曲线摩擦TNLCD显示特性的模拟计算

本文提出了一种新的TN型液晶器件扩大视角的方法，即对玻璃基要反上的取向层沿一特定的曲线摩擦，以这样的基板构造液晶屏。我们称这种方法为CR－TNLCD（Curvatur e Rubbing TN-LCD）。本文用模拟计算的方法，研究了CR－TNLCD的显示特性和视角特性，结果表明，CR－TNLCD的电光特性与普通的TNLCD 相似，而视角和灰度显示能力有明显改善。     

分子间氢键自组装手性液晶的变温红外研究

通过存在于吡啶环和羟基间的分子间氢键自组装合成液晶已逐渐引起科学工作者的重视，决定这种方法是否适用的关键是分子间氢键的稳定性。由于变温红外光谱能很好地反映出液晶分子环境的变化，尤其是分子中羰基基团对分子环境变化，对分子内和分子间的相互作用更为敏感，并且又有分映出这种分子间氢键的稳定性。因此本文研究了通过存在于4－[(2s)-2-氢 －3－甲基－丁酰氧基]－4‘-苯乙烯基吡啶（MBSB）和4－烷氧基苯甲酸(nBA,N=5,6）间的分子间氢键自组装的两个手性液晶（nBA:MBSB)的变温红外光谱。研究结果表明nBA:MBSB中的酯羰基基团对于K－Sc＊转变极为敏感，对Sc*-SA和SA-N转变不敏感，同时结果表明分子间氢键在晶体和液晶态是稳定的，并且这种分子间氢键强于存在于羧基和羧基间的氢键，因此这种存在丁羧基和羧基间的氢键，因此这种存在于羧基和吡啶环间的氢键为液晶分子设计提供了又一条有效的途径。     

三硼酸锂（LBO）晶体生长基元与形貌

本文采用称重法研究了ＬＢＯ晶体中的生长速率与溶液过饱和度之间的关系，在盯同过饱和度的条件下，同一晶体的不同界面上出现了粗糙化相变和二维成核的不同生长机制，这种现象用负离子配位体生长基元的观点得到了圆满的解释。通过对溶液结构的测定，证实了溶液中存在着Ｂ－Ｏ３三角形和Ｂ－Ｏ４四面体结构。它与晶体中的配晶位结构相同喧两种配位体形成的（Ｂ３Ｏ７）＾５－与晶体中的络阴离子环相当。环状络阴离有两个非对称分布的     

向列液晶的表面锚定能

向列液晶表面锚定量表征基板表面取向效果的关键参数，也是研究液晶分子表面取向排列机理的重要信息，描述向列液晶的表面锚定能首先要准确地理解对基板-向列液晶界面的宏观处理和微观处理的差异，其次要明确吉布斯(Gibba)分界面的意义，它同表面锚定能与预倾角的热力学性质是同等重要的。向列液晶的表面锚定能可分为极化表面锚定能和方位表面锚定能两大类．人们已经采用多种实验技术从宏观上测试了向列液晶的表面锚定能，本文以热力学理论为基础．探讨了向列液晶表面锚定能的物理意义，并且以Freederickss转变、高电场技术为例分析了极化表面锚定能的测试原理，以高磁场、Cano劈技术为例分析了方位表面锚定能的测试原理，最后用Cano劈技术给出了我们对外推长度的实难测试结果．并估算了液晶的表面锚定能的量级。     

用衰减全反射法研究向列相液晶的排列性质

液晶作为一种最有前途的平板显示材料，其分子在液晶盒内的排列特性对显示器件的设计及制作无疑是极为重要的，衰减全反射法（简称ATR方法）最早应用于对金属薄膜特性的研究，后来逐渐成为研究各类介质光学性质的有力工具。最近几年，这种方法在研究液晶在液晶盒内的排列性质方面展现了强大的活力。本文介绍了衰减全反射法的基本原理、实验方法并将它应用于探测向列相液晶CP－9001LA的排列性质。     

