化合物La3Co的超导电性与磁场的关系研究

我们报告稀土化合物La3Co的单晶样品在不同的磁场中的电阻率随温度变化的测量结果，从而得出该材料的超导转变温度随磁场的变化关系，超导转变温度随磁场的增大而降低．我们认为这是由于磁场的加大使电子间的相互作用增强，同时减弱了材料中的有效电子（3d、4f）的转移作用．     

BaCuO_2的添加对YBa_2Cu_3O_(7-δ)临界电流密度的影响

掺入BaCuO2杂相的YBa2Cu3O7-δ(YBCO)粉末样品采用固相反应方法制备获得。XRD的Rietveld精修显示BaCuO2杂相和YBCO并存。在YBCO+xBaCuO2(x=0,0.05,0.1,0.2,0.3)的一系列样品中,当x=0.05时,样品的临界电流密度最大。在磁场中,微量BaCuO2杂相的添加,使YBCO的临界电流(Jc)提高了,但超导转变温度(Tc)稍微有所下降。临界电流密度的这些特征行为来自于两方面的共同作用,一方面是超导性的变化,另一方面纳米尺寸范围内的空间分布的非均匀性。     

添加Dy_2O_3的YBa_2Cu_3O_(7-δ)的临界电流密度特征

掺入Dy2O3的YBa2Cu3O7-δ(YBCO)粉末样品采用固相反应方法制备获得。XRD的Rietveld精修和SEM都显示Dy2O3和YBCO并存。随着添加相成分的增加,YBCO的开始转变温度Ton、超导临界温度Tc和零电阻温度Tc0都单调减小。对于某一固定的磁场,温度为77K,当x=0.05时,样品的临界电流密度Jc有最大值。磁场中,微量的Dy2O3的添加,使得YBCO临界电流密度增大。Jc的这些特征行为来自D2O3的添加导致的两方面的共同作用,一方面是超导性的变化,另一方面纳米尺寸范围内的空间分布的非均匀性。     

EuMo_6S_8的超导性、电荷密度波和磁性间的相互影响

我们已观察到在120K时Eu_(1.2)Mo_6S_8的热容量、电阻及霍尔系数的反常规象,并确定为一种马氏体结构的相变特征;这种马氏体结构相变产生于一种模糊的电荷密度波的转变,后者在部分费米面上造成能隙。 费米面出现部分能隙说明了在常压下直10mK不出现超导的原因。高压抑制了电荷密度波的转变。从费米面上状态的超导性和这种转变相互竞争出发,计算得到的超导转变温度对压力的依赖性,与实验结果非常一致。在低温时,临界场随温度的变化非常强烈,这种变化已用Jaccarino-Peter补偿效应进行了解释。在高压时与理论的预言比较,EuMo_6S_8的临界场非常高,至少与现有任何的超导体一样高。压力为14Kbar、温度低于2K时在10T到15T范围内已观察到低场下电阻态到超导态的转变,这就是称之为场诱导超导性的一种新效应。     

EuMo_6S_8的超导性、电荷密度波和磁性间的相互影响

我们已观察到在120K时Eu_(1.2)Mo_6S_8的热容量、电阻及霍尔系数的反常规象,并确定为一种马氏体结构的相变特征;这种马氏体结构相变产生于一种模糊的电荷密度波的转变,后者在部分费米面上造成能隙。 费米面出现部分能隙说明了在常压下直10mK不出现超导的原因。高压抑制了电荷密度波的转变。从费米面上状态的超导性和这种转变相互竞争出发,计算得到的超导转变温度对压力的依赖性,与实验结果非常一致。在低温时,临界场随温度的变化非常强烈,这种变化已用Jaccarino-Peter补偿效应进行了解释。在高压时与理论的预言比较,EuMo_6S_8的临界场非常高,至少与现有任何的超导体一样高。压力为14Kbar、温度低于2K时在10T到15T范围内已观察到低场下电阻态到超导态的转变,这就是称之为场诱导超导性的一种新效应。     

