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相似文献
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1.
顶发射白光有机发光二极管(white organic light-emitting diodes,WOLEDs)因可与有源驱动电路结合实现大开口率和高分辨率,因而在白光照明和全彩显示中有着良好的应用前景.本文制备了红/蓝双磷光发光层的顶发射WOLEDs,通过在红光层与蓝光层间插入电子阻挡层tris(phenypyrazole)iridium(Ir(ppz)3),降低了对红光掺杂浓度的要求,红光掺杂浓度的提高不仅降低了对制备工艺的要求,提高了工艺可重复性,而且改善了WOLEDs的效率与色度稳定性。分析了色度稳定的原因,优化了红光和蓝光磷光客体的掺杂浓度,制备出发光效率达到7.9 cd·A-1的顶发射WOLED,其色坐标位于暖白光区,在87~2 402 cd·m-2亮度范围内色度很稳定,仅变化(0.006,0.01)。  相似文献   

2.
刘新辉  杨健君  于军胜 《发光学报》2015,36(10):1145-1149
制备了多层结构合成的白光有机电致发光器件(WOLEDs),通过在发光层中加入一层空穴阻挡层TPBi来提高器件的光谱稳定性。当TPBi厚度为2.5 nm时,在电压由8 V升高到12 V的过程中,CIE色坐标的变化量为(0.031,0.006)。器件的电流效率为24.7 cd/A,外部量子效率最大为8.2%。相对于没有加入中间层的器件,8 V电压下的色坐标由(0.435,0.472)变为(0.333,0.439)。实验结果表明,在发光层中添加中间层可以改变器件发光的色坐标并提升光谱的稳定性。  相似文献   

3.
利用激基复合物发光的有机白光电致发光器件   总被引:14,自引:7,他引:7       下载免费PDF全文
冯晶  刘宇  王悦  刘式墉 《发光学报》2002,23(1):25-28
以NPB为空穴传输材料,(dppy)BF为发光层,Alq为电子传输层和色度调节层,制备了有机白光电致发光器件.该器件的白光发射是来自于(dppy)BF与NPB的固界表面形成的激基复合物发光,以及NPB与(dppy)BF发射的蓝光.该白光器件的色度稳定,在电压10~25V的变化范围内,色坐标变化由(0.29,0.33)到(0.31,0.35).器件在4V开启,12V电压下亮度和效率分别为200cd/m2和0.45lm/W.  相似文献   

4.
提出了一种利用Ag/Al电极作为叠层结构的连接层,有效调控白色有机电致发光器件(WOLEDs)的发射光谱和提高器件的发光效率的新方法。当连接层厚度从9nm降到5nm,白光区域内的色坐标从(0.27,0.29)变化到(0.38,0.31)。此外,通过调控任意色度的互补色(蓝黄)WOLEDs,成功地制备了色温从8009K到4539K的可以独立寻址的器件。最后,论文讨论了基于独立寻址实现色温可控的红绿蓝三基色WOLEDs的光电性能。  相似文献   

5.
曹进  蒋雪茵  张志林 《物理学报》2007,56(6):3493-3498
用微腔调色法来实现有机发光器件的三基色,有利于减少光损失,并提高器件的色饱和度和效率.以多波长的白光器件为基构成了微腔顶发射器件.顶发射器件以Ag作为全反射阳极,ITO为光程调节层,Al/Ag为半透明复合阴极,Alq:DCJTB/TBADN:TBPe/Alq:C545为白光发光层.通过调节ITO厚度,改变微腔光程以及器件的颜色,分别得到红、蓝、绿三基色的器件,器件发光峰值分别为475,538和603nm,色坐标分别为(0.133,0.201),(0.335,0.567)和(0.513,0.360).半高宽分别为30,48,70nm. 关键词: 有机发光 顶发射 微腔效应 三基色  相似文献   

6.
以乙二胺和二苯乙二酮为原料合成了5,6-二苯基-2,3-二氢吡嗪(Dpdhpz),Dpdhpz在Ir Cl3·3H2O或三氟化硼乙醚等路易斯酸作用下发生自身氧化偶联得到了5,5',6,6'-四苯基-2,2'-联吡嗪(Dbppz)。在四氢呋喃(THF)溶液中,Dbppz的光致发光(PL)为深蓝色,最大发射峰位于400 nm,CIE坐标为(0.16,0.03)。Dbppz在THF溶液中最大量子效率为89%,在聚苯乙烯薄膜(Dbppz质量分数5%)中的量子效率为78%。将Dbppz制备成器件结构为ITO/HAT-CN(5 nm)/NPB(40 nm)/Dbppz(20 nm)/Tm Py PB(40 nm)/Li F(1 nm)/Al(100 nm)的非掺杂电致发光器件。实验发现,该非掺杂器件并没有产生预期的蓝色发光,而是意外地得到了一个白光器件。我们推测产生白光发射的原因与发光层和空穴传输层之间相互作用有关。由于空穴传输层NPB的芳胺结构具有电子给体性质,而Dbppz的吡嗪结构具有电子受体结构,发光层与空穴传输层的界面发生了电子给体和电子受体的相互作用,形成了激基复合物。在电致发光(EL)光谱中,除了Dbppz发光材料在415 nm的发射外,在550 nm还出现强的激基复合物的发射。激基复合物的产生使得EL发射出现了长波长光谱,同时减弱了发光层的"本征"发光。蓝色"本征"发光与激基复合物的黄色发光构成了一个CIE坐标值为(0.27,0.33)(亮度100 cd/m2)的白光器件。器件最大外量子效率、最大功率效率和最大电流效率分别为44%、0.74 lm/W和1.04 cd/A。  相似文献   

