用于等离子体电位测量的电容探针和发射探针

本文给出了发射探针和电容探针测量等离子体电位的实验和方法。发射探针采用直流功率加热，并在较强电子发射条件下运行（Ｉ_（ｅ０）／Ｉ_（ｅ０）＞１）。电容探针表面二次电子发射系数δ≥１。本文对发射探针的电子发射性能、工作电流、电容探针的输入、输出电压关系进行了标定实验。得到了电容探针的校准系数分别为３×１０（－３）、５×１０（－４）。实验给出了ＭＭ－４会切中心等离子体电位Ｖ_（ｐ４）＝－８２±９－１２２±１２Ｖ；ＭＭ－４Ｕ东、西会切中心等离子体电位分别为Ｖ_（Ｐ４ｕ１）＝－５２．９±３．２Ｖ，Ｖ_（Ｐ４ｕ２）＝－６２±３．２Ｖ。     

S波段1＋腔热阴极微波电子枪研究

叙述了１＋腔热阴极微波电子枪设计、制造与调试的情况。该枪已于１９９２年１２月调试出束，经过一年多的调试运行，测量了电子束的发射度和能谱，得到了满意的结果。当输入功率约１．１ＭＷ时，输出电子束最大能量１ＭｅＶ，平均电子能量０．６ＭｅＶ，宏脉冲电流１Ａ，宏脉冲宽度约２μａ，重复频率５０Ｈｚ，微波工作频率２９９７．７５ＭＨｚ，束流归一化发射度ε_ｎ≈５πｍｍ·ｍｒａｄ。     

S波段1＋腔热阴极微波电子枪研究

叙述了１＋腔热阴极微波电子枪设计、制造与调试的情况。该枪已于１９９２年１２月调试出束，经过一年多的调试运行，测量了电子束的发射度和能谱，得到了满意的结果。当输入功率约１．１ＭＷ时，输出电子束最大能量１ＭｅＶ，平均电子能量０．６ＭｅＶ，宏脉冲电流１Ａ，宏脉冲宽度约２μａ，重复频率５０Ｈｚ，微波工作频率２９９７．７５ＭＨｚ，束流归一化发射度ε_ｎ≈５πｍｍ·ｍｒａｄ。     

态布居测热核的核温度及其与碰撞参数的关系

测量了２５ＭｅＶ／ｕ^４０Ａｒ＋¹⁹⁷Ａｕ反应中两裂片符合下的小角α-α关联．由α-α关联函数提取了⁸Ｂｅ核的相对态布居和热核的核温度．实验测得发射温度随碰撞参数而稍有变化，从中心碰撞的４ＭｅＶ变化至周边碰撞的３.８ＭｅＶ．在周边碰撞中，观察到发射温度随着粒子能量的增加而升高     

入射能量为5．1MeV中子~（58）Ni（n，α）~（55）Fe反应截面和出射

用屏栅电离室测量了入射中子能量为５．１ＭｅＶ的５８Ｎｉ（ｎ，α）５５Ｆｅ核反应的α粒子角分布，２３８Ｕ裂变电离室作中子注量率的测量，测得该能点５８Ｎｉ（ｎ，α）５５Ｆｅ的总截面为（４７．４±５．０）ｍｂ．用中国核数据中心推荐的理论计算程序ＵＮＦ计算了在１—８ＭｅＶ能区５８Ｎｉ（ｎ，ｐ）５８Ｃｏ，５８Ｎｉ（ｎ，α）５５Ｆｅ的反应截面和入射中子能量为５．１ＭｅＶ的５８Ｎｉ（ｎ，α）反应角分布．理论和测量数据的比较说明，用复合核模型来描写该能点的角分布是可行的．     

25MeV/u~(40)Ar ~(93)Nb反应中热核的激发能和核温度

利用半导体望远镜探测器和ＰＰＡＣ对２５ＭｅＶ／ｕ４０Ａｒ＋９３Ｎｂ反应中的带电粒子和余核进行了关联测量，对所得α粒子能谱用三源模型进行了拟合，并由余核飞行时间和粒子多重性得到热核激发能．通过对温度的修正，发现在本实验中有激发能Ｅ＊／Ａ为４．３ＭｅＶ，温度Ｔｉｎｉｔ为６．９ＭｅＶ的热核形成。通过与其它实验结果的对比可以看出核物质在轻系统和重系统中行为的差异。     