La_（2－x）Sr_xCu_（1－y）Fe_yO_4正常态的反常磁性

研究了Ｌａ２－ｘＳｒｘＣｕ１－ｙＦｅｙＯ４（ｘ＝０．１３，０．１５，０．１７和ｙ＝０．０，０．００２，０．００４，０．００６）多晶样品在不同磁场下（Ｈ＝１，３和５Ｔ）正常态直流磁化率与温度的关系和超导转变温度与Ｆｅ掺杂含量的关系．结果表明，不掺杂样品的正常态直流磁化率呈宽峰行为．随着Ｆｅ掺杂量的增多，直流磁化率与温度的关系由宽峰行为变为Ｃｕｒｉｅ－Ｗｅｉｓｓ行为．与此同时，超导转变温度随Ｆｅ掺杂含量的变化而变化．这表明载流子浓度是影响超导的重要因素．对Ｆｅ掺杂样品，其正常态直流磁化率与温度的关系可以用Ｘ＝ａ＋ｂＴ＋ｃ／（Ｔ－Ｔ０）很好的表示．我们认为，其中ａ＋ｂＴ项是带Ｐａｕｌｉ顺磁的贡献．对同一掺Ｆｅ样品，增加外磁场时，居里常数ｃ增大而常数项ａ减小．这是由于在Ｆｅｒｍｉ面存在不满的窄带（ｄｘ２上Ｈｕｂｂａｒｄ带），它是导致居里顺磁的原因．增加磁场时它往高能方向移动，窄带的电子空得更多，这些电子移向较宽的杂化带，导致每个Ｃｕ离子的磁矩增大，而带的Ｆｅｒｍｉ面电子态度减小．我们的实验结果也表明，超导电性与能带结构密切相关．     

La_（1．85）Sr_（0．15）Cu_（1－x）Fe_xO_（4－y）的窄能带行为与超导电性关系的研究

用ＳＱＵＩＤ直流磁强计研究了Ｌａ（１．８５）Ｓｒ（０．１５）Ｃｕ（１－ｘ）ＦｅｘＯ（４－ｙ）（ｘ＝０．００２，０．００４和０．００６）多晶样品在不同磁场下（Ｈ＝０．０１，０．０３，０．０５Ｔ）正常态的直流磁化率与温度关系和超导转变温度与Ｆｅ掺杂含量的关系．实验结果表明，不掺Ｆｅ的样品其直流磁化率与温度的关系里宽峰行为，随着Ｆｅ掺杂的增多，直流磁化率与温度的关系由宽峰行为迅速转变为Ｃｕｒｉｅ－Ｗｅｉｓｓ行为．与此同时，超导转变温度也由不掺Ｆｅ的３１．０Ｋ增加到３３．６Ｋ（ｘ＝０．００２），然后再单调降低．这清楚地表明，载流子浓度才是影响超导的最重要的因素。对于掺Ｆｅ的样品，其正常态直流磁化率Ｘ与温度Ｔ的关系可以用Ｘ＝ａ＋ｂＴ＋ｃ／（Ｔ一Ｔ０）很好地表示．我们认为，式中ａ＋ｂＴ项是由于Ｃｕｄ带泡利硕磁的贡献．增加磁场时，对于同一个接Ｆｅ样品，居里常数Ｃ增大而常数项ａ减小．这是由于掺Ｆｅ的样品在Ｆｅｒｍｉ面存在不满的窄带（ｄｘ２上Ｈｕｂｂｒｄ带），它是产生居里硕磁的原因．增加磁场时，它往高能量方向移动，窄带的电子空得更多，这些电子移向较宽的Ｃｕ杂化带．这样一来，增加磁场时，每个Ｃｕ离子的磁矩增大．而Ｃｕｄ带的Ｆｅ     

纸张年代的确定

硅（Si）是当今世界上最重要的材料之一，微电子和信息产业以它为基础．最近，来自法国Grenoble核研究中心的Bustarret E等发现，当高比例（百分之几）的硼（B）掺杂进入硅，该化合物能够在常压和0．3K的低温下成为超导．尽管0．3K的转变温度对应用来说有点儿低，但专家认为：这是固态物理学中的一项突破性进展；Bustarret等制备样品的新技术开拓了对硅进行高掺杂研究的平台．     

掺硼的硅成为超导

硅（Si）是当今世界上最重要的材料之一，微电子和信息产业以它为基础．最近，来自法国Grenoble核研究中心的Bustarret E等发现，当高比例（百分之几）的硼（B）掺杂进入硅，该化合物能够在常压和0．3K的低温下成为超导．尽管0．3K的转变温度对应用来说有点儿低，但专家认为：这是固态物理学中的一项突破性进展；Bustarret等制备样品的新技术开拓了对硅进行高掺杂研究的平台．     