7.
将不同浓度的NPB掺杂到一种新型有机电致发光材料Zn(4-TfmBTZ)2层中制备了有机电致白光及近白光器件,发现NPB浓度不仅影响器件的发光效率,而且影响器件的色度和显色指数.随着Zn(4-TfmB-TZ)2层中NPB摩尔分数从0%~10%逐渐增加,电致激基复合物的发射逐渐增强,器件发光效率先增加后减小,在相同电压下...  相似文献   

8.
利用Ag/tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum(Alq3)/Ag/Alq3/Ag这一金属/有机半导体多层结构作为阳极,实现了超低效率滚降的顶发射白光器件。在该器件中,我们在蓝光和橙光发光单元之间引入一个薄的4,4′-bis(9-carbazolyl)-2,2′-biphenyl(CBP)层,从而减少橙光发光层与蓝光发光层的Dexter能量传递,用以改善白光器件发光光谱及效率。通过优化微腔设计,实现了对橙光磷光材料发射的调控。最终,我们获得了在60 000 cd/m2亮度下效率滚降仅为17%的顶发射白光器件。在效率方面,虽然顶发射白光器件与底发射白光器件不相上下,但由于微腔效应的存在,顶发射白光器件的效率滚降却远低于底发射白光器件的效率滚降。  相似文献   

9.
同一种主体材料MADN中混掺不同的掺杂剂,分别制备了两种白光有机发光二极管,测试并研究了它们的发光效率、寿命、发光亮度、电致发光光谱以及色平衡度。结果表明,两种白光器件的性能受发光层的顺序和厚度的影响显著。发光层顺序由阳极到阴极方向为橙/蓝的器件的稳定性要优于发光层顺序为蓝/橙的器件,这是由于橙光发光层中的rubrene对空穴的陷进作用可捕获穿越橙光发光层中的空穴,从而有效地调控了器件内部的电子、空穴浓度的平衡。通过对器件的优化,制得了色坐标为(0.3201,0.3459)的接近标准白光的有机电致发光器件。  相似文献   

10.
从荧光-磷光复合结构的有机电致发光器件的研究入手,采用OXD-7作为蓝色荧光发光层,Ir(MDQ)2acac掺杂在母体材料作为红橙磷光发光层,设计制备了双波段白光有机电致发光器件。研究中发现,OXD-7,Alq3和NPB的三组分协同作用可以导致电致激基复合物的产生,以及由此导致的光谱红移,并使得器件发光效率降低。通过插入TDAF中间层可以有效地抑制激基复合物的产生,同时,通过控制载流子传输的平衡,以及磷光材料的掺杂浓度,可以获得器件发光亮度、效率的提升。  相似文献   

11.
光无线技术及其应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
通信领域对带宽越来越大的需求正推动着传统无线通信技术的发展。虽然光通信系统和光网络能为人们提供极大的带宽,但这也意味着必须能开发出来新的设备和系统。半导体发光二极管(LED)被认为是未来在建筑、汽车和飞行器上的主要光源。相比于白光光源和荧光光源,LED能提供更高的能量效率,且由于其出色的节能性能,LED在目前全球性的二氧化碳减排行动中也扮演着重要的角色。另外,激光器目前也处在于LED类似的情形中。这些核心器件的出现很可能会大大改变我们对光的使用,不仅是在照明方面,还包括通信、传感、导航、定位、监控和成像等各个方面。  相似文献   

12.
Recent progress is reviewed in surface-normal optoelectronic devices primarily for use in optical switching and information processing. A type of optoelectronic integrated circuit (OEIC), the surface-normal two-dimensional array, is fabricated using these devices. This improves on first-generation OEICs by featuring large-scale integration in a small area, which results in a higher production yield. It also has structures which can easily be integrated with electronic circuits and can meet multichannel requirements. This approach supports optoelectronic progress towards optical information processing.  相似文献   

13.
The newly emerging metal halide perovskites have attracted considerable attention due to their exceptional optoelectronic properties. This upsurge was initially driven when the power conversion efficiency of perovskite-based photovoltaic devices exceeded 23%. Due to their optoelectronic properties, perovskite materials have also been used in light-emitting diodes, photodetectors, lasers, and memory devices. This study comprehensively discusses the recent progress of allinorganic perovskite-based photodetectors, focusing on their structures, morphologies of their constituent materials, and diverse device architectures that improve the performance metrics of these photodetectors. A brief outlook, highlighting the main existing problems, possible solutions to these problems, and future development directions, is also provided herein.  相似文献   

