新型含氟液晶—7.4’—[（4-烷氧基—2，3，5，6—四氟基基）乙炔基]苯甲酸4”—烷氧基苯酯的合成及相态研究徐岳连王惟力陈齐闻建勋

设计、合成了4’—[(4-烷氧基—2，3，5，6—四氟苯基）乙炔基]苯甲酸4”—烷氧基苯酯系列的液晶化合物，进行了结构分析，确证其结构，测定了它们的相变温度。确定了它们的液晶相变类型，它们具有向列相和近晶C相。     

新型含氟液晶—5.4’—〔（4-烷氧基—2，3，5，6四氟苯基）乙炔基〕苯甲酸4”—庚基苯酚的合成及相态研究

以五氟苯基三甲基硅乙炔为起始原料制务了一系列的4’—〔(4-烷氧基-2，3，5，6四氟苯基)乙炔基〕苯甲酸4”—庚基苯酚酯的液晶化合物。进行了结构分析，确证其结构。偏光显微镜观察到的结构表明它们存在向列相以及近晶C相。     

新型含氟液晶-3，-（4’-正烷氧基—2，3，5，6—四氟联苯基—4—乙炔基）苯甲酸4—氯苯酚酯的合成和液晶行为研究

设计和合成新型含氟液晶化合物并对其性能进行考察，将有助于扩大人们对液晶及其器件应用等方两的科学理解。本文以1—五氟苯基—2—三甲硅基乙炔为起始原料，合成了4—(4’—正烷氧基—2，3，5，6—四氟联苯基—4—乙炔基)葶甲酸4—氯苯酚酯一类新型化合物。通过正交偏光显微镜观察研究，发现所得到的化合物是呈现高度稳定的近晶A相和向列相的新型互变液晶，分子结构对液晶行为的影响也在本文中得到考察。     

新型含氟液晶—8．1—（4′—乙基—联苯基）2—（4—烷氧基—2，3，5，6—四氟基基）乙炔的合成及相态研究

设计，合成了1-(4′-乙基-联苯基)2-(4-烷氧基-2，3，5，6-四氟基基）乙炔的液晶化合物。用偏光显微镜以1及DSC确定了它们的液晶相态，它们均为向列相液晶，并与相类似全碳氢类液晶化合物进行比较。     

新型含氟液晶-1 4—〔（4-正烷氧基—2，3，5，6—四氟苯基）乙炔基〕苯甲酸4—正戊氧羰基苯酚酯的合成和液晶性质研究

骨架结构中含有多氟原子的液晶，由于在改善熔点、粘度、双折射率及介电各向异性等物理性能方面具有明显的优点，而越来越受到人们的重视。本高文以1—五氟苯基—2—三甲硅基乙炔为起始原料，合成了4—〔(4—正烷氧基—2，3，5，6—四氟苯基)乙炔基〕苯甲酸4—正戊氧羰基苯酚酯一类新型化合物。通过正交偏光显微镜观察的研究结果表明，所得到的化合物是呈现近晶A相和向列相的新型液晶。端基对液晶行为的影响也在本文中得到讨论。     

新型含氟液晶—2 4—〔（4-正烷氧基—2，3，5，6—四氟苯基）乙炔基〕苯甲酸苯酚酯的合成和液晶行为研究

研究液晶性能与分子结构之间的关系具有十分重要的意义。本文以1—五氟苯基-2-三甲硅基乙炔为起始原料，合成了4—〔(4-正烷氧基—2，3，5，6—四氟苯基)乙炔基〕苯甲酸苯酚酯一类新型化合物。通过正交偏光显微镜观察研究。发现所得到的化合物是新型的单变向列型液晶。本文亦考察了端基对液晶行为的影响。     

新型含氟液晶—4．苯环上侧向多氟取代对新型含氟液晶的性能的影响

液晶分子结构及几何构象对液晶性质具有很大的影响。本文介绍了4’—正烷氧基—2，3，5，6四氟联苯基—4—羧酸和4’—正烷氧基—2’，3’5’，6’—四氟联苯—4—羧酸的合成及其对位取代的苯酚酯等几类新型合物，通过正交偏光显微镜观察研究了它们的相变行为，初步的结果表明，在分子中引人全氟苯不利手液晶相的形成，而且全氟苯环在分子中所处的位置对液置液晶行为有很大影响，尤其是在联苯基中引入全氟苯环。     

