二代树状碳硅烷液晶研究I.端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含36个丁氧基偶氮苯介晶基元（M5）端基新的二代树状碳硅 烷液晶（D_2），并用元素分析，氢谱，激光质谱，红外，紫外，偏光显微镜，DSC和WAXD法表 征D2为向列相，与M5相同，二代树状物相态由介晶基定．D2液晶态相行为是 K85N107I103N69K，其熔点比M5降低27-41℃，清亮点比M5降低17-18宽10-23℃．二 代碳硅烷（D2）与一代碳硅烷（D1）相比熔点增加2-3℃，清亮点降低26-29℃，液 晶态温区减少℃．在二代树状物中观察到S＝＋3／2的高强向错．     

二代树状碳硅烷液晶研究I.端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含36个丁氧基偶氮苯介晶基元（M5）端基新的二代树状碳硅 烷液晶（D_2），并用元素分析，氢谱，激光质谱，红外，紫外，偏光显微镜，DSC和WAXD法表 征D2为向列相，与M5相同，二代树状物相态由介晶基定．D2液晶态相行为是 K85N107I103N69K，其熔点比M5降低27-41℃，清亮点比M5降低17-18宽10-23℃．二 代碳硅烷（D2）与一代碳硅烷（D1）相比熔点增加2-3℃，清亮点降低26-29℃，液 晶态温区减少℃．在二代树状物中观察到S＝＋3／2的高强向错．     

二代树状碳硅烷液晶研究——端基含36个己氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含36个己氧基偶氮苯介晶基元(M3)端基的新的二代树状碳硅烷液晶(D2),并用元素分析、氢谱、激光质谱、红外光谱、紫外-可见光谱、偏光显微镜,DSC和WAXD法进行表征.D2为向列相,与M3相同.D2液晶态相行为是K90N105I1l3N75K,D2熔点比M3降低2633℃,D2清亮点比M3降低315℃,D2液晶态温区比M3加宽1130℃.D2和一代树状物D1的相态由介晶基元相态决定.D2熔点比D1降低23℃.D2清亮点比D1降低1121℃,D2液晶态温区比D1减少819℃.     

端基含108个己氧基偶氮苯介晶基元三代树状碳硅烷液晶研究

用发散法合成以四碳硅烷为核心,周边含108个己氧基偶氮苯介晶基元(M3)端基的三代树状碳硅烷(D3)液晶,并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱、红外光谱、紫外光谱、偏光显微镜、差示扫描量热(DSC)和X射线衍射法(WAXD)进行表征.D3为向列相液晶,与M3相同,三代(D3)、二代(D2)和一代(D1)树状物的相态由介晶基元的相态决定.D3的液晶态相行为是K79N136I132N,D3的熔点比M3的低19℃,D3的清亮点比M3的增加16℃,D3液晶态温区比M3宽35℃.     

端基含12个己氧基偶氮苯介晶基元的树状碳硅烷液晶的合成

用发散法合成了周边含12个己氧基偶氮苯介晶基元(M3)端基的树状碳硅烷(D1),并用元素分析、氢谱、激光质谱、红外光谱、紫外-可见光谱、偏光显微镜、DSC和WAXD对产物进行表征.结果表明,D1为向列相,与M3相同,树状物相态由介晶基元相态决定,D1的液晶态相行为:K92N126I124N78K,D1熔点比M3降低了24～30℃,D1清亮点比M3提高了6～8℃,D1液晶态温区比M3加宽30～38℃,在树状物中观察到S=+2的高强向错.     

三代树状碳硅烷液晶研究——端基含丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的三代树状碳硅烷(D3) 液晶,并用元素分析,核磁共振,激光解吸电离飞行时间质谱(MALDI-TOF-MS),红外、 紫外、偏光显微镜、差示扫描量热（DSC）和广角X射线衍射（WAXD）表征，D3为向 列相与M5相同，树状物相态由介晶基元相态决定，D3相行为；K79N1261116N，D3熔 点比M5降低33℃，D3清亮点比M5增加2℃，D3液晶态温区比M5加宽35℃。     

一代树状碳硅烷液晶研究－端基含12个丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含12个丁氧基偶氮苯介晶基元（M5）端基新的一代树状碳硅 烷（D1）。并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱、红外、紫外、 偏光显微镜、差示扫描量热（DSC）和广角X射线衍射（WAXD）表征。D1为向列相与 M5相同，树状物相态由介晶基元相态决定，D1相行为：K82N133I132N67K，D1熔点 比M5降低30－43℃，D1清亮点比M5增加9－11℃，D1介晶相区比M5加宽39－54℃， 观察到8条黑刷的树状物的高强向错（S＝＋2），D1清亮焓值略低于通常液晶n-i相 变清亮焓值，原因是枝化的树状物核心不易完全变形为液晶态的各向异性结构。     

端基含4个丁氧基苯介晶基元光致变色液晶树状物的合成、结构及液晶性研究

合成了周边含4个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的零代光致变色液晶树状物(D0),并用元素分析、核磁共振、基质辅助激光解吸飞行时间质谱、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热(DSC)和广角X射线衍射法(WAXD)表征.D0显示向列相,与M5相同,树状物相态由介晶基元相态所决定,D0的相行为:K138N147I145N118K.对零代(D0)、一代(D1)、二代(D2)和三代(D3)液晶树状物的清亮焓、清亮熵、熔化焓和熔化熵进行了比较.     