液晶冠醚的混合物研究

液晶冠醚在1982年出现以来，由于其同时具有冠醚和液晶所具有的性质，已越来越受琶人们的重视。作为液晶类的冠醚化合物，已在仿生物膜，手性识别，显示取向，分子离子器件等方面显示出很强的应用前景。液晶冠醚的应用，要求具有恰当的液晶温度范围，但在液晶冠醚的合成设计中，     

1—苯甲酰基—3—（2—氯苯基）硫脲单晶生长及其倍频性能

本文报道了新型光学晶体１－苯甲酰基－３－（２－氯苯基）硫脲的单晶生长及其倍频性能，用溶液降温法在氯溶液中长出菱形块状晶体，并对分子结构和晶体结构对其晶体生长及倍频性能的影响作了探讨。     

赝三元热电烧结体材料制作技术的研究

本文以区熔法生长的Ｂｉ２Ｔｅ３－Ｓｂ２Ｓｅ２Ｔｅ３高估值系数赝三元半导体致冷晶体为原料，采用冷压成型，在３８０－４４０℃条件下，经５ｈ烧结处理，可获得高致密度和高强度的半导体致冷器用烧结体材料。这种材料从根本上克服了取向晶体沿生长轴方向发生劈裂和解理现象。     

一种新的研究液晶指向矢截面的光波导方法

液晶作为一种最有前途的平板显示材料，其分子在液晶盒内的排列特性对显示器件的设计及制作无疑是极为重要的。本文提出了一种新的研究分子排列特性的光波导方法－－全反射光波导方法。将这种新方法与半泄漏波导方法进行了比较。通过计算机模式，发现新方法对液晶指向矢 的扭曲角、倾斜角及一些局域的变层更为敏感，非常适用于分析指向矢排列比较复杂的液晶盒样品。本文介绍了全反射光波导方法的基本原理、实验方法及其在研究液晶的排列特性的应用。     

2，5—二取代吡啶类液晶的合成及性能研究

设计并合成了2－（4‘-烷氧基）苯基－5－烷基吡啶系列5个液晶化合物，通过红外、质谱和核磁共振谱确证了它们的结构，并测定了相变温度及相态。     

碘酸锂晶体生长过程的实时原位观察研究

应用Ｍａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ干涉法原位实时观察了α－ＬｉＩＯ３的晶体生长过程。以Ｈｅ－Ｎｅ激光为光源，用阿贝折射仪测定了碘酸锂过饱和溶液的折射率。Ｍａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ干涉条纹的图像数据处理表明：在静态条件下，α－ＬｉＩＯ３晶体生长过程中固－液界面边界层厚度约为０．３ｍｍ，其边界层厚度随溶液对流强度而减弱。折射率测定揭示出碘酸锂晶体饱和溶液的折射率随浓度和温度的变化呈现线性关系。     

合成CVD金刚石涂层用硬质合金基体预处理工艺优化研究

以CH3COCH3和H2为反应气源,采用热丝CVD法在经过两步法和三步法预处理的YG6硬质合金(WC-6wt;Co)基体上沉积金刚石涂层.利用扫描电子显微镜和能谱仪分析检测预处理后的YG6基体的表面形貌和钴含量,通过对比三步法与两步法的预处理结果确定三步法最佳工艺.利用扫描电镜、X射线衍射仪和硬度计检测所得金刚石涂层的表面形貌、结晶性和膜基结合性.结果表明:三步法最佳工艺为先采用酸溶液腐蚀20 s,然后采用碱溶液腐蚀20 min,最后继续用酸溶液腐蚀3 min.三步法预处理后的YG6基体获得的金刚石薄膜生长更加均匀致密,晶粒取向更高,膜基结合性能更好.     

铁电铌酸钾锂晶体的生长

用电阻加热引上法生长了不开裂、全透明的具有倍频性能的铌酸钾锂(KLN)晶体.研究了影响晶体开裂的主要因素和晶体生长的稳定性.发现用引上法生长KLN晶体时,要得到全透明、不开裂的KLN晶体,熔体中Li2O的含量应该低于26.5mol;,拉速应低于0.5mm/h,以及生长过程中应该选择凸的固液界面以保证晶体生长的稳定性.在Li2O含量较高的熔体中生长KLN晶体时,[100]取向的籽晶比[001]取向的籽晶更有利于晶体生长.用由Li2O含量为26mol;的熔体中沿[100]取向生长的KLN晶体对Ti:Al2O3激光器输出的820nm的激光倍频,获得410nm的蓝光输出.     

