共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
塑料黏结炸药(PBX)的生产过程,实质上是炸药在高分子黏结剂溶液中吸附黏结剂而黏结成粒的过程。本文通过吸附热力学和吸附动力学两方面研究了丙烯腈-苯乙烯共聚物(AS)溶液在不同粒径TATB炸药表面的吸附行为,吸附热力学与吸附动力学研究结果吻合。研究结果对于了解高聚物黏结剂在炸药表面的吸附机理及对造粒过程某些参数的选择具有一定的指导意义。 相似文献
2.
《中国光学与应用光学文摘》2006,(6)
TG156.99 2006065028激光熔覆技术在钛合金表面改性中的应用=Application of laser cladding in surface modification of titanium alloy [刊,中]/郭桂芳(内蒙古工业大学材料科学与工程学院.内蒙古,呼和浩特(010062)).陈芙蓉…//表面技术.—2006,35(1).—66—69激光熔覆技术在钛合金表面改性方面得到了广泛的应用,通过激光熔覆技术,可显著改善钛合金的表面耐磨 相似文献
3.
采用硅烷偶联剂对凹凸棒土进行表面接枝改性,并通过熔融共混技术在双螺杆挤出机上制备了有机化凹凸棒土/尼龙6复合材料.利用X射线光电子能谱(XPS)、红外光谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对改性结果和复合材料的晶体结构和微观相貌进行表征.结果表明:改性后凹凸棒土表面Si,N,C元素的质量分数提高,结... 相似文献
4.
黄嘌呤甲基衍生物的发光特性研究 总被引:2,自引:1,他引:1
本文对3种黄嘌呤类化合物(咖啡因,茶碱,可可碱)的液氮低温荧光(LTF)、低温磷光(LTP)、室温流体荧光(RTF)及滤纸表面室温磷光(PS-RTP)发光光谱特性进行了对比研究。研究表明,这3种物质的LTF、LTP、PS—RTP及RTF的最大激发波长λex在270—295nm范围内,最大发射波长λem在385—445nm范围内,且它们的λex和λem不论在什么状态下都非常相近。本文也对这3种物质的荧光量子产率、滤纸基质室温磷光(PS—RTP)寿命、偏振等性质进行了比较研究。实验表明:咖啡因、茶碱和可可碱的PS-RTP的寿命均在0.1s数量级,属于长寿命磷光,且PS--RTP为非完全偏振光。 相似文献
5.
碳化硅表面硅改性层的磁介质辅助抛光 总被引:3,自引:1,他引:2
为了实现碳化硅表面硅改性层的精密抛光,获得高质量光学表面,对磁介质辅助抛光技术进行研究。设计了适合碳化硅表面硅改性层抛光的磁介质辅助抛光工具,并对抛光工具的材料去除函数进行研究。针对材料去除函数的特性,对数控磁介质辅助抛光的驻留时间算法进行了研究。采用磁介质辅助抛光技术对碳化硅表面硅改性层平面样片进行了抛光实验。经过一次抛光迭代,碳化硅样片表面硅改性层的面形精度(均方根)由0.049λ收敛到0.015λ(λ=0.6328 μm),表面粗糙度从2 nm改善至0.64 nm。实验结果表明基于矩阵代数的驻留时间算法有效,磁介质辅助抛光适合碳化硅表面硅改性层加工。 相似文献
6.
针对高洁净的真空环境下终端光学组件内运动机构的润滑问题,采用等离子体浸没离子注入(PⅢ)技术对复杂形状的零件进行表面改性,通过轴承内外圈表面改性前后的对比实验分析,结果表明,通过对注入元素、剂量和能量的选择,可以大幅度提高材料表面的硬度及耐磨性,并且零件的尺寸精度及表面粗糙度保持性好,充分证明了PⅢ技术可以在满足颗粒洁净度和有机物洁净度的双重要求条件下,提高运动部件抗摩擦磨损性能,延长微驱动机构的运动精度寿命,是解决终端光学组件中润滑问题的有效途径. 相似文献
7.
