TC2模型下的顶夸克稀有衰变t→cV

在顶色辅助的人工色(TC2)理论框架下,研究了顶夸克稀有衰变t→cV过程.结果表明TC2模型预言的标量粒子top-pions和top-Higgs对顶夸克稀有衰变分支比的贡献可以使其比标准模型预言值大6—9个数量级.在大多数参数范围内,分支比的数量级为:Br(t→cg)～10^－5,Br(t→cZ)～10^－5,Br(t→cγ)～10^－7.在合理的参数范围内,顶夸克稀有衰变t→cV过程能够被未来的对撞机实验探测到.因此,顶夸克稀有衰变过程为我们提供了一种检验TC2理论的方法.     

超低效率滚降顶发射白光有机电致发光器件

利用Ag/tris-（8-hydroxyquinoline） aluminum（Alq₃）/Ag/Alq₃/Ag这一金属/有机半导体多层结构作为阳极,实现了超低效率滚降的顶发射白光器件。在该器件中,我们在蓝光和橙光发光单元之间引入一个薄的4,4′-bis（9-carbazolyl）-2,2′-biphenyl（CBP）层,从而减少橙光发光层与蓝光发光层的Dexter能量传递,用以改善白光器件发光光谱及效率。通过优化微腔设计,实现了对橙光磷光材料发射的调控。最终,我们获得了在60 000 cd/m²亮度下效率滚降仅为17%的顶发射白光器件。在效率方面,虽然顶发射白光器件与底发射白光器件不相上下,但由于微腔效应的存在,顶发射白光器件的效率滚降却远低于底发射白光器件的效率滚降。