2，5—二取代吡啶类液晶的合成及性能研究

设计并合成了2－（4‘-烷氧基）苯基－5－烷基吡啶系列5个液晶化合物，通过红外、质谱和核磁共振谱确证了它们的结构，并测定了相变温度及相态。     

超分子化合物[CuCl（4，4＇-bipy）]n的合成与晶体结构

本文采用水热合成法设计并合成了一个新颖的超分子化合物[CuCl（4，4’-bipy）]n，对其进行了元素分析，红外光谱和X射线单品衍射测定。单晶结构分析表明该化合物属单斜晶系，P2（1）／c空间群，晶胞参数：a=0．37733（8）nm，b=1．2711（3）nm，c=1．1403（2）nm，β=94．15（3）°，V=0．54547（19）nm3，Z=4。该化合物含有一维[CuCl]n阶梯链结构。在堆积结构中，弱的分子间C—H…Cl氢键和π-π堆积相互作用是控制这个化合物新颖超分子层的最主要因素。     

3，4，5-三氟化苯基液晶的物理特性

本文制备了3，4，5-三氟比末端基液晶。这种液晶具有电阻率高，△ε值大，△η值低，弹性常数小以及相对低的粘滞系数等特性。种新的液晶材料在有源矩阵显示中可实现高对比度和低驱动电压。     

一族Nd:YxGd1-xVO4混晶性质比较及其调Q性能研究

Czoehralski法成功生长了一系列不同Cd／Y的低掺杂Nd：YxGd1-xVO4混晶，并对它们的一些基本性质进行了比较，发现随着Gd含量的增加，晶体晶胞a，c轴常数呈线性增长，故YVO4和GdVO4晶体可以实现无限互溶。少量Gd掺杂可使混晶晶体比热和荧光寿命增大，并有效地增强了其荧光强度。我们对该晶体的低功率泵浦下的Cr^4 ：YAG调Q激光性能也进行了研究，发现Nd：YxGd1-xVO4混晶具有良好调Q性能。     

Kx(NH4)2-xNi(SO4)2·6H2O晶体合成、生长及x值对其结构、性能的影响

本文以六水合硫酸镍、硫酸钾、硫酸铵为原料合成了硫酸镍钾铵系列(Kx(NH4)2-xNi(SO4)2·6H2O,x=0.4,1,1.6)晶体(简称KANSH),并用水溶液降温生长方法在3L生长槽内分别生长出“厘米级”尺寸的单晶.根据ICP结果计算出x的数值;通过XRD确定了它们的结构(CCDC No.920443 & 920444 & 920445)随x值变化的规律;采用紫外-可见分光光谱仪、热分析仪等测试手段,分析了钾离子含量的变化对紫外特征吸收峰位置及热分解过程的影响;利用荧光光谱仪测试了K1.6(NH4)0.4Ni(SO4)2·6H2O晶体在10～300 K温度区间的紫外-可见吸收光谱.     

Keggin型多酸基超分子化合物H3[{H(4-AP)}6(PMoⅤ6MoⅥ6O40)]的结构和电催化性能

通过水热合成方法,以钼酸铵、氯化镍和4-氨基吡啶为原料成功合成了一个Keggin型多酸基超分子化合物H₃[{H(4-AP)}₆(PMo^V₆Mo^VI₆O₄₀)] (4-AP=4-氨基吡啶)。该化合物的结构单元包含一个[PMo^V₆Mo^VI₆O₄₀]^9-阴离子和6个质子化的配体。而[PMo^V₆Mo^VI₆O₄₀]^9-阴离子与配体之间通过N(1)—H(1)…O(3)、N(2)—H(2A)…O(5)和N(2)—H(2B)…O(1)三种氢键相互作用,进而形成二维超分子层。通过X射线单晶衍射、IR和粉末X射线衍射对其进行表征。晶体结构分析表明:该标题化合物属于三方晶系,R-3空间群,a=2.191 2 (10) nm, b=2.191 2 (10) nm, c=1.042 3(5) nm, α=β=90°, γ=120°, V=4.333 8(4) nm³, Z=3, R₁=0.036 2, wR₂=0.095 6, 电催化性质研究表明该标题化合物对H₂O₂和K₂Cr₂O₇具有良好的电催化还原效果,以及对抗坏血酸具有良好的电催化氧化效果。     