以正硅酸乙酯(TEOS)为原料,采用旋转涂敷的方法,结合溶胶-凝胶技术在硅衬底上制备超低介电常数多孔SiO2薄膜.采用两种不同的改性方法对薄膜表面进行改性,傅里 叶变换红外光谱分析发现改性后薄膜中含有大量的—CH3键,从而减少了孔洞塌陷.用扫 描电子显微镜观察薄膜的表面形貌,发现薄膜内孔洞尺寸在70—80 nm之间.调节溶胶pH值,发现pH值越小凝胶时间越长.对改性样品热处理的结果表明,在300 ℃时介电常数最低达2.05.
关键词:
2')" href="#">多孔SiO2
低介电常数
溶胶-凝胶 相似文献
8.
9.
Ti6A14V材料具有优秀的机械性、耐腐蚀性、可塑性和表面氧化物的生物相容性。广泛应用于医学植入体如人造骨、人工关节和人造牙齿等。然而,钛及其合金表面自然生成的一层氧化膜是非常薄的(大约5啪),因此需采用如微弧氧化技术、等离子体喷涂、等离子体浸没离子注入和离子束增强沉积等表面改性技术合成比较厚的氧化钛保护膜。 相似文献
10.
11.
根据空间应用项目需求,采用等离子辅助电子束蒸发方法对RB-SiC基底进行了表面改性,并对表面改性的性能和可靠性进行了相关评估.经测试,改性后RB-SiC基底表面粗糙度(rms)降低到0.632 nm;散射系数降低到2.81%,500~1 000 nm范围的平均反射率提高到97.05%,已经接近于抛光良好的微晶玻璃的水平;改性涂层温度稳定性高,与基底结合牢固;加工后,面形精度达到0.119λ(PV)和0.014λ(rms),λ=632.8 nm.评估结果表明,这种SiC基底表面改性的工艺是可靠的,其光学性能满足空间高质量光学系统的要求,适宜空间环境应用. 相似文献
12.
在剂量为1×1014—1×1017ions/cm2的范围内,在不同的温度条件下,用 能量为160keV氮离子对PTFE表面进行注入处理,处理后的样品用可见(514.5nm)和傅里叶红 外(1064nm)拉曼(Raman)光谱以及扫描电镜和x射线能谱仪进行检测.实验结果表明低剂量注 入可以增强PTFE晶体结构的取向和有序性;中等剂量时溅射损失效应明显,表面粗糙度加大 :高剂量注入时微观结构强烈地变化并生成CC双键,导致表面碳化.另外温度对表面改性效 果有很大的影响.刻蚀率和表面的微观结构的变化随着温度的升高而增强.离子注入前,用喷 射技术使样品覆盖一层150nm的金膜,薄膜的黏结性和硬度用划痕和透明胶带测试配合扫描 电镜进行分析.分析结果表明,黏结性在注入剂量为1014ions/cm2时明显增强,这 个结果与表面亲水性测量结果是一致的.但表面硬度只在温度为180℃时才得到了增强.
关键词:
离子注入
聚四氟乙烯
表面改性 相似文献
13.
为克服传统抛光方法在硅改性的碳化硅表面抛光存在的不足,采用磁流变抛光在精抛光阶段实现面形误差高效去除和快速收敛。基于实际应用中的对磁流变抛光液的需求,提出了磁流变液的性能要求,并配制了适合改性硅表面抛光的磁流变抛光液,检测所配制的抛光液体的流变特性和分散稳定性,证明了液体具有良好的性能。对口径为130 mm(有效口径为120 mm)的硅改性的同轴非球面碳化硅工件进行实际抛光。经过两个周期约3 h的抛光,面形误差均方根(RMS)从0.051λ(λ=632.8 nm)快速收敛至0.012λ,粗糙度Ra达0.618 nm。验证了所配制的磁流变抛光液满足碳化硅基底改性硅表面的抛光需求,证明了磁流变抛光技术在镜面硅改性后精抛光阶段具有独特的优势。 相似文献
14.