新型全氟苯环乙炔类手性液晶化合物的合成及相变性质研究

本文报道了两大类液晶核中心含有柔顺亚甲氧基的四氧苯环乙炔类手性液晶化合物合成及相变性质，讨论了不同末端基团、桥键对液晶相变性的影响。     

氢键诱导胆甾相液晶化合物的合成

本文通过存在于胆甾醇于二酸单酯（MCB）和4－（4－烷氧基苯甲酰氧基）－4‘－苯乙烯基吡啶（n SZ)间的氢键作用合成了一系列新的胆甾型液晶，其液晶行为通过DSC、偏光显微镜及变温广角X光衍射等手段进行研究。对于nSz:当n≤3时，仅呈现向列相；当n＝4，5时，呈现近晶A相和向列相；当n＝6，7时，还出现一种单变的近晶相（S＿相）；当n≥8时，向列相不存在，只呈现近晶A相和单变的S1相。MCB不是液晶，而两者的1：1复合物均呈现互变的近晶C相和胆甾相，并且当n≤3时，nSZ:MCB的相变区间比nSZ的相变区间宽。X光衍射结果表明，7SZ和8SZ的层厚度（d值）比其分子全伸展理论长度要长，这意味着这种不含强极性基团（如硝基、氰基）的液晶分子呈双层排列。     

溶液循环流动法生长大尺寸KDP晶体

本文研究了溶液循环流动法生长大截面ＫＤＰ晶体的工艺条件。发现影响晶体生长的关键因素是溶液的充分过热，流动系体的流量和生长槽的温场。测定了不同条件下生长槽的温场，确定了最佳晶体生长区域。用循环流动法能提高溶液的过饱和度，加快晶体生长速度。     

新型含氟液晶—8．1—（4′—乙基—联苯基）2—（4—烷氧基—2，3，5，6—四氟基基）乙炔的合成及相态研究

设计，合成了1-(4′-乙基-联苯基)2-(4-烷氧基-2，3，5，6-四氟基基）乙炔的液晶化合物。用偏光显微镜以1及DSC确定了它们的液晶相态，它们均为向列相液晶，并与相类似全碳氢类液晶化合物进行比较。     

采用单偏振片和单补偿膜的反射式彩色超扭曲向列液晶显示器

提出了一种采用单偏振片和单补偿膜的反射式彩色超扭曲向列液晶显示器（ STN－LCD），通过器件参数和补偿膜的优化得到了高亮度和高对比度。     

Cr：KTP晶体生长机制的研究

本文采用激光Ｒａｍａｎ光谱与ＩＲ光谱对Ｃｒ：ＫＴＰ－Ｋ６（Ｋ６Ｐ４Ｏ１３），ＫＴＰ－Ｋ６高温溶液淬冷后的玻璃体进行了研究，指出由于掺质Ｃｒ２Ｏ３引入ＫＴＰ－Ｋ６溶液，使溶液中的焦磷酸根向正磷酸根转化，从而提高了溶液的溶解度，利用高温溶液缓慢降温法生长了光学质量的Ｃｒ：ＫＴＰ晶体，研究了晶体生长形态。讨论了晶体的生长机制。     

浸渍方式对先驱体转化法制备3D-C_f/Si-O-C的影响

以三维碳纤维编织物和硅树脂(SR249)为原料,采用先驱体转化法(PIP)制备了3D-Cf/Si-O-C复合材料,考察了先驱体溶液浸渍方式对其力学性能和微观结构的影响。结果表明:先驱体溶液的浸渍方式不同会影响致密化过程中先驱体溶液填充孔隙的行为从而对复合材料的致密化过程、力学性能和结构产生较大影响。