越远而越大。 相似文献
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本文研究了RTiFe11的晶体结构和内禀磁性(R=Nd,Sm,Gd,Tb,Dy,Ho,Er和Y),并分析了RTiFe11的磁结构与各种磁性离子间的交换作用。发现R为重稀土时,R—Fe交换作用与(gJ —1)2J(J+1)成比例,在R为轻稀土时,要考虑5d-4f电子交换作用因稀土离子而异所带来的修正。分析了在RTiFe11中Fe—Fe交换作用与原子间距的依赖关系,并给出了提高居里温度的实验结果。利用合金的能带模型分析了Fe原子的饱和磁矩,并通过适宜的原子代换研究了提高饱和磁矩的途径。RTiFe11呈现多样性的磁晶各异性性质。利用实验方法测定了Fe次晶格的易磁化方向与磁晶各向异性常数随温度的变化。根据晶场理论,按照点电荷模型计算了稀土离子的磁晶各向异性及其随温度的变化,解释了所观测到的自旋再取向现象。 相似文献
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