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| β‘—Gd2（MoO4）3晶体生长中的过冷现象研究 | |
| 引用本文： | 袁清习,李红军,等.β‘—Gd2（MoO4）3晶体生长中的过冷现象研究[J].人工晶体学报,2002,31(2):117-120. |
| 作者姓名： | 袁清习 李红军 |
| 作者单位： | [1]中国科学院上海光学精密机械研究所，上海201800 [2]南京大学固体微结构物理国家实验室，南京210008 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(69878030)资助项目 |
| 摘 要： | 对电阻加热引上法和感应加热引上法生长β‘-Gd2(MoO4)3晶体的实验结果进行了比较，分析了两种方法生长晶体过程中熔体过冷和组分过冷的情况。研究认为组分过冷主要与生长过程中MoO3的挥发，Gd2(MoO4)3熔体的粘度及固液界面的温度梯度有关，并认为感应加热引上法较之电阻加热引上法容易得到优质晶体。 |
| 关 键 词： | β‘－Gd2（MoO4）3 晶体生长 过冷现象 电阻加热引上法 感应加热引上法 熔体过冷 组分过冷 |
| 文章编号： | 1000-985X(2002)02-0117-04 |
| 修稿时间： | 2001年12月14 |
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