典型习题中的现代物理知识（第二讲） 黑洞,GM/c2还是2GM/c2?

 上一讲所说引力红移,即频率为v₀的光子从质量为M、半径为R的天体表面发射到无穷远,频率会变为v（v0）,引力为红移: Z=（v₀-v）/v=（1-GM/c²R）^-1-1…（1） 由此可知,一定质量的天体,其半径越小,周围的引力场越强,光的引力红移现象越显著。当R缩到R_g=GM/c²…（2）时,v将变为零（Z→∞）,这意味着光子的动能mc²=hv₀在引力场中全部耗尽（hv₀=GMm/R）;若Rg,光子的动能再也无法满足引力势能增加的需要,这时该天体的引力场就强到了连光子也不能从其表面逃逸的程度。 第五届全国中学生物理竞赛（1988年）决赛中就有一题涉及到这种天体:“有一种超高密度的天体,其巨大引力使得光子也无法逃逸出来,……,这种天体叫黑洞。     

变换参考系解二体问题

【题目】真空中质量分别为m₁和m₂的两个小球,只受万有引力作用,某个时刻两个小球相距l₀,小球1的速度为v₀,方向指向小球2,小球2的速度为v₀,速度方向垂直两球球心的连线,问若m₁=m₂=m₀,当速度v₀满足什么条件时,两小球的间距可以为无穷远?解法1:惯性参考系法（质心参考系）解题思路:寻找惯性参考系,分析两小球相对于惯性参考系的受力,确定两小球在惯性参考系的运动特点,直接运用牛顿运动定律或能量守恒求两小     

快电子与原子分子碰撞实验

 仅由原子分子体系本身的物理量决定.1935年,Bethe证明广义振子强度与光学振子强度之间有如下关系:f（E_j,q）=f⁰（E_j）+Aq²+Bq⁴+…,df（E,q）/dE=df⁰（E）/dE+Aq²+Bq⁴+…当q→0即高入射电子能量（T>>E）和0°散射角情况下,不管玻恩近似是否成立,都有:方程右边各物理量实验上都能测量.于是用快电子碰撞测量0°散射微分截面,即通过能量损失谱测量可得光学振子强度.     

以新型原子距边矢量ν估计和预测烷烃核磁共振碳谱(13C NMR)化学位移(CSC)

系统研究了核磁共振碳谱与化学位移和规律,以及分子拓扑指数在定量[结]构[波]谱关系（QSSR）中的应用. 本文基于分子路径长度矢量p=（P₁, P₂, P, …, P_m）与分子中原子相互作用, 提出了一种新型原子距边矢量并发现它与烷烃¹³C NMR 化学位移有良好线性相关性, 回归方程及其统计参数为: CSC=aν+ap₃=∑^m_j=0a_jν_j+a₁₀p₃=a₀(ν₀₌₁)+a₁ν₁+a₂ν₂+a₃ν₃+a₄ν₄+bP₃, R>0.990, EV=94.5%, RMS<0.772, F=49.069-3513.18, 结果良好.     

均匀杆在什么位置离开竖直墙面

先以杆的质心C为研究对象并结合机械能守恒定律求出杆转动的角速度与夹角θ的关系,接着用牛顿第二定律分析了匀质杆脱离墙面的条件,最后求得匀质杆脱离墙面的角度.通过研究发现,这个角与杆的长度无关,理论上有4个解,其中有两个虚数解,一个解为零,还有一个实数解;当两个小球质量相同时脱离角度为arccos（（2/3）cosθ₀）.     

丙烯腈γ辐射聚合的NMR研究

用¹H NMR、¹³C NMR谱、自旋-晶格弛豫时间（T₁）和自旋-自旋弛豫时间（T₂）研究了丙烯腈在⁶⁰Co γ射线辐射聚合后的大分子结构变化与大分子链的运动. 结果表明随着辐射剂量增大，在单体形成聚合物的过程中，聚合物主链上出现了少量的-OH基团，继续增大辐射剂量， -OH部分被氧化. 对聚合物溶液的变温氢谱的研究表明，溶剂中的残余水与上述-OH形成氢键，且随着温度升高氢键被破坏，同时H₂O与-OH之间还存在着质子交换. 利用¹³C NMR谱对丙烯腈辐射聚合的产物进行了序列结构分析. 对T₁和T₂的研究表明，辐射剂量的增大并未影响到聚丙烯腈的链运动，证明了在丙烯腈的辐射聚合过程交联反应未发生.     

