J/ψ→π+π-π0 衰变中的A值分布

考察了J/ψ→π+π-π0衰变中的A值分布, 所定义的A值是一个由末态π介子动量构成的一个无量纲的量A=(Pπ-xPπ+y-Pπ-xPπ+y)/P+πP-π,其中Ph、Phx与Phy分别表示强子h的动量的大小、该动量沿X轴与Y轴方向的分量.这里J/ψ是由e+e-碰撞产生的, 而e+的动量方向被取为Z轴正向.如果实验上能够证实A的事例平均值〈A〉不等于零,则存在CP(由电荷共轭变换与空间反演变换构成的联合变换)或者T(时间反演变换)破坏.通过筛选到的748个事例,测得〈A〉=0.010 39±0.014 61±0.015 2.进而,对于深入研究所需的数据样本大小和可能达到的观测水平作了数值估算.     

北京谱仪Ⅱ TELESIS误差矩阵的修正

借鉴北京谱议Ⅱ第1批27×106 J/ψ数据带电径迹和中性径迹误差矩阵修正的方法,选取J/ψ衰变到μ+μ- 和辐射e+e-过程的数据样本,研究了北京谱议Ⅱ第2批数据误差矩阵的修正(1)利用J/ψ→μ+μ-样本,对带电径迹完成了RUN-by-RUN误差矩阵刻度.(2) 利用J/ψ→γe+e-样本,在0.2～1.4 GeV能量范围内,完成了桶部簇射计数器(BSC)中对中性径迹的沉积能量和空间位置测量的误差矩阵修正.经上述误差矩阵修正后,北京谱议Ⅱ的TELESIS可以较好地满足J/ψ数据分析工作的进一步要求.     

弱Koszul模的若干注记

设M=i≥0Mi是弱Koszul模,则对任意的i≥0,证明了〈Mi〉\[-i\]是Koszul模.特别地,若M=i≥0Mi是由0次生成的分次模,则M是Koszul模当且仅当M是弱Koszul模,当且仅当对任意的i≥0,〈Mi〉[-i]是Koszul模.进一步证明了M=i≥0Mi是弱Koszul模当且仅当对任意的i≥0,有〈Ji M/Ji+1 M〉\[-i\]是Koszul模,其中J是Koszul代数A的分次Jacobson根.     

d维平稳高斯过程极集的必要条件

设 Xd为 d维平稳高斯过程 .以 Caph(· )表示由核函数 h(s,t,x,y) (m ax{ |s- t|αd / 2 ,|x- y|d } ) - 1在 R+× Rd上产生的容度 ,以 Cap K(· )表示由核函数 K(s,t) |s- t|-αd/ 2在 R+上产生的容度 .本文证明了 :1)若 Caph(E× F) ,则 P((Xd ) - 1 (F)∩ E≠ ) >0 ;2 )若 Cap K(E) >0 ,则 0≠ x∈ Rd ,P((Xd ) - 1 ({ X} )∩E≠ ) >0 ;3)若 dim F>2α,则 P((Xd) - 1 (F)≠ ) >0     

粗糙核分数次积分算子的多线性算子估计

证明带有粗糙核分数次积分算子的多线性算子TΩa^A,B（f）（x）=∫R^n P2（A;x,y）P2（B;x,y）/｜x-y｜^n-a＋2 Ω（x-y）f（y）dy的（H^1（R^n）,L^n/（n-a）∞（R^n））有界性,其中0〈a〈n,S^n-1表示R^n上的单位球面,Ω∈L^s（S^n-1）（S≥1）,且Ω是R^n上的零次齐次函数,A和B是R^n上函数,且P2（A;x,y）,P2（B;x,y）是A和B分别在X点关于Y的二阶Taylor展式的余项,即P2（A;x,y）=A（x）-A（y）-△A（y）（x-y）,P2（B;x,y）=B（x）-B（y）-△B（y）（x-y）,这里△A,△B∈BMO（R^n）.     