14.
江德生 《物理》2005,34(7):521-527
人们对半导体中的电子空穴对在库仑互作用下形成的激子态及其有关的物理性质进行了深入研究.激子效应对半导体中的光吸收、发光、激射和光学非线性作用等物理过程具有重要影响,并在半导体光电子器件的研究和开发中得到了重要的应用.与半导体体材料相比,在量子化的低维电子结构中,激子的束缚能要大得多,激子效应增强,而且在较高温度或在电场作用下更稳定.这对制作利用激子效应的光电子器件非常有利.近年来量子阱、量子点等低维结构研究获得飞速的进展,已大大促进了激子效应在新型半导体光源和半导体非线性光电子器件领域的应用.  相似文献   

15.
SOI新结构——SOI研究的新方向   总被引:2,自引:0,他引:2  
谢欣云  林青  门传玲  安正华  张苗  林成鲁 《物理》2002,31(4):214-218
SOI(silicon-on-insulator:绝缘体上单晶硅薄膜)技术已取得了突破性的进展,但一般SOI结构是以SiO2作为绝缘埋层,以硅作为顶层的半导体材料,这样导致了一些不利的影响,限制了其应用范围。为解决这些问题和满足一些特殊器件/电路的要求,探索研究新的SOI结构成为SOI研究领域新的热点。如SOIM,GPSOI,GeSiOI,SionAlN,SiCOI,GeSiOI,SSOI等。文章将结合作者的部分工作,报道SOI新结构研究的新动向及其应用。  相似文献   

16.
Tactile and temperature sensors are the key components for e-skin fabrication.Organic transistors,a kind of intrinsic logic devices with diverse internal configurations,offer a wide range of options for sensor design and have played a vital role in the fabrication of e-skin-oriented tactile and temperature sensors.This research field has attained tremendous advancements,both in terms of materials design and device architecture,thereby leading to excellent performance of resulting tactile/temperature sensors.Herein,a systematic review of organic transistor-based tactile and temperature sensors is presented to summarize the latest progress in these devices.Particularly,we focus on spotlighting various device structures,underlying mechanisms and their performance.Lastly,an outlook for the future development of these devices is briefly discussed.We anticipate that this review will provide a quick overview of such a rapidly emerging research direction and attract more dedicated efforts for the development of next-generation sensing devices towards e-skin fabrication.  相似文献   

17.
陈维德 《物理》1999,(12):741
硅基发光材料和器件是实现光电子集成的关键.文章评述了目前取得较大进展的几种主要硅基发光材料和器件的研究,包括掺饵硅,多孔硅,纳米硅以及Si/SiO2 等超晶格结构材料.展望了这些不同硅基发光材料作为发光器件和在光电集成中的发展前景  相似文献   

18.
扫描隧道显微镜原子操纵技术是指利用扫描探针在特定材料表面以晶格为步长搬运单个原子或分子的技术.它是纳米尺度量子物理与器件研究领域一种独特而有力的研究手段.利用这种手段,人们能够以原子或分子为单元构筑某些常规生长或微加工方法难以制备的人工量子结构,通过对格点原子、晶格尺寸、对称性、周期性的高度控制,实现对局域电子态、自旋序、以及能带拓扑特性等量子效应的设计与调控.原子操纵技术与超快测量及自动控制技术的结合,使得人们能够进一步研究原子级精准的量子器件,因而该技术成为探索未来器件新机理、新工艺的重要工具.本文首先简介原子操纵方法的发展过程和技术要点,然后分别介绍人工电子晶格、半导体表面人工量子点、磁性人工量子结构、人工结构中的信息存储与逻辑运算、单原子精度原型器件等方面的最新研究进展,以及单原子刻蚀和自动原子操纵等方面的技术进展,最后总结并展望原子操纵技术的应用前景和发展趋势.  相似文献   

19.
About twenty years ago, in the autumn of 1996, the first white light‐emitting diodes (LEDs) were offered for sale. These then‐new devices ushered in a new era in lighting by displacing lower‐efficiency conventional light sources including Edison's venerable incandescent lamp as well as the Hg‐discharge‐based fluorescent lamp. We review the history of the conception, improvement, and commercialization of the white LED. Early models of white LEDs already exceeded the efficiency of low‐wattage incandescent lamps, and extraordinary progress has been made during the last 20 years. The review also includes a discussion of advances in blue LED chips, device architecture, light extraction, and phosphors. Finally, we offer a brief outlook on opportunities provided by smart LED technology.

  相似文献   


20.
载流子色散型硅基CMOS光子器件   总被引:2,自引:2,他引:0  
为了实现硅基单片光电子集成器件的实用化,介绍了采用P-I-N、双极型场效应晶体管、金属氧化物半导体和PN结结构的载流子色散型硅基CMOS光子器件的发展状况和特点,并汇报了硅基CMOS光子器件的设计和制作方面的工作.利用商业的CMOS工艺线制作的器件获得了较好的结果,光调制器消光比约18 dB,1×2光开关消光比约21 dB,谐振环的消光比8~12 dB.采用CMOS技术研制硅基光子器件,将能使集成光子学的发展上一个新的台阶.  相似文献   

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