催化前驱体亚硝酰硝酸钌中杂质元素的质谱分析

钌催化前驱体是影响负载型钌催化剂催化性能最重要因素。前驱体中的部分杂质会对催化性能产生抑制作用，尤其是S，P，Cl，As等杂质元素含量过高会降低催化剂的活性，严重时会造成催化剂中毒；因此，必须严格控制催化前驱体中杂质元素的含量。建立了快速准确测定催化前驱体亚硝酰硝酸钌（Ru(NO)(NO₃)₃）中杂质元素的分析方法。Ru(NO)(NO₃)₃经稀硝酸溶解后采用电感耦合等离子体串联质谱（ICP-MS/MS）直接测定其中的8个杂质元素（P，S，Ti，V，Cr，Mn，Fe，As）。为防止Ru(NO)(NO₃)₃溶液水解形成Ru(NO)(NO₃)x(OH)_3-x，采用稀硝酸介质有效维持了样品溶液的稳定性。在MS/MS模式下，通过一级四极杆质量过滤器（Q₁）控制进入碰撞/反应池（CRC）的离子，仅允许与待测元素具有相同质荷比（m/z）的离子进入CRC，从而将来自样品基质和等离子气Ar所形成的干扰离子阻止在CRC外，消除了大量质谱干扰。通过向CRC内通入O₂为反应气，目标离子P+，S+，Ti+，V+，As+与O₂的反应为放热过程（31P++O₂→31P16O++O，ΔH_r=-3.17 eV；32S++O₂→32S16O++O，ΔH_r=-0.34 eV；48Ti++O₂→48Ti16O++O，ΔH_r=-1.63 eV；51V++O₂→51V16O++O，ΔH_r=-0.85 eV；75As++O₂→75As16O++O，ΔH_r=-0.63 eV），能自发反应生成氧化物离子；目标离子Cr+，Mn+与O₂的反应为吸热过程（52Cr++ O₂→52Cr16O++O，ΔH_r=+1.38 eV；55Mn++O₂→55Mn16O++O，ΔH_r=+2.15 eV）。为促进Cr+，Mn+与O₂发生反应，通过调整CRC的工作参数，设置八极杆偏置电压为较大的负电压，使Cr+和Mn+在与O₂反应前被加速，提高Cr+和Mn+的动能，促进了反应的发生，通过吸热反应生成氧化物离子；而P+，S+，Ti+，V+，Cr+，Mn+，As+干扰离子在CRC内不能与O₂发生反应，仍然保持原始的m/z。通过二级四极杆质量过滤器（Q₂）将这些干扰离子阻止在外，仅允许所形成的氧化物离子进入检测器，几乎完全消除了元素P，S，Ti，V，Cr，Mn，As的所有质谱干扰。NH₃因含一对孤对电子而具有高反应活性，能与很多金属离子反应形成团簇离子。通过向CRC内通入NH₃/He为反应气，目标离子Fe+与NH₃发生质量转移反应，在所形成多个团簇离子中，Fe(NH₃)+₂的丰度最高且无干扰，通过NH₃质量转移法消除干扰。结果显示，8个元素在0～500 μg·L-1范围内具有良好的线性关系，线性相关系数≥0.999 8。方法的检出限为0.29～485 ng·L-1，按所建立的方法分析了实际样品中8个杂质元素的含量，各元素的加标回收率为93.2%～107.5%，相对标准偏差（RSD）≤3.9%。方法具有样品处理简单、分析速度快和精密度高的特点，适合催化前驱体亚硝酰硝酸钌中多个杂质元素的准确测定，为制备负载型钌催化剂提供了质量保障。     

一道动力学问题的求解

文献[1]中有这样一道力学习题.如图1所示,在一质量为M的小车上放一质量为m1的物块,它用细绳通过固定在小车上的滑轮与质量为m2的物块相连,物块m2靠在小车的前壁上而使悬线竖直.忽略所有摩擦.(1)当用水平力F推小车使之沿水平桌面加速前进时,小车的加速度多大?(2)如果要保持m2的高度不变,力F应多大?     

