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处于变化磁场中,由电阻不同的两半环组成的导体圆环,其两半环连接处的龟势差问题可近似地作为两半环各自具有相同电动势及不同集中电阻的环形电路问题处理.这种近似的成立条件是:(1)导体圆环的电阻很大,自感作用可以忽略.(2)不考虑暂态过程.(3)环内磁通量变化频率很低,其影响可以略去. 相似文献
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对伏安法测电阻的研究魏诺(西安建筑科技大学710055)伏安法测电阻通常存在两点不足:一是不考虑电表内阻误差的影响,二是按等精度测量进行数据处理.实际上,用伏安法测电阻时,在电表量程内由小到大选取不同值进行多次测量属于不等精度测量;而电表内阻的误差对... 相似文献
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富勒烯(C60和C70)薄膜可外延生长在新鲜解理的云母(001)平面.以这富勒烯层为衬底,将金属薄膜蒸镀在其上,便构成典型的二维渗流系统.蒸镀过程在超高真空系统中完成,并同时对样品的电阻特性进行原位测量.随着外加电压的增加,观测到样品电阻可逆的变化现象与不可逆的电击穿现象.在渗流阈值附近,击穿电流Ib与样品电阻R之间表现出幂指数关系:Ib~R-α.指数α比前人实验给出的数值和Nodes-Links-Blobs模型的预期值小得多,而且随着衬底材料的不同而不同.基于金属和富勒烯界面相互作用的理论,对这些现象作了解释
关键词: 相似文献
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摘要:介绍了一种测试晶体管基区电阻γbb的方法,得出了晶体管电流放大系数β值不同γbb值不同的结论,并对γbe的计算公式进行了修正. 相似文献
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再次研究了3×n阶电阻网络的等效电阻,通过网络分析构建差分方程组模型,应用矩阵变换方法巧解差分方程组.给出了3×n阶电阻网络等效电阻的另外一个优美、简洁的普适规律,同时给出了无穷3×n阶电阻网络的等效电阻,并在最后对特殊情形的相关结果进行了比较与验证. 相似文献
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在电阻的测量中,用欧姆表测电阻快捷方便,但测量不够精确,特别是由于电池用久后,电池电动势略变小,而内电阻要增大,则对测量电阻的误差影响较大.在教学中,就欧姆表测电阻时,当电池用久了,则电阻的测量值与电阻真实值的关系在课堂上展开了讨论,学生讨论气氛热烈,争论激烈,最后形成两种意见.一种认为R测小于R真,并提出依据。其推导过程如下. 相似文献
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伏安法是测电阻阻值的一种常用方法,通常分为电流表内接法和电流表外接法两种电路,在实验教材中一般是给出两个阻值不同的待测电阻(一个约几百欧以上,另一个约几十欧)让学生对每个待测电阻分别用两种接法进行测试,从而验证内接法和外接法的适用范围,按照教材所给实验步骤,缺乏设计创新能力的培养.但大多数学生能在较短的时间内成功完成上述实验,实验做完了尚有空闲时间.同学们感到意犹未尽,显得教学内容不饱满. 相似文献
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提出一种改进的桥式高温超导限流器拓扑结构。将不同高温超导体制成的限流电阻与限流电感同时串人桥式限流回路。正常状态下,限流电感与限流电阻均为超导态,限流器呈现低阻抗.故障状态下,限流电感保持超导态。利用电感抑制故障电流的快速增加;同时,由于故障电流超过限流电阻的临界电流值。超导体迅速失超导致线路阻抗突然增大。可以限制故障电流稳态值.本文进行了限流原理的理论分析,并进行了系统仿真.结果表明,该拓扑结构同时利用了超导体超导态的电感和失超后的电阻来限制故障电流,限流效果好,响应和复位速度快,是对桥式限流结构和混合型限流原理的有意义的探索. 相似文献
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利用紫外脉冲激光源淀积生长氧化物薄膜的技术,我们在SiTiO3衬底上成功地外延生长了超薄超导YBa0.2Cu3O7薄膜样品.样品YBa0.2Cu3O7层厚度分别为2.4nm至10.8nm(二至九个原胞).四端引线电阻法测量了样品的电阻温度关系和超导转变.超导零电阻温度分别为16K至81K.超薄超导薄膜样品显示当YBa0.2Cu3O7层厚度达到和超过四个原胞层厚(9.6nm)时,厚度变化对样品超导零电阻转变的影响并不十分明显.实验观察到YBa0.2Cu3O7层厚度对样品超导零电阻温度和超导起始转变影响不同.这说明样品中的缺陷对样品性能有着不容忽视的影响.超薄YBa0.2Cu3O7超导薄膜样品的成功制备为进一步的研究提供了有利条件. 相似文献
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分别用曲线法和定点法测定了三个具有不同剩余电阻比的NbTi超导线样品在低温下的剩余电阻.最大的相对差别为0.5%.从而证实了定点法是一种简单、有效的NbTi超导线剩余电阻比测定方法.在定点法中,需准确测定相对零电势电位.样品在低温下的温度控制和测量精度可为±1K.这些实验结果为相应国际标准的制定提供了有价值的实验依据. 相似文献
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通过三种不同的方法求解同轴电缆的漏电电阻,并对三种方法进行比较分析,从而了解到其各自的优缺点和适用条件,并得到同轴电缆的漏电电阻. 相似文献
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利用高温高压方法合成了HgBa2CaCu2O6+δ超导体。X射线衍射线结构分析显示该超导体具有四方结构,晶格常数a=0.3867nm,c=1.2743nm.电阻和交流磁化率测量结果表明该超导体的超导起始转变温度为127K,零电阻温度为121K,抗磁转变温度为118K。对合成后的样品做了氧气氛中的退火处理,研究了27kbar压力下,不同烧结温度对合成样品的超导电性的影响,结果表明该压力下HaBa2C 相似文献