为克服传统抛光方法在硅改性的碳化硅表面抛光存在的不足,采用磁流变抛光在精抛光阶段实现面形误差高效去除和快速收敛。基于实际应用中的对磁流变抛光液的需求,提出了磁流变液的性能要求,并配制了适合改性硅表面抛光的磁流变抛光液,检测所配制的抛光液体的流变特性和分散稳定性,证明了液体具有良好的性能。对口径为130 mm(有效口径为120 mm)的硅改性的同轴非球面碳化硅工件进行实际抛光。经过两个周期约3 h的抛光,面形误差均方根(RMS)从0.051λ(λ=632.8 nm)快速收敛至0.012λ,粗糙度Ra达0.618 nm。验证了所配制的磁流变抛光液满足碳化硅基底改性硅表面的抛光需求,证明了磁流变抛光技术在镜面硅改性后精抛光阶段具有独特的优势。 相似文献
15.
应用碳化硅表面改性技术降低全息-离子束刻蚀光栅刻槽的粗糙度 总被引:1,自引:0,他引:1
采用具有良好比刚度和热稳定性的碳化硅材料作为基底,使用全息-离子束刻蚀技术制作了光栅。碳化硅材料表面固有缺陷导致制作的光栅刻槽表面粗糙度高,槽底和槽顶粗糙度分别达到了29.6 nm和65.3 nm (Rq)。通过等离子辅助沉积技术在碳化硅表面镀制一层均匀的硅改性层,经过抛光可以获得无缺陷的超光滑表面。XRD测试表明制备的硅改性层为无定形结构。原子力显微镜的测试结果表明:经过抛光后,表面粗糙度为0.64 nm(Rq)。在此表面上制作的光栅刻槽表面粗糙度明显降低,槽底和槽顶粗糙度分别为2.96 nm和7.21 nm,相当于改性前的1/10和1/9。 相似文献
16.
为提高长程轮廓仪(LTP)面型检测的精度,提出一种使用波面型等光程多光束分束器的LTP。该分束结构可将入射光束分成若干束等光强等光程的相干光。在理论上分析计算了傅里叶变换(FT)透镜焦平面上干涉条纹的位置和强度分布,探究了零级干涉主极大条纹宽度、振幅和±1级干涉主极大条纹振幅与多光束分束器各结构参数之间的关系。通过选取合适的参数设计了基于多光束干涉原理的新型分束器,并与传统分束器进行了仿真实验比较,设计了测量系统中的准直镜和FT透镜,在Zemax软件中建立了完整的光学系统模型,并对该模型进行了实验验证。结果表明多光束干涉长程轮廓仪可以实现对被测表面斜率的测量,其在探测面上的干涉条纹宽度比传统双光束干涉窄,光强也更加集中,可以提高LTP的测量精度。 相似文献
17.
空间反射镜基底材料碳化硅表面改性研究 总被引:5,自引:1,他引:4
直接抛光后的SiC反射镜表面光学散射仍较大,无法满足高质量空间光学系统的心用需求.为此必须对SiC反射镜进行表而改性,以获得高质量的光学表面.目前国际上较为流行的足制备Si或SiC改性层进行表面改性.分别采用离子辅助电子束蒸发方法制备Si和SiC改性层进行改性,相关测试结果表明:Si改性层结构为立方相,改性后基底表面粗糙度(rms)降到0.620 nm,散射系数减小到1.52%;SiC改性层结构为非晶相,改性后基底表面粗糙度(rms)降到0.743 nm,散射系数减小到2.79%.两种改性层均与基底结合牢固,温度稳定性较高.从可靠性方面考虑,目前在国内第一种方法更适于实际工程应用.该工艺改性后SiC基底表面散射损耗大大降低,表面质量得到明显改善.镀Ag后表面反射率接近于抛光良好的微晶玻璃的水平,已能够满足高质量空间光学系统的应用需要. 相似文献
18.
19.
20.
周红萍 《工程物理研究院科技年报》2009,(1):136-137
高分子黏结剂是PBX的重要组成部分,黏结剂可承受较大变形,起着黏结炸药颗粒及传递应力的作用。黏结剂显著影响PBX总体力学性能。研究黏结剂单相材料力学性能对PBX配方设计、整体力学行为和变形破坏机理等有重要意义。本文通过相同条件下压缩和拉伸性能测试系统地研究比较了F2311,F2314和Estane三种黏结剂的力学行为,结果可为PBX炸药配方黏结剂选择提供参考。 相似文献