Ca$lt;sub$gt;2$lt;/sub$gt;Si（O$lt;sub$gt;4-$lt;i$gt;x$lt;/i$gt;$lt;/sub$gt;N$lt;sub$gt;$lt;i$gt;x$lt;/i$gt;$lt;/sub$gt;）：Eu$lt;sup$gt;2+$lt;/sup$gt;绿色荧光粉的制备及其发光性能

利用在Ca-Si-O干凝胶前驱体中添加Si₃N₄的方法于非还原气氛下合成了含N固溶体Ca₂Si（O_4-xN_x）：Eu²⁺绿色荧光粉. 通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜以及荧光分光光度计分别分析了产物的物相结构、颗粒形貌和发光性能. 结果显示,Si₃N₄与前驱体的混合物在非还原气氛（纯氮气）下于1100℃焙烧后获得含N固溶体Ca₂Si（O_4-xN_x）：Eu²⁺荧光粉,特别是其中Eu³⁺被还原为Eu²⁺,产物的晶体结构与βup -Ca₂SiO₄相一致. Ca₂Si（O_4-xN_x）：Eu²⁺能够被270–400 nm 范围内的紫外线有效激发,其发射光谱呈宽带发射. 随着N含量的增加,发射峰出现一定程度红移（501–504 nm）,而且发光强度显著提高. 当Eu²⁺浓度为0.25 mol%时发光强度达最大值,浓度超过0.25 mol%时,发光强度显著降低,出现浓度猝灭 效应. 关键词： 白光LED 荧光粉 溶胶凝胶法 3N₄')" href="#">Si₃N₄     

以新型分子距边矢量ν估计和预测烷烃核磁共振碳谱(13C NMR)化学位移和(CSS)

系统研究了核磁共振碳谱与化学位移和规律,以及分子拓扑指数在定量[结]构[波]谱关系（QSSR）中的应用.本文基于矢量路径长度矢量p=（P₁, P₂, P₃,…, P_m）与分子中原子相互作用,提出了一种新型分子距边矢量并发现它与烷烃¹³C NMR 化学位移和有良好线性相关性, 回归方程及其统计参数为:
CSS=bν+p₃=Σ^m_j=0b_jν_j+b₁₀p₃=b₀ν+b₁ν₁+b₂ν₂+b₃ν₃+b₄ν₄+b₅ν₅+b₆ν₆+b₇ν₇+b₈ν₈+b₉ν9_ν+b₁₀P₃ =-13.6011+22.2133 ν₁+28.4121 ν₂+25.9416 ν₃+26.6709 ν₄+14.4976 ν₅+5.7240 ν₆-5.3830 ν₇-3.2152 ν₈-15.0213 ν₉-25.7099 ν₁₀+12.2786P₃ (n=63, R=0.9970, EV=99.68%, RMS=3.7348, F=2418.2; 交互校验CV为: R=0.9893, EV=98.83%, RMS=7.1261, F=664.046); 结果良好.     

β型烧绿石结构氧化物超导体$lt;i$gt;A$lt;/i$gt;Os$lt;sub$gt;2$lt;/sub$gt;O$lt;sub$gt;6$lt;/sub$gt;($lt;i$gt;A$lt;/i$gt;=K,Rb,Cs)电子能带结构的第一性原理计算

用全势线性缀加平面波方法计算β型烧绿石结构氧化物超导体AOs₂O₆ （A=K,Rb,Cs）的电子能带结构及态密度.计算发现电子自旋轨道耦合和在位库仑势U的作用增大了费米面处态密度值.通过计算还得到这三种化合物电子关联常数λ_c分别为1.55,1.12和0.73.由实验测量与能带计算得到的电子比热容系数的比值得到电子质量提高参数.通过分析这三种化合物电子质量提高参数,推算出它们的电声子耦合常数λ_ep分别为1.56,0.78和1.08.由此提出KOs₂O₆为强电子关联和强电声子耦合系统,而RbOs₂O₆和CsOs₂O₆的电子关联性与电声子耦合为中等. 关键词： β型烧绿石超导体 能带结构 电子关联 电声子耦合     

用耦合簇理论及相关一致五重基研究SiH$lt;sub$gt;2$lt;/sub$gt;($lt;i$gt;X$lt;/i$gt;$lt;sup$gt;1$lt;/sup$gt;$lt;i$gt;A$lt;/i$gt;$lt;sub$gt;1$lt;/sub$gt;)自由基的解析势能函数

