均三嗪基修饰的1，3，4-噁二唑类化合物的合成

1，3，4-噁二唑类材料具有优良的电子传输性及很好的耐热性和抗氧化性，是目前应用最广泛的电子传输材料。然而由于小分子化合物性质不稳定，尤其是其热稳定性差以及易重结晶，从而影响电致发光器件的使用寿命。本文引入均三嗪基团对其进行化学修饰以改善其电子传输性能和稳定性，合成了几种2-苯基-5-(对氨基苯基)-1，3，4-噁二唑取代的二氯均三嗪及其衍生物。合成路线如下。     

含1,3,4-噁二唑环PPV齐聚物的合成及发光特性研究

含有1,3,4-噁二唑结构单元的PPV齐聚物是一类具有良好电子传输功能的发光材料。通过Wittig—Homer反应合成了2,5-二{4-[2-(取代苯基)乙烯基]苯基}-1,3,4-噁二唑(1)。1的化学结构经元素分析和光谱分析确认,其分析数据表明1分子结构中的C=C双键均为反式结构。苯环上的取代基对1的UV—Vis吸收光谱和PL荧光光谱有显著影响。     

2,5-二吡唑基-1,3,4-(口恶)二唑的一锅煮法合成及生物活性

1,3,4-(口恶)二唑类化合物具有广泛的生物生理活性,如杀菌[1]、除草[2]、杀虫[3]和消炎[4]等,而2,5-二芳基-1,3,4-(口恶)二唑类化合物一般具有昆虫生长调节活性,1980年美国Dow公司报道了2,5-双(2,4-二氯苯基)-1,3,4-(口恶)二唑具有良好的昆虫生长调节活性[5].     

含氮亲核试剂在2-甲磺酰基-5-(3,4,5-三甲氧基苯基)-1,3,4-恶二唑环上取代反应的研究

本文报道了制备2-甲磺酰基-5-(3,4,5-三甲氧基苯基)-1,3,4-恶二唑和其进一步与多种亲核试剂反应. 2-巯基-5-(3,4,5-三甲氧基苯基)-1,3,4-恶二唑经过甲基化, 而后用KMnO~4氧化得到2-甲磺酰基-5-(3,4,5-三甲氧基苯基)-1,3,4-恶二唑衍生物. 其结构由元素分析,IR, ^1H NMR 和MS确定.化合物4对大肠杆菌和枯草芽孢杆菌有较强的抑制性能.     

2,5-二[4-(2-芳基乙烯基)苯基]噁二唑的合成及发光特征

二乙烯联苯及其衍生物是一种可发射蓝光的小分子空穴型有机发光材料, 通过Wittig-Horner反应, 将电子传输型噁二唑环“嵌入”其中, 设计合成了6个2,5-二[4-(2-芳基乙烯基)苯基]-1,3,4-噁二唑化合物. 经光谱分析和元素分析等方法确认了它们的化学结构. IR和UV-vis分析数据表明标题化合物分子结构中的C＝C双键均为反式结构特征. 研究结果表明: 2,5-二[4-(2-对二甲氨基苯基乙烯基)苯基]-1,3,4-噁二唑具有良好的蓝色发光性能; 取代基对标题化合物的UV-vis吸收光谱和发光特性的影响显着.     

含1,3,4-(口恶)二唑取代的酰基硫脲的合成及杀菌活性

大量文献报道了1,3,4-(口恶)二唑的合成及广泛的生物活性[1-3],酰基硫脲类化合物也因其广谱的生物活性引起了人们浓厚的研究兴趣[4-5].根据活性因子叠加的原理,本文将一系列1,3,4-(口恶)二唑引入到酰基硫脲中,从对氯苯氧乙酸出发,得到的酰基异硫氰酸酯再与一系列2-氨基-5-芳基-1,3,4-(口恶)二唑反应,合成了10个酰基硫脲类化合物.所有化合物均经元素分析、红外光谱、核磁共振谱和质谱确认.同时对所有化合物进行了生物活性测试.合成路线如下.     

5-苯基-2-(2’-苯基(口恶)唑基-5’)1,3,4-(口恶)二唑及其5-对位取代苯基衍生物的研究

合成了十二个未见报道的5-苯基-2-(2’-苯基(口恶)唑基-5’)1,3,4-(口恶)二唑及其5-对位取代苯基衍生物。测试了它们的紫外光谱、荧光光谱、荧光量于产率和激光转换效率,发现化合物的(?)和(?)与 Hammett 取代基常数|σ_p~+|有线性关系,化合物分子受激发后结构的平面性增加。     

1,4-二(2-苯基-1,3,4-噁二唑基-5)苯及其衍生物的研究(Ⅲ)——部分无机离子对PDPDP荧光强度的影响

第三主族B(Ⅲ)、Al(Ⅲ)、Ga(Ⅲ)等离子可使1,4-二(2-苯基-1,3,4一(口恶)二唑基-5)苯的荧光增强,而Fe(Ⅲ)、Co(Ⅱ)、Ni(Ⅱ)等第八族过渡金属离子则使之荧光减弱。对这些无机离子影响1,4-二(2-苯基-1,3,4-(口恶)二唑基-5)苯的荧光强度的作用机制进行了初步的探讨。     

用于电子传输材料的含噻吩环噁二唑衍生物的合成(英文)

在有机电致发光器件研究中,电子传输材料占有特殊重要的地位。但现存的材料存在着不同的缺点。因噁二唑环的高的电子亲和性,噁二唑衍生物是常见的电子传输材料,如:2-(4- 叔丁苯基)-5-联苯基噁二唑(PBD),但容易结晶和低的电子亲和性限制了它的应用。为了得到新的有效的电子传输材料,本文以噻吩为起始反应物经过二碘代、羧酸化、酯化、氨解等步骤合成了噻吩二酰肼,再通过噻吩二酰肼与相应的取代苯甲酰氯缩合、关环的方法将富电子的噻吩环和高电子亲和性的噻吩环同时引入,合成了三种新的含噻吩环噁二唑衍生物2,5-双[2,2’-双(5-取代苯基)-1,3,4-噁二唑]噻吩(R-OXD R=H,OCH_3,CH_3)。同时,采用循环伏安法对其电化学性能进行了测定。这三种化合物都在负方向出现了-对可逆的氧化还原峰,由此得到其电子亲和势(EA)分别为-3.10eV,-3.07eV和-3.08eV,其EA值都高于常用的电子传输材料PBD。R-OXD的高电子亲和势有利于电子从阴极注入。并且由时间渡越法(TOF)测得R-OXD的电子迁移率达到10~(-4)cm~2/V.S(E=10~6V/cm)。所以R-OXD有可能是好的电子传输材料。     

含噻吩环( )二唑衍生物的合成及电化学性能研究

合成了新的化合物2,5-双[2,2-双(5-取代苯基)-1,3,4-( )二唑]噻吩(R-OXD)(R=H, CH3O, CH3, F, CN), 用 1H NMR和元素分析对其进行了表征. 同时, 采用循环伏安法对其电化学性能进行了测试. 结果表明, 除了F-OXD外, 这一系列化合物的电子亲和势高于常用电子传输材料PBD, 说明它们的电子传输材料性能优良.