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信息存储的现状和未来发展 总被引:9,自引:0,他引:9
本文着重从磁存储出发讨论了磁光存储,硬磁盘存储的现状和未来发展。沿用传统的驱动器,它们的面存储密度的极限大致在10Gbits/in2的量级,这主要是由存储材料性能和信息存取模式(磁头或光头)的限制。为要进一步提高存储密度,需采取类似近场光学、原子力、磁力和扫描隧道显微镜这样的现代手段来进行信息的存储,但要实现,需要一段较长的时间。在磁存储获得发展的同时,非磁的光存储介质的应用得到了开发,主要是CD-ROM(只读式),CDR(写一次)和PD(相变型)。正是磁和光存储介质在信息存储中的应用,使当今信息技术中一重要领域——信息存储显得生气勃勃。 相似文献
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从未来微型计算机对磁存储器应具有超高存储密度的要求出发,讨论了磁存储材料的未来发展.并指出,最有希望的材料是沿用传统模式纵向记录的薄膜磁介质和新型的磁光存储薄膜.对于如何实现此超高密度的磁和磁光存储,文章还讨论了各自需要解决的问题及相关的信息存储和读出技术. 相似文献
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高密度光数据存储技术的发展 总被引:12,自引:1,他引:11
讨论了信息技术发展中信息数据存储的重要性,比较了磁存储和光存储的各自特点,介绍了光盘存储技术的发展趋势和高度光盘存储技术的关键问题,进一步讨论了超高密度光存储的发展可能。 相似文献
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本文在频域对磁光读出过程进行了分析,提出了一种方便实时测量磁光存储系统中的微光斑参数的新方法-频谱分析法。误差分析表明,该方法精度高,易于实现。 相似文献
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磁性薄膜研究的现状和未来 总被引:14,自引:0,他引:14
概括介绍了近十几年来磁性薄膜研究的主要成果、应用和可能的发展情况,主要内容有:钙钛矿结构氧化物薄膜的磁性和庞磁电阻效应,磁性金属多层 膜的层间耦合和巨磁电阻效应及磁电阻磁头应用情况,光存储技术纳米点阵存储技术,磁电子学。 相似文献
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双光子吸收三维数字光存储 总被引:6,自引:0,他引:6
双光子吸收三维数字光存储是实现超高密度光存储的一种重要方法,双光子吸收几率与作用光强的平方成正比,使得只有位于焦点小范围内的记录介质受到激发,双光子吸收激发的光致聚事作用,光致变色作用、光致荧光漂白、光折变等效应,引起这一小范围内记录介质的光学性质发生改变,结果能将信息写到亚微米尺度的体积单元中,实现三维数字光存储,这种双光子吸收三维数字光存储密度可达10^12Bits/cm^3。文章介绍了双光子吸收三维数字光存储的原理和进展。 相似文献
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近场光学在高密度存储中的应用 总被引:3,自引:0,他引:3
近场光学在高密度存储方面有着很大的潜力 ,使得近场光学存储近年来得到了广泛的关注。近场光学存储具有高密度大容量及可以利用许多已有相关技术等优点 ,预计近场光学存储密度能达到 7Gbit/ cm2 ;它还可以采用硬盘驱动器中的空气悬浮磁头技术和磁光存储中的技术等 ,使近场存储的研究和开发更加迅速。目前 ,近场光学存储主要有三种方案 :探针型方案、超分辨率近场结构、固体浸没透镜方案 ,这三种方案都是通过不同的方法缩小记录光斑来实现高密度的存储。介绍了近场光学存储的原理、研究现状及材料 ,并对三种近场存储方案的实现方法和发展概况作了详细的阐述 ,分析了这三种方案的优缺点 相似文献
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Xiao Wang Jie LianG.T. Wang P. SongP. Li S. Gao 《Journal of magnetism and magnetic materials》2011,323(22):2711-2716
The longitude magneto optical Kerr effect (LMOKE) is investigated on ultrathin Fe film grown on GaAs (0 0 1) substrate with Al overlayer. The formula of the longitude magneto optical Kerr effect is derived to find out the influence of the Al overlayer on the magneto optical properties of Fe/GaAs (0 0 1) sample. Results obtained from this formula fit very well with the experimental data. The change of the Kerr rotation as a function of the incident angle is also given, which can be used to find a proper angle in sample measurement. A numerical simulation was carried out to find out the relation between Kerr rotation and optical properties of the overlayer. Results from this simulation can be used to select the best overlayer material to protect the Fe/GaAs (0 0 1) sample. 相似文献