等离子体屏蔽效应对类氢离子束缚态的影响

在Debye屏蔽近似下,通过求解Schrödinger方程,计算了处于等离子体中的类氢离子的束缚态能量本征值与本征函数. 研究了氢原子和类氢Fe25+离子的n l ( n =1-4, l = 0-3)态能级随Debye 屏蔽长度λ的变化规律. 进一步,分析了等离子体屏蔽效应随主量子数n及角量子数l的变化规律, 发现对于给定的l, 等离子体屏蔽效应随主量子数n的增加而增大;对于给定的n,等离子体屏蔽效应随角量子数l 的增大而减小. 最后,我们分析了等离子体环境中类氢等电子序列离子的能级和波函数随屏蔽参数λ的变化规律,发现随着原子序数增大,等离子体屏蔽效应的影响逐渐变小.     

高离化金离子态-态双电子复合速率系数

研究了类铍Au⁷⁵⁺离子三类态-态双电子复合过程，基于多组态准相对论自洽场 方法和 扭曲波方法，计算了该离子在电子温度0.6—10.0keV范围内的态-态双电子复合速率系数， 并讨论了它们随电子温度、复合类型和上下能态的变化. 关键词： 75+离子')" href="#">Au⁷⁵⁺离子 态-态双电子复合     

等离子体屏蔽效应对原子能级和振子强度的影响

利用Debye模型,研究了等离子体屏蔽效应对热等离子体中原子能级和振子强度的影响.通过在MCDF模型中引入等离子体屏蔽效应,计算了MnXXII-BrXXII等11个类Be离子在等离子体环境下2s²—［2s_1/2,2p_1/2］₁和2s²—［2s_1/2,2p_3/2］₁跃迁的能级和振子强度.计算结果表明,等离子体屏蔽效应使得类Be离子2s²—［2s_1/2,2p_1/2］₁跃迁的激发能量增大,从而导致谱线蓝移现象;并且随着屏蔽效应的不断增强,蓝移的程度会逐渐加大.屏蔽效应对于2s²—［2s_1/2,2p_3/2］₁跃迁的振子强度也有类似的影响. 关键词： Debye 等离子体屏蔽 跃迁能级 振子强度     

六配位中铬离子不同价态的MS-Xα计算

本文采用自旋极化的MS-X_α方法,以铬离子与氧六配位形成的(CrO₆)铬离子为模型,计算铬离子三种价态(Cr²⁺,Cr³⁺,Cr⁴⁺的电子结构,在D_4k群下给出单电子轨道本征值和本征函数、能级分布和光学跃迁,对计算结果作了详细的讨论。 关键词：     

类铜Au50+精细结构能级和光谱跃迁的相对论多组态计算

用相对论多组态方法计算了类铜离子Au⁵⁰⁺的精细结构能级和光谱跃迁参数，所得结果很接近实验值．通过对组态选取、有限核模型、Ｂｒｅｉｔ修正和量子电动力学（ＱＥＤ）效应的分析，指出该体系中存在更为明显的ＱＥＤ效应，使４ｓ—４ｐ跃迁波长的计算精度有了很大的提高 关键词：     

高离化态类镍离子电子碰撞激发过程的相对论扭曲波理论研究

利用相对论扭曲波方法和新发展的研究电子碰撞激发过程的计算程序REIE06,系统计算了电子碰撞激发高离化态类镍Gd³⁶⁺和Rn⁵⁸⁺—U⁶⁴⁺(Z=86—92)离子从基态到4l(l=s,p,d,f)次壳层精细结构能级的碰撞强度和截面.研究了随等电子系列变化时,从基态到与X射线激光有关的3d⁹4p和3d⁹4d激发态能级的电子碰撞激发截面随Z的变化,讨论了强的组态相互作用对高离化态类镍离子截面的影响.通过对Gd³⁶⁺离子涉及X射线激光跃迁的相关能级电子碰撞激发速率系数的计算,分析了等离子体中电子温度对碰撞过程的影响.同时,目前部分计算结果与以往的理论结果进行了比较,得到了很好的一致性. 关键词： 电子碰撞激发 相对论扭曲波方法 高离化态类镍离子     

Debye等离子体中高能H++H碰撞激发过程的研究

利用碰撞参数玻恩近似方法研究了Debye 等离子体环境中高能H⁺+H的碰撞激发过程, 研究了不同Debye 半径下氢原子1s → 2p 的激发耦合相互作用矩阵元、入射粒子能量为160 keV/u 的激发电子跃迁概率以及入射粒子能量范围为100–1000 keV/u 的碰撞激发截面. 结果表明: 随着屏蔽效应的增强, 激发截面减小. 根据激发截面的公式以及计算结果详细分析了引起激发截面减少的原因. 入射粒子与激发电子之间的屏蔽相互作用势和靶的电子结构(波函数和能级) 对激发截面都有很重要的影响. 关键词： 等离子体 碰撞参数玻恩近似方法 碰撞激发截面     