运用单双迭代三重激发耦合簇理论和相关一致五重基对SiH₂的基态结构进行了优化, 并在优化结构的基础上进行了离解能和振动频率的计算. 结果表明: SiH₂的基态为C_2v结构, 平衡核间距R_Si—H= 0.15163 nm, H—Si—H键的键角α=92.363°, 离解能D_e（HSi—H）=3.2735 eV, 频率ν₁（a₁）=1020.0095 cm^-1, ν₂（a₁）=2074.8742 cm^-1, ν₃（a₁）=2076.4762 cm^-1. 这些结果与实验值均较为相符. 对H₂的基态使用优选出的cc-pV6Z基组、对SiH的基态使用优选出的aug-cc-pV5Z基组进行几何构型与谐振频率的计算并进行单点能扫描, 且将扫描结果拟合成了解析的Murrell-Sorbie函数. 与实验结果及其他理论计算结果的比较表明, 本文关于SiH自由基光谱常数（D_e,R_e, ω_e, B_e, α_e和ω_eχ_e）的计算结果达到了很高的精度. 采用多体项展式理论导出了SiH₂（C_2v, X¹A₁）自由基的解析势能函数, 其等值势能图准确再现了它的离解能和平衡结构特征. 同时还给出了SiH₂（C_2v, X¹A₁）自由基对称伸缩振动等值势能图中存在的两个对称鞍点, 对应于SiH+H→SiH₂反应, 势垒高度为0.5084 eV. 关键词： 2')" href="#">SiH₂ Murrell-Sorbie函数 多体项展式理论 解析势能函数     

Kr2+辐照导致的Ca8LnNa(PO4)6F2(Ln=La,Nd和Sm)磷灰石结构陶瓷材料的非晶转变

采用传统固相烧结法成功制备出磷灰石结构材料Ca₈LnNa（PO₄）₆F₂（Ln=La,Nd和Sm）,并通过常规X射线衍射（X-ray diffraction,XRD）进行表征确定三种样品都为单一相。在室温条件下用800 keVKr2+对三种样品进行辐照实验,辐照后的样品利用掠入射X射线衍射（grazing incidence X-ray diffraction,GIXRD）进行表征获取其表面辐照损伤层的结构信息。发现在实验辐照剂量范围内（1.0×1014~7.0×1014cm-2）三种样品都发生了从晶体结构到非晶结构的转变,不过三种样品的抗辐照非晶性能却有差异,抗辐照非晶能力大小关系是Ca₈LaNa（PO₄）₆F₂ > Ca₈NdNa（PO₄）₆F₂ > Ca₈SmNa（PO₄）₆F₂。这是由于在Ca₈LnNa（PO₄）₆F₂中,当镧系核素半径越小时,将有更大概率占据Ca（2）位置与F形成比Ca-F更弱的离子键。因此,镧系核素半径越小,辐照下将有更多的点缺陷保留下来,更容易发生非晶相变。     

深紫外波段苯的差分光学吸收光谱DOAS定量方法研究

取代基通过取代苯环上的H原子形成不同苯系物（苯、甲苯、二甲苯等）,其共有结构苯环上的不固定π键电子受到激发,使得苯系物在紫外波段240～280 nm具有明显的特征吸收结构,鉴于此大气中的苯及相关的苯系物可以通过差分光学吸收光谱（DOAS）方法来进行定量,但采用该波段测量需要考虑以下问题：首先是氧气（O₂）的吸收干扰问题,苯(C₆H₆)在该波段的吸收截面与O₂在243～287 nm Herzzberg带相互重叠,且O₂的特征光谱结构随O₂的浓度不同而变化, 导致O₂的吸收光学密度与O₂的浓度不成线性关系。其次,苯系物结构上的相似性使其在紫外波段的特征吸收结构差别较小并且相互重叠,从而对C₆H₆的拟合产生干扰。此外,除了O₂和苯系物以外,还有臭氧（O₃）、二氧化硫（SO₂）等干扰。C₆H₆在195～208 nm的深紫外波段具有较大的吸收截面（2.417×10-17 cm2·molecule-1）,为240～260 nm处截面大小（2.6×10-18 cm2·molecule-1）的9倍左右,针对C₆H₆在深紫外195～208 nm波段的吸收特征,开展便携式DOAS定量方法研究,采用该波段进行C₆H₆的光谱定量分析并应用到实际的外场观测。通过建立C₆H₆与干扰气体SO₂,氨(NH₃),二硫化碳(CS₂)和一氧化氮(NO)的差分吸收截面的二维相关性矩阵,获取C₆H₆光谱定量的最优反演波段。通过开展实验室条件下C₆H₆,SO₂和NH₃不同浓度配比的混气实验对195～208 nm波段反演C₆H₆的效果进行评估。实验结果显示,采用195～208 nm波段进行光谱反演的探测限为17.6 μg·m-3,光谱反演浓度与理论浓度的相对测量误差均小于5%且RSD（相对标准偏差）小于3%,同时与240～260 nm波段反演结果进行对比,相对误差小于5%。在外场实际情况下,利用便携式DOAS系统获取190~300 nm的大气测量光谱,通过DOAS方法解析并结合GPS信息,获得了某化工园区C₆H₆的污染浓度分布,实验结果表明采用195～208 nm深紫外波段同样能适用于对C₆H₆的光谱定量,与240～260 nm波段反演结果进行对比,二者的相关性达到了0.98且相对误差小于10%。     