交变磁场作用下高温超导体温度变化研究

高温超导体在交变的磁场作用下,由于磁通的运动引起能量损耗,损耗的能量一部分通过超导体表面传递到冷却剂中,另一部分将使得超导体的温度升高。文中用数值的方法研究了外加磁场速度在0.0005T/s—5T/s变化情况下超导体的温度变化;当外磁场的速度由小到大变化时,超导板的状态会发生从稳定→不稳定(磁通跳跃)→稳定的变化;慢变磁场作用下超导体的温度在接近冷却剂温度的温区作微幅的周期性变化,当外加磁场速度比较大时,超导体发生磁通跳跃,温度也呈跳跃性变化,进一步加大外磁场速度,磁通和温度呈准周期的振荡型变化,而且振荡幅值随外磁场速度的增加逐渐减小,最后振荡消失,超导体在更高的温区稳定运行,温度呈周期性变化。     

La2-xSrxCuO4体系正常态的低温反常输运与载流子的局域化

对La2-xSrxCuO4系列(x=0.06～0.20)样品的电阻率和霍尔系数等输运特性进行了系统研究.电阻率随温度变化的实验结果表明,对低掺杂样品,在正常态区域(T＞Tc),随Sr掺杂量的增加,各样品在低温区超导转变温度附近均发生了金属-绝缘体转变,且转变温度TMl随掺杂量的增加逐渐降低;对于最佳掺杂样品,其金属-绝缘体转变行为变得非常不明显,到x=0.18时完全消失.对正常态样品的霍尔系数而言,随温度的降低逐渐增大,且随Sr掺杂量的增加显示减小.表明载流子浓度随掺杂量的增加而增加.在低掺杂时,接近Tc的温区内霍尔系数RH迅速增大,随着掺杂量的增加Tc附近霍尔系数的增大变缓.霍尔系数在Tc附近的增大,表明低温区载流子浓度减少.电阻率和霍尔系数在低温区电输运的这种反常行为可从载流子的局域化角度给予初步解释.     

Bi_2Sr_2CuOy掺La－和掺Pb－样品的磁性质

研究了掺Ｌａ－和掺Ｐｂ－的Ｂｉ２２０１样品在不同磁场下（Ｈ＝０．０１，０．０３和５Ｔ）正常态的直流磁化率与温度的关系．样品包括了从欠掺杂到过掺杂区域．实验结构表明，当增加空穴浓度时，从欠掺杂区域到开始发生超导转变区域，居里项的贡献逐渐减弱；而在超导区和金属区，居里项随着空穴浓度的增加而增加．除金属区外，居里项随着外加磁场的增加而增加．这表明在费米面附近存在一个窄能带．在低温下对于非理想超导体，其磁矩冻结且有序化，而在高场下（５Ｔ）则被抑制．在金属区，高温下是Ｃｕｒｉｅ－Ｗｅｉｓｓ行为，但居里常数不随外场而变化．我们对这种反常磁性行为提出了一种解释．     

Y2Ba4CuMoOy的添加和Mo替代Cu位对YBa2Cu3O7-δ超导体性能的影响（英文）

本文用固相反应法制备了YBa2(Cu1-xMox)3O7-δ+x mol Y2Ba4CuMoOy(x=0.00～0.08)的一系列多晶样品.利用X射线衍射法、标准四端引线法分别对样品的物相进行了表征和超导转变温度进行了系统的测量,发现随着掺杂量的增加,样品的晶体结构有从正交相向四方相转变的趋势,超导转变温度呈金属状态到半导体状态转变的趋势,并伴有两步转变过程;同时也观察到了超导转变温度降低且转变宽度增加的现象.然而,导致低Tc和宽T的可能原因是逐渐出现的非超导相Mo2411和样品的微观结构不均匀性.通过进一步的比较观察得到,样品超导转变温度出现两步转变最可能的原因不仅与非超导相Mo2411的增加有关而且与低Tc相的形成有关.     