敏化离子Ce3+对Er3+∶YAG的1.6μm波长激光性能的影响

测定了Ce³⁺,Er³⁺∶YAG中Ce³⁺离子的吸收截面.用从能级跃迁速率方程和激光传输方程推出的表达式计算了1.6μm波长激光的阈值能量(功率)和斜率效率.表明在Ce³⁺,Er³⁺∶YAG中,Ce³⁺对Er³⁺离子的激光性能影响与激活离子Er³⁺的浓度、晶棒大小有关.短晶棒或浓度低的晶体加入Ce³⁺可降低Er 关键词：     

基于等离子体环境涨落的原子结构计算模型

本文将等离子体核聚变反应截面研究中利用等离子体环境涨落进行修正了的Debye-Hückel屏蔽势推广到计算等离子体中辐射离子束缚态的能级结构. 通过Tsallis参数q的变化,在等离子体辐射离子束缚态能级结构的计算中加入等离子体参数涨落的平均效应,即,等离子体动力学. 具体给出了利用修正的Debye-Hückel屏蔽势对类氦铝束缚态能级结构的计算结果. 结果表明基于这种修正的屏蔽势,自由电子的极化分布具有和线性Debye-Hückel屏蔽势不同的结构. 这种通过等离子体涨落分布对屏蔽势函数进 关键词： 等离子体中的原子结构 等离子体环境涨落 修正了的Debye-Hückel屏蔽势     

(CrO4)络离子中Cr-O距离的研究

通过MS-X_α方法的计算详细地讨论当Cr—O距离变化时(CrO₄)络离子的电子结构和能级分布。给出铬离子三种不同价态(Cr²⁺,Cr³⁺,Cr⁴⁺)的单电子轨道能量、电荷分布、基态电子组态、低激发态的光学跃迁,以及能级示意图。当配位体与中心离子的距离R≤2?时,用晶场理论得出的结果不能令人满意。这时必须考虑配位体与中心离子距离的影响,以及中心离子(对于过渡族金属离子而言)的4s或4p原子轨道的作用。 关键词：     

玻色算符的逆算符及其相关的奇偶相干态

利用玻色算符的逆算符a^^-1和a^^+-1，定义了一类新的奇偶相干态 ，即增、减光子奇偶相干态.它们分别是算符为a^^-ka^^k+2,a^^+-ka ^²a^^+k的本征态，可由a^^-k和a^^+-k分别作用于通常的奇偶相干态来产生. 数值计算结 果表明，这类新的奇偶相干态都是非经典的光场态，它们都能呈现出光子反群聚效应 关键词： 玻色算符的逆算符 奇偶相干态 光子反群聚效应 量子压缩效应     

CH4或CH4+Ar介质阻挡放电中的离子能量和类金刚石膜制备

实验上，利用纯CH₄及CH₄+Ar在几百帕量级气压下的介质阻挡放电 制备类金刚石膜，研究了气压p与放电间隙d乘积(pd值)以及Ar的体积百分比R_Ar 对膜硬度的影响.理论上，从离子与气体分子的双体碰撞出发，利用较高折合电场强度E/n( 电场强度与粒子数密度之比)下离子及中性粒子速度分布的双温模型、离子在其他气体中运 动时遵守的朗之万方程及离子在混合气体中运动时遵守的布兰克法则，对CH⁺4和Ar⁺离子能量进行了分析.结果表明：1)CH₄介质阻挡 放电中，pd值由1.862×10³Pa mm降低至2.66×10²Pa mm时，CH+₄能量由5.4eV增加到163eV，类金刚石膜硬度由2.1GPa提高到17.6GPa ; 2) 保持总气压p=100Pa,放电间距d=5mm不变，在CH₄中加入Ar气，当R_Ar 由20％增加至83%时，CH⁺₄的能量由69eV增加到92eV,而Ar＋能量由93eV降低至72eV.虽然CH⁺₄能量增加有助于提高 沉积膜硬度，但当R_Ar大于67%，高强度Ar⁺轰击会导致膜表面石墨 化，膜硬度降低.为了验证离子能量理论模型的正确性，实验测量了H₂介质阻挡 放电中离子能量，测量结果与理论计算之间最大相对误差为16%. 关键词： 离子能量 介质阻挡放电 类金刚石膜     

Debye屏蔽对碳等离子体电荷态丰度分布的影响

基于组态相互作用方法,使用Debye模型研究了等离子体屏蔽效应对碳离子结构和不同电荷态离子丰度分布的影响.以类氦碳离子(C V)的1s_(1/2)~2→(1s_(1/2)ns_(1/2))_1(n=2,3,4,5)磁偶极(M1)跃迁为例,详细研究了Debye屏蔽因子对跃迁几率的影响.研究了离子丰度分布随屏蔽因子的变化,结果表明在相同的等离体温度和密度条件下,考虑了屏蔽效应的离子丰度分布整体向低电离度的离子偏移,平均电离度降低.     