用耦合簇方法及相关一致基研究PH$lt;sub$gt;2$lt;/sub$gt;($lt;i$gt;X$lt;/i$gt;$lt;sup$gt;2$lt;/sup$gt;$lt;i$gt;B$lt;/i$gt;$lt;sub$gt;1$lt;/sub$gt;)自由基的解析势能函数

利用耦合簇方法和Dunning等提出的系列相关一致基对PH₂自由基的基态结构进行优化, 并使用优选出的cc-pV5Z基组对其进行频率计算. 结果表明,平衡核间距R_P—H=0.14185 nm, 键角α_HPH=91.8624°, 离解能D_e（HP—H）=3.483 eV, 对称伸缩振动频率ν₁（a₁）=2399.9781 cm^-1, 弯曲振动频率ν₂（a₁）=1128.4213 cm^-1,反对称伸缩振动频率ν₃（b₂）=2407.8374 cm^-1. 在此基础上采用多体项展式理论导出了PH₂自由基的解析势能函数, 其等值势能图准确再现了PH₂自由基分子的平衡结构特征和动力学特征. 关键词： 2自由基')" href="#">PH₂自由基 多体项展式理论 解析势能函数     

笼状Au$lt;sub$gt;20$lt;/sub$gt;内掺$lt;i$gt;M$lt;/i$gt;$lt;sub$gt;13$lt;/sub$gt;($lt;i$gt;M$lt;/i$gt;=Fe，Ti)团簇磁性的密度泛函计算研究

采用密度泛函理论中的广义梯度近似方法,对M₁₃（M=Fe,Ti）以及M₁₃内掺Au₂₀团簇的几何结构和磁性进行了计算研究.结果表明：M₁₃和M₁₃内掺Au₂₀团簇的几何结构在0.006—0.05 nm误差范围内保持着I_h对称性.Fe₁₃团簇最低能态的总磁矩为44 μ_B,内掺到Au₂₀笼中后形成的Fe₁₃内掺Au₂₀团簇的最低能态总磁矩为38 μ_B,且Au原子与内掺Fe₁₃团簇之间存在着弱铁磁相互作用.Ti₁₃团簇在总磁矩为6 μ_B时能量最低,掺入Au₂₀笼后形成的Ti₁₃内掺Au₂₀团簇最低能态总磁矩是4 μ_B,内表面12个Ti原子与表面Au壳之间是弱铁磁相互作用,而与中心Ti原子之间是弱反铁磁相互作用.由于Au₂₀笼状外壳的影响,Fe₁₃内掺Au₂₀和Ti₁₃内掺Au₂₀团簇中Fe₁₃和Ti₁₃的磁矩比无金壳的Fe₁₃和Ti₁₃团簇的磁矩分别减少了6.81 μ_B和2.88 μ_B. 关键词： 几何结构 磁性 密度泛函理论     

IrB和IrB$lt;sub$gt;2$lt;/sub$gt;力学性质的第一性原理计算

采用平面波赝势密度泛函理论对0–100 GPa静水压下P₁ -IrB（空间群Pnma）和P₅ -IrB₂（空间群Pmmn）结构的平衡态晶格常数、弹性常数等性质进行了研究. 研究结果表明,P₁ -IrB不可压缩性随着压强的增加而增强;P₅ -IrB₂ 结构在0–100 GPa范围内弹性常数、体弹模量、剪切模量均呈现出有规律的变化,当所加压强为50 GPa时,杨氏模量和在b方向的晶格常数发生异常变化. 对零压下P₁ -IrB和P₅ -IrB₂ 的电子结构的研究发现,二者均没有一个明显的带隙,主要原因为Ir原子和B原子间的共价作用. 从P₁ -IrB和P₅ -IrB₂的能带结构和态密度图可以发现这两种结构均有金属性. 关键词： 1 -IrB')" href="#">P₁ -IrB 5-IrB₂')" href="#">P₅-IrB₂ 第一性原理 力学性质     