核核碰撞中不稳定轻核的方位角各向异性发射

利用符合的粒子粒子关联测量，研究了２５ＭｅＶ／ｕ^４０Ａｒ＋^１９７Ａｕ反应中不稳定轻核的在平面发射和出平面发射．对于中速的不稳定轻核，观测到在平面发射几率增大，这表明该反应系统中存在旋转效应．该现象随碰撞参数增大更为强烈，而随着不稳定核激发态能量的升高稍有变弱     

~（56，57）Fe，~（59）Co（α，d）核反应及拉长态性质的实验研究

利用△Ｅ—Ｅ望远镜及Ｑ３Ｄ磁谱仪，在ＨＩ－１３串列加速器提供的３５ＭｅＶα离子束轰击下，测量５６，５７Ｆｅ，５９Ｃｏ（α，ｄ）５８、５９Ｃｏ，６１Ｎｉ核反应的精细能谱和微分截面角分布，微观ＤＷＢＡ近似用来分析实验数据．在５６Ｆｅ（α，ｄ）５８Ｃｏ核反应观测的９个强激发能级中，重点分析和讨论了６．７９ＭｅＶ和６．４ＭｅＶ能级的性质，观测到迄今所能看到的最高拉长组态（１ｇ９／２，１ｇ９／２）９和首次确认了６．４ＭｅＶ能级Ｊπ＝１＋．在５７Ｆｅ，５９Ｃｏ（α，ｄ）核反应测量中，未看到孤立强激发能级，它意味着强度分散在许多能级上，以致看不到孤立拉长态存在的实验证据．     

16O＋24Mg反应全熔合激发函数的类共振结构

本工作用位置灵敏的△Ｅ－Ｅ望远镜系统，入射能量长为１．０ＭｅＶ，测量了５５－９０ＭｅＶ１６Ｏ＋２４Ｍｇ反应全熔全激发函数，实验结果表明，这个反应的全熔合激发函数不是平滑的，存在着宽结构。峰位在ＥＣＭ＝３４．２，３７．８，４０．６，４３．８和４６．６ＭｅＶ。当ＥＣＭ＞４８ＭｅＶ时。激发函数的结构消失了。     

碳对α的非卢瑟福背散射截面研究

报道了散射角为１７０°±１．５°，α粒子能量在５－９．０ＭｅＶ之间，ｃ的背散射截面的实验测量值；用Ｒ矩阵理论，通过与实验数据拟合，分析、给出了一套能级参数，并计算了能量范围在２－９．０ＭｅＶ，ｃ的背散射截面；讨论了对背散射分析感兴趣的窄而孤立的强共振峰４２５０±１０ＫｅＶ随靶厚、角度的变化关系以及截面变化缓慢的平坦区３．６－４．２０ＭｅＶ，６．４２５－６．７００ＭｅＶ能区的截面值与背散射角度的关系。 关键词：     

46．7MeV／A~（12）C轰击~（159）Tb、~（197）Au和~（209

用４６．７ＭｅＶ／Ａ１２Ｃ轰击１５９Ｔｂ、１９７Ａｕ和２０９Ｂｉ，测量关联裂片的速度和角度．研究了线动量转移、质量和出平面角分布，提取了核温度．应用级联两体统计衰变理论进行了拟合与解释，结果表明：在入射能约为５０ＭｅＶ／Ａ的中能重离子碰撞中，以非完全熔合方式形成了核温度高达４－５ＭｅＶ的类复合核，其后通过裂变、蒸发级联统计两体衰变而退激．     

H4^＋团簇离子的形成和分解

简报报告了１．８ＭｅＶ的Ｈ＋４团簇离子及其产物的测量结果。讨论了Ｈ＋４的形成和分解反应。     

改进型Andersson-Braun中子雷姆仪对0.025eV-45.4MeV中子的能量响应

描述了一种适用于高能粒子加速器周围杂散辐射场测量的改进型Ａｎｄｅｒｓｓｏｎ－Ｂｒａｕｎ中子雷姆仪的原理与结构。利用国内外多种类型的中子源装置，进行了中子能量从０．０２５ｅＶ－４５．４ＭｅＶ的注量率能量响应实验，实验表明，这种改进型Ａｎｄｅｒｓｓｏｎ－Ｂｒａｕｎ中子雷姆仪，对能量大于２０ＭｅＶ中子的响应，比普通Ａｎｄｅｒｓｓｏｎ－Ｂｒａｕｎ中子雷姆仪有明显的改善。     