Ce3+对Er3+/Yb3+共掺氟磷酸盐玻璃光谱性质的影响

研究了能量接受离子Ce³⁺对Er³⁺上转换发光强度以及Er³⁺在1.5μm附近波段发光性能参数的影响，并从能量匹配及能级结构角度出发对Er³⁺/Ce³⁺间的能量转移机制进行了分析.分析认为，⁴I_11/2能级的Er³⁺通过无辐射能量转移把能量传递给²F_5/2能级的Ce³⁺关键词： 氟磷酸盐玻璃 光谱性质 光纤放大器 3+和Ce³⁺')" href="#">Er³⁺和Ce³⁺     

共面两囚禁离子体系精确的量子运动

研究Paul阱中共面两离子体系精确的量子运动. 在考虑库仑关联的条件下，得到了系统Schr?dinger方程的精确解和以此为基础的微扰解，包括精确的离散本征态和本征能量，以及近似的分段连续谱和能带结构. 以低能级的几个态为例，用数值方法计算了两离子间的平均距离，并绘出了两离子的概率分布图. 关键词： Paul阱 共面两离子 平均距离 能带结构     

单、双洞态镁离子的退激发及末电离态离子分布的研究

在分析双洞相关退激发对双洞态退激发的贡献较小的基础上，依据辐射-俄歇-双俄歇级联退激发模型(RACDA)研究了Mg¹⁺(1s^-1)（K壳层单洞态镁离子）和Mg²⁺(1s^-2)（K壳层双洞态镁离子）的退激发过程，计算了它们的末电离态离子的分布，并与辐射-俄歇级联退激发模型的结果进行了比较.RACDA模型计算的Mg¹⁺(1s^-1)的4价末电离态离子的相对丰度较大，而辐射-俄歇级联退激发模型(RAC)的结果中就没有出现4价离子；两种模型计算Mg²⁺(1s^-2)的6价末电离态离子的丰度非常大，而RAC模型下的Mg²⁺(1s^-2)退激发后不产生6价离子. 关键词： 双洞态退激发 RACDA退激发模型     

不同能级加速过滤电弧沉积四面体非晶碳膜的结构和性能

采用过滤阴极真空电弧技术，通过施加0—2000 V衬底负偏压使沉积离子获得不同能级的入射能量，在单晶硅上制备了四面体非晶碳薄膜.拉曼光谱分析表明，薄膜的结构为非晶sp³骨架中镶嵌着平面关联长度小于1 nm的sp²团簇.原子力显微镜研究表明：在低能级、富sp³能量窗口和次高能级，薄膜中sp³的含量越多，其表面就越光滑，应用sp³浅注入生长机制能够圆满地解释薄膜表面形态与离子入射能量之间的关系；但在高 关键词： 四面体非晶碳 过滤阴极真空电弧 能级     

氦原子和类氦离子基态能量的变分计算及相对论修正

采用一个包含坐标伸缩系数的简单有效的变分波函数,同时考虑到核的运动,利用Mathematic a语言开发了一个用变分法计算三体问题的程序,对氦原子和类氦离子(H^-,He,Li ⁺,Be⁺⁺,B³⁺,C⁴⁺,N⁵⁺,O ⁶⁺)的非相对论基态能量和解析波 函数进行了变分计算.在此基础上,对非相对论哈密顿量进行相对论和辐射修正,并考虑到有 限核电荷半径的影响,得到了氦原子和类氦离子高精度的基态能量值. 关键词： 氦原子 类氦离子 变分法 基态能量 相对论修正     

V3+∶YAG晶体的生长、色心与光谱性能研究

采用石墨电阻加热的温梯法生长了V∶YAG晶体，晶体的不同部位呈现两种不同的颜色：浅绿色和黄褐色.通过对比分析不同颜色V∶YAG晶体的室温吸收光谱，推断出石墨发热体高温下扩散出来的C可以起到还原作用，提高晶体中V³⁺_tetra离子的浓度，同时诱导了F心的形成.在1300℃下，对不同颜色的V∶YAG晶体进行真空退火处理，发现处于八面体格位中的V³⁺离子在热激发作用下与近邻的四面体格位Al³⁺离子存在置换反应，由此产生一定浓度的四面体格位V³⁺离子.同时，F心在退火过程中被完全消除，释放出来的自由电子被高价态的V离子俘获，可以进一步提高晶体中四面体格位V³⁺离子的浓度. 关键词： V∶YAG晶体 四面体格位 碳还原 真空退火 F心     

甲烷分子电子碰撞电离和解离的实验研究

本文利用反应显微成像技术(reaction microscope)研究了54 eV电子入射甲烷分子导致的电离解离过程,详细分析了电离解离产生的CH⁺₂,CH⁺,C⁺离子碎片的动能分布情况.实验结果表明,该入射能量下产生CH⁺₂,CH⁺,C⁺离子碎片主要贡献来自2a₁内价轨道电子的直接电离过程产生的离子态(2a< 关键词： 反应显微成像谱仪 电离解离 能量沉积 动能分布