脉冲激光沉积法制备高温压电薄膜0.20 BiInO$lt;sub$gt;3$lt;/sub$gt;-0.80PbTiO$lt;sub$gt;3$lt;/sub$gt;$lt;strong$gt;$lt;font color="#ff0000"$gt;$lt;font color="#ff0000"$gt;（已撤稿）$lt;/font$gt;$lt;/font$gt;$lt;/strong$gt;

采用脉冲激光沉积法制备了0.20BiInO₃-0.80PbTiO₃（20BI-PT）高温压电薄膜,并与0.15BiInO₃-0.85PbTiO₃（15BI-PT）样品进行了比较研究. X射线衍射谱显示,20BI-PT样品100峰出现了明显的劈裂,显示样品具有更高的四方对称性. FESEM图显示,20BI-PT样品中出现了部分111取向的三角形晶粒. 20BI-PT样品的铁电剩余极化（P_r）为～28 μC/cm²,矫顽场（E_c）为～120 kV/cm,相较15BI-PT样品,P_r略有增加,但同时E_c也有增加. 20BI-PT样品的横向压电系数（e_31,f）约为–4.7±0.6 C/m²,和15BI-PT相比几乎一样. 介电温度谱显示,20BI-PT 样品的居里温度比15BI-PT增加了约30 ℃,达590 ℃,且介电峰没有明显的频率依赖性. Rayleigh分析显示,20BI-PT样品中内在本征因素及可翻转畴对介电非线性的贡献和15BI-PT基本相同,但是外在因素的贡献没有15BI-PT的贡献大,这可能和20BI-PT样品中晶粒111相对取向率较高有关. 关键词： 薄膜 脉冲激光沉积 铁电 压电     

Ce$lt;sup$gt;3+$lt;/sup$gt;在LiBaBO$lt;sub$gt;3$lt;/sub$gt;中的发光特性及晶体学格位

采用固相法制备了LiBaBO₃：Ce³⁺发光材料.测得LiBaBO₃：Ce³⁺材料的发射光谱为一不对称的单峰宽谱,主峰位于440 nm;监测440 nm发射峰,可得其激发光谱为一主峰位于370 nm的宽谱.利用van Uitert公式计算了Ce³⁺取代LiBaBO₃中Ba²⁺时所占晶体学格位,得出438 nm发射带归属于九配位的Ce³⁺发射,而469 nm发射带起源于八配位的Ce³⁺发射.研究了Ce³⁺浓度对LiBaBO₃：Ce³⁺材料发光强度的影响,结果显示,随Ce³⁺浓度的增大,发光强度呈现先增大后减小的趋势,Ce³⁺浓度为3mol%时强度最大,造成其浓度猝灭的原因为电偶极-偶极相互作用.引入Li⁺,Na⁺或K⁺可增强LiBaBO₃：Ce³⁺材料的发射强度.利用InGaN管芯（370 nm）激发LiBaBO₃：Ce³⁺材料,获得了很好的蓝白光发射,色坐标为（x=0.291,y=0.297）. 关键词： 白光发光二极管 3：Ce³⁺')" href="#">LiBaBO₃：Ce³⁺ 晶体学格位 发光特性     

Co掺杂对Mn$lt;sub$gt;3$lt;/sub$gt;Sn$lt;sub$gt;1-$lt;em$gt;x$lt;/em$gt;$lt;/sub$gt;Co$lt;sub$gt;$lt;em$gt;x$lt;/em$gt;$lt;/sub$gt;C$lt;sub$gt;1.1$lt;/sub$gt;化合物的磁性质、熵变以及磁卡效应的影响

利用固态反应法制备了Mn₃Sn_1-xCo_xC_1.1 （x=0.05,0.1,0.2） 系列化合物,研究了Co掺杂对其磁性质、相变、熵变的影响. 随着Co掺杂量的增加,样品的居里温度由283 K先降到212 K （Mn₃Sn_0.9Co_0.1C_1.1） 后又升到332 K （Mn₃Sn_0.2Co_0.8C_1.1）,相变类型由一级相变逐渐转变为二级相变. 增大Co的掺杂量,Mn₃Sn_1-xCo_xC_1.1化合物的熵变峰值逐渐减小,磁熵变温区由9 K展宽到300 K. 当Co掺杂量为0.2时,相对制冷量达到最高,为103 J/kg （磁场强度为1.6 MA/m）. 由于室温附近良好的磁致冷效应,该类材料在磁制冷领域可能具有重要的应用前景. 关键词： 磁性质 相变 磁卡效应 相对制冷量