La6-xSr4(SiO4)6F2∶xCe3+荧光粉的制备及发光性能研究

采用高温固相法合成了一种新型荧光粉La6-x Sr4(SiO4)6F2∶xCe3+,并通过X射线粉末衍射(XRD)、荧光光谱、荧光寿命等测试手段,对其进行了性能测试及表征.通过分析该荧光粉的荧光光谱,初步研究了其发光性能.结果表明:产物晶体属于六方晶系,磷灰石结构;所得样品在紫外线照射后发蓝光,发射峰位于413 nm,Ce3+的掺杂浓度为10mol;时发光强度最强.     

新型含氟液晶的合成及相态研究

设计．合成了4'-[(4-烷氧基-2，3，5，6-四氧苯基)乙炔基]苯甲酸4“-甲基苯本分酯系列的液晶化合物．进行了结构分析，确证其结构，测定了它们的相变温度，确定了它们的液晶相变类型。     

低熔点液晶冠醚的合成

文南上所报道的冠醚液晶的熔点都相当高．为研究液晶冠醚的光电性质，提控离子传输性质以及它们在显示和仿生膜中的应用．我们设计并合成出了八种(3—10）低温冠醚液晶，通过无素分析，IR、HNMR和MS确证了它们的结构，由DSC和织构图(Texture）测定了它们的液晶性质。     

ZnSb2O4纳米正三角形的合成与生长机理讨论

以混合的ZnO粉和金属Sb作为前驱物,通过化学气相沉积方法在Si衬底上合成了ZnSb2O4纳米正三角形.利用场发射扫描电子显微镜、透射电子显微镜以及附带的能谱仪对它们的结构和成分进行了表征.并对ZnSb2O4纳米正三角形的生长机理进行了讨论.     

4′-(4-(4-羧基苯氧基)苯基-4,2′6′,4″-三联吡啶的 合成、晶体结构及性质研究

以4-乙酰基吡啶及对氯苯甲醛为原料合成了一例新的化合物4′-(4-(4-羧基苯氧基)苯基-4,2′6′,4″-三联吡啶,用元素分析、红外光谱、紫外光谱、X射线单晶衍射对此化合物进行了表征,结果表明,该化合物属于P2(1)/c空间群,晶胞参数为:a=1.4405(5)nm,b=0.7708(2)nm,c=2.0567(7)nm,β=107.699(6)°.     

YVO4双折射晶体生长及完整性分析

在较低氧分压的保护气氛中用提拉法(CZ法)生长YVO4晶体,采用自行设计的气压计,精密调节炉内的氧、氮比例,有效防止了晶体生长中的过度缺氧,生长出33mm×31mm(等径)YVO4晶体.设计了生长YVO4晶体最佳工艺条件:转速5～10r/min,拉速:2～6mm/h,生长周期:24h,液面上8mm温度梯度2.875℃/mm.用偏光显微镜对YVO4晶体的裂纹、散射颗粒、包裹物、偏心生长等缺陷进行观察,认为它们的成因主要是生长速率过快,生长环境中湿度大及晶体中存在分解和挥发性物质等.     

β‘—Gd2（MoO4）3晶体生长中的过冷现象研究

对电阻加热引上法和感应加热引上法生长β‘-Gd2(MoO4)3晶体的实验结果进行了比较，分析了两种方法生长晶体过程中熔体过冷和组分过冷的情况。研究认为组分过冷主要与生长过程中MoO3的挥发，Gd2(MoO4)3熔体的粘度及固液界面的温度梯度有关，并认为感应加热引上法较之电阻加热引上法容易得到优质晶体。