La1.85Cr0.15Cu1—xFexO4—y的窄能带行为与超导电性关系的研究

用ＳＱＲＩＤ直流磁强研究了Ｌａ１．８５Ｃｒ０．１５Ｃｕ１－ｘＦｅｘＯ４－ｙ（ｘ＝０．０，０．００２，０．００４和０．００６）多晶样品在不同磁场下（Ｈ＝０．０１，０．０３，０．０５Ｔ）正常态的直流磁化率与温度关系和超导转变温的关系呈宽峰行为。随着Ｆｅ掺杂的增多，直流磁化率与温度的关系由宽峰行为迅速转变为Ｃｕｒｉｅ－Ｗｉｓｓ行为。与此同时，超导转变温度也由不掺Ｆｅ的３１．０Ｋ增加到３３．６Ｋ（ｘ＝０．     

Bi2Sr2CaCu2O8超导单晶中的电阻反常行为

测量了Bi2 Sr2 CaCu2 O8单晶的ab面和c轴方向电阻 ,在其超导转变温度附近发现了反常的电阻峰出现 .其随外磁场 (>10 0Gs)和电流的增加而逐渐消失 .文章认为这个反常的电阻峰是由于单晶中超导相的不均匀分布而导致的准再进入行为 .     

高压热处理La2CuO4.03的超导电性和相分离

电化学恒流法增氧获得的超导临界转变温度约３０Ｋ，柰尔温度约２４５Ｋ 的反铁磁超导共存Ｌａ２ＣｕＯ４ ．０３ 超导体，在６ＧＰａ，４５０ ℃下热处理半小时，淬火至室温后，样品晶胞体积比常规样品被压缩约１ ％ ，正交畸变明显减小．超导临界转变温度提高到４０Ｋ左右．高场直流磁化率测量表明样品相分离后反铁磁相的柰尔温度明显提高，但又显示出富氧的特征．利用相分离模型对所获得的实验现象给予了初步解释     

不同Ba含量的Y－Ba－Cu－O体系多晶材料的相组成及其超导电性

本文采用Ｒａｍａｎ光谱分析方法对名义组分为ＹＢａｘＣｕ３Ｏ（ｘ＝２．０，１．８，１．６，１．２，０．６）的系列样品的相组成和超导转变温度的关系进行了分析．结果表明：１）在制备Ｙ（１２３）相材料过程中，Ｂａ元素的含量对样品的成相有着重要影响．在高Ｂａ含量的Ｙ（１２３）相样品中，容易产生ＢａＣｕＯ２相杂质，在低Ｂａ含量的样品中则容易产生Ｙ（２１１）、（Ｙ２ＢａＣｕＯ５）相杂质，而Ｂａ含量适当低于标准化学剂量配比时有利于Ｙ（１２３）相的生成２）样品的相组成对超导转变温度Ｔｃ值影响不大，但与超导转变温度宽度△Ｔｃ密切相关．当ｘ＝１．６时，其△Ｔｃ最小，说明样品中适量的Ｙ（２１１）相杂质的存在对超导转变特性的改善是有利的．     

Ca掺杂对Y_(1-x)Ca_xBa_2Cu_3O_(7-δ)(0.05≤x≤0.20)薄膜超导电性的影响

本文利用脉冲激光沉积法在(LaAlO3)0.3(Sr2AlTaO6)0.7(LSAT)的(001)面上外延生长了系列Y1-xCaxBa2Cu3O7-δ(0.05≤x≤0.20)超导薄膜.充分退火后的样品均为富氧材料,其X射线衍射(XRD)数据显示样品具有良好(001)取向,随着掺杂量x的增大,样品有由正交相变为四方相的趋势.低场下M～T测量数据显示超导态时样品具有抗磁性,随着Ca含量的增加超导转变温度(Tc)降低,当x=0.2时,仅有46K.当外加磁场达到10kOe时,磁化发生反转出现正值,表现为顺磁迈斯纳效应.     

高温超导体中涡旋线的绞合

在极弱的磁场下，当T〈Tc高温超导体处于完全抗磁的Meissner态；在较高的外场下，磁场将部分地穿透材料，这表现为一根根平行于外场方向的涡旋线，涡旋线的芯部是正常态，而线的周围是超导环流．当温度较低时，     

硅掺杂MgB_2超导薄膜的制备及研究

本文报道了基于混合物理化学气相沉积法(Hybrid physical-chemical vapordeposition,简称为HPCVD),以硅烷热解出的Si原子作硅源,在SiC衬底上原位生长了一系列硅掺杂MgB_2超导薄膜样品.样品中最大硅掺杂量是9%.与纯净的MgB_2薄膜相比较,掺杂样品的超导临界转变温度T_c没有大幅下降,超导临界电流J_c得到了一定提升.在温度为5K,外加垂直磁场为3T的条件下,样品的临界电流密度最大达到2.7×10~5Acm~(-2).同时上临界场H_(c2)在超导转变温度附近对于温度的变化曲线斜率—dH/dT也有一定的提高.