pd(Ⅱ)-A(bpy、trp)-ATP~(4-)体系混配合物的稳定性

用pH电位法测定40%(V/V)二(口恶)烷-水介质中(I=0.1,25±0.1℃)Pd(Ⅱ)A(bpy、trp~-)-ATP~(4-)体系形成三元混配合物Pd(bpy)(ATP)~(2-)和Pd(trp)(ATP)~3的稳定常数,其lgK_(Pd(A)(ATP)~(2-))~(Pd(A))值分别为5.16和4.11,Jlgk值为-0.02和-1.08,并与lgK_(Pd(phen)(ATP)~(2-))~(Pd(A))-作了比较,其稳定顺序为Pd(phen)(ATP)~(2-)〉Pd(bpy)(ATP)~2〉Pd(trp)(ATP)~(3-).这一变化规律可从配体间πA～πB的合作效应及配体A和ATP~4间芳环堆积作用获得满意解释.     

高温下氦离子辐照对钨材料微观结构的影响

本文以金属钨为研究对象,研究了高温He~+辐照对钨材料微观结构的影响.在800℃下用20keV的He~+辐照,辐照剂量分别为5×10~(19) He~+/m~2、1×10~(20) He~+/m~2以及5×10~(20) He~+/m~2,然后用透射电镜(TEM)对辐照前后样品的微观结构进行表征.研究结果表明,钨在800℃辐照下有位错环和气泡的产生,随着辐照剂量增加,氦泡的尺寸不断增大,但体密度变小;位错环尺寸变大,体密度变小,位错环不断消失重组,形成了明显的线状位错.并且由g·b=0不可见准则发现,钨在He~+辐照后有1/2〈111〉和〈100〉两种类型的位错环,且1/2〈111〉类型的位错环比例居多.     

带权逼近的正定理和逆定理

设X是周期2π的可积函数的线性子集按范数||·||_x构成的线性赋范空间.又设一切三角多项式属于空间X.对于f(X)∈X,记△_tf(x)=f(x+t)-f(x),记△_t~k=△_t…△_t(共k次)(k=1,2,…).称量ω_k(f,t)_x=(?)||△_t~kf(x)||_x为f在X中的k阶光滑模.称量E_n(f)_x=inf_(α_j,β_j)||f(x)-∑_(j=0)~n(α_jcosjn+β_jsinjx)||_x为f在X中的n阶最佳三角多项式逼近.周知,假如X是通常的[0,2π]上p次Lebesgue空间L~p,1≤P≤∞,那么成立着下面的逼近论正定理和逆定理.定理A(正定理)设1≤p≤∞,k为正整数.那么存在常数C_(k,p)使对一切n=     

聚硅氧烷复合膜改性pH玻璃电极的制备及对金属离子的响应

用溶胶 凝胶技术制备了两种新的含环状和非环状多酰胺的聚硅氧烷复合膜改性的 pH玻璃电极 .溶胶 凝胶溶液和由溶胶 凝胶涂覆的膜分别由透射电镜、傅立叶变换红外光谱和扫描电镜表征 .改性的pH电极玻璃膜对钠、钾、铜和铅离子的电位响应分别被测定 .结果表明以大环多酰胺作为离子载体改性的 pH电极玻璃膜对K+和Pb2 +有较高的电极响应 (分别为 43 .4,2 3 .6mV/级 ) ,在 1.0× 10 -1～ 5 .0× 10 -4 mol·L-1的浓度范围内有良好的线性关系     

无抚polyoxymethylene链体系的热力学性质

旋转异构态模型的三重态理论认为,高聚物链上每个键的旋转角可取三种分列的值,分别对应于旋转态。它们是:反式(t),左旁式(g~+)和右旁式(g~-)。线型高聚物的构象态用组成链的一系列键的旋转态来表示。例如:tg~+g~+ttg~-t…… 一条由n个键组成的线型链,由于每个键有三种旋转角,故它可以有3~(n-2)个不同的构象(两个端键的旋转不影响构象态)。本文旨在研究这样一个系综里平衡态下Polyoxymethylene(POM)的热力学性质。 POM链结构显示在图1.它的主链上是CH_2和O的交替有序排列。C—O键长是1.43A,C—O—C和O—C—O角近似为四面体(110±2°)角。旋转角φ_i=0°,φ_g~±=±120°。