一套研究重离子—原子碰撞过程中小角度散射的散射粒子—反…

本报导通过测量离子－原子碰撞过程中反冲离子横向动量的方法获得散射角θ≤１０＾－＾４ｒａｄ的单重和多重电离截面，即散射粒子－反冲离子飞行时间谱仪系统。中将介绍建于兰州大学２×１．７ＭＶ串列加速器上的散射粒子－反冲离子飞行间谱仪系统的机械设计，性能参数，数据获取，电子学框图以及利用１ＭｅＶ质子轰击氩气时测量反冲氩离子飞行时间谱的试运行实验及结果。     

In0.49Ga0.51P中缺陷的俘获行为

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和瞬态光电阻率谱（ＴＰＲＳ）研究了利用金属有机物化学汽相沉淀（ＭＯＣＶＤ）生长的未有意掺杂的Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ中缺陷对载流子的俘获过程和发射过程．利用ＤＬＴＳ测量观测到了一个激活能为０．３７ｅＶ的缺陷,该缺陷的俘获势垒值介于１８０ｍｅＶ到２４０ｍｅＶ之间．该缺陷的俘获势垒值的大的分布被解释为缺陷周围原子重组的微观波动．在研究中发现研究这些缺陷的俘获过程比发射过程更有效,俘获势垒为０．０６ｅＶ和０．４０ｅＶ的两个缺陷在俘获过程中被观测到,而在发射过程中并没有观测到     

Si／Ge应变层超晶格的椭偏光谱

测量了几种不同组分的（Ｓｉ）Ｍ／（Ｇｅ）Ｎ应变超晶格材料的椭偏光谱（２．０～５．０ｅＶ），并得到了其介电函数谱；应用介电函数的临界点理论，研究了（Ｓｉ）Ｍ／（Ｇｅ）Ｎ应变超晶格材料的光学性质。发现短周期Ｓｉ／Ｇｅ应变超晶格除了具有明显的Ｅ１和Ｅ２带间跃迁外，还存在与应力和超晶格能带的折迭效应有关的跃迁峰，其能量分别位于２．３～３．０ｅＶ和３．３～４．０ｅＶ范围内     

10MeVLIA强流电子束的输运

介绍了１０ＭｅＶ直线感应加速器（ＬＩＡ）束输运系统布局及实验的调试规律。分析了束横向运动对束稳定输运的影响，理论分析和实验调试的结果表明，抑制束稳定输运的主要障碍来自束的横向运动。当束稳定输运时，可获得束能１０．４ＭｅＶ，束流强度２．６ｋＡ，束半高宽约１００ｎｓ的强流脉冲电子束。     

一种完整测量磁光克尔效应和法拉第效应的方法

详细给出了一种测量完整克尔和法拉弟效应的原理和实验装置。该装置简单可靠,安全由计算机控制。利用傅里叶变换方法,实验系统可以在从０．０１度至几百度的克尔和法拉第旋转角范围内以及在１．５￣６．０ｅＶ的光子能量范围内,准确地测量克尔和法拉第旋转角范围内以及在１．５￣６．０ｅＶ的光子能量范围内,准确地测量克尔和法拉第效应的绝对值。作为实验测量的例子,给出了ＭｎＢｉＡｌ合金薄膜样品和ＧａＰ块状样品的克尔和法     

MOCVD生长的GaN单晶膜的蓝带发光研究

对实验室用ＭＯＣＶＤ方法生长的未掺杂ＧａＮ单晶膜的发光性能进行了研究。结果表明：在室温时未掺杂ＧａＮ单晶出现的能量为２．９ｅＶ左右蓝带发光与被偿度有较强的依赖关系。高补偿ＧａＮ的蓝带发射强,低补偿ＧａＮ的蓝带发射弱。对蓝带发光机理进行了探讨,认为蓝 导带电子过至受主能级的发光（ｅＡ发光）。观察到降低ＧａＮ补偿度能提高ＧａＮ带边发射强度。     

利用超新星爆发测量电子中微子静止质量

综述了中微子静止质量ｍυｅ的测量方法与结果,侧重介绍了超新星ＳＮ８７Ａ中微子测量的结果,即得到具有能量为８ＭｅＶ和３６ＭｅＶ的中微子飞行时间差,对于Ｋａｍｉｏｋａｎｄｅ,ＩＭＢ,Ｂａｋｓｏｎ分别为１．９ｓ,６ｓ和９ｓ,由此给出电子中微子静止质量上限为１４ｅＶ「９５％置信水平（Ｃ．Ｌ．）」,并且描述了计划建造的新型太阳中微子能谱仪,该谱仪在观测太阳中微子能谱的同时,将兼测超新星中微子,提供了在ｍυｅ〈１ｅＶ范围内测量中微子静止质量的可能性。