一代树状碳硅烷液晶研究-端基含12个4-硝基偶氮苯介晶基元

用发散法合成了以四碳硅烷为核心，周边含12个4-硝基偶氮苯介晶基元（M5） 端基的新的一代树状碳硅烷（D1）液晶，并用元素分析、核磁共振、基质辅助激光 解吸离子化飞行时间质谱（MALDI-TOF-MS）、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描 量热（DSC）和X射线衍射法（WAXD）表征。介晶基元化合物（M5）显示向列相，树 状物D1显示胆甾相和S_E相。D1的液晶相相行为是K70Ch188I185Ch58S_E-48K。     

一代树状碳硅烷液晶的光化学研究－－端基含12个4－丁氧基氮苯介晶基元

研究了新的含12个丁氧基偶氮苯介晶基元的五代树状碳硅烷液晶D1及偶氮苯介 晶基元化合物M5在氯仿、四氢呋喃、N，N－二甲基甲酰胺、乙醇和苯等溶剂中的量 子产率、反－顺光异构化、光回复异构、反／顺异构组分比、热回复异构及活化能 。D1和M5的光致变色速率常数为10~(-1)s~(-1)，而含同一偶氮基元的光致变色液 晶聚硅氧烷的光致变色速率常数为10~(-8)s~(-1)，因此，液晶树状物D1的光响应 速度比后者快10~7倍。     

一代树状碳硅烷液晶的光化学研究－－端基含12个4－丁氧基氮苯介晶基元

研究了新的含12个丁氧基偶氮苯介晶基元的五代树状碳硅烷液晶D1及偶氮苯介 晶基元化合物M5在氯仿、四氢呋喃、N，N－二甲基甲酰胺、乙醇和苯等溶剂中的量 子产率、反－顺光异构化、光回复异构、反／顺异构组分比、热回复异构及活化能 。D1和M5的光致变色速率常数为10~(-1)s~(-1)，而含同一偶氮基元的光致变色液 晶聚硅氧烷的光致变色速率常数为10~(-8)s~(-1)，因此，液晶树状物D1的光响应 速度比后者快10~7倍。     

端基含36个4-硝基偶氮苯介晶基元的二代树状碳硅烷的液晶性研究

液晶树状物的液晶相态分别为SA相、SC相、SC^*相、向列相、胆甾相、盘状相、立方相和群聚向列相,而SE相液晶树状物尚未见报道,本文报道含吸电性端基(硝基)偶氮苯介晶基元二代树状物(D2)的液晶行为。     

基于季戊四醇的三代硅碳烷液晶树状物研究

用发散法合成了季戊四醇-四烯丙基醚为核、周边含硝基偶氮苯介晶基元(M-NO₂)端基的新型三代硅碳烷液晶树状物PCSi-3G-NO₂, 并利用元素分析、红外光谱(IR)、核磁共振(NMR)、偏光显微镜(POM)、差示扫描量热法(DSC)和X射线衍射(XRD)进行表征. PCSi-3G-NO₂显示胆甾相和近晶S_E相, 其液晶相行为是K57S_E115I100Ch80S_E53K. 而对应的介晶基元M-NO₂显示向列相, 二者在熔点、清亮点和液晶态温区等方面差别较大.     

偶氮型光致变色液晶树状大分子的量子产率、异构转化率和活化能研究

研究了化合物端基含36个己氧基偶氮苯介晶基元的二代(G2)光致变色液晶树状大分子在氯仿及四氢呋喃溶液中的量子产率、吸收光强Ia、活化能E、异构转化率A/A0、热回复异构化速率常数kH及其反/顺异构体组分比A′/A′0,并与一代光致变色液晶碳硅烷树状大分子(G1)及介晶基元化合物(M3)的光化学行为进行了比较.在氯仿及四氢呋喃溶液中的量子产率的顺序均为M3>G1>G2,吸收光强Ia在氯仿及四氢呋喃溶液中的顺序分别为G2>G1>M3(氯仿)和M3>G1>G2(四氢呋喃),在氯仿及四氢呋喃溶液中活化能的顺序均为M3>G2>G1,在氯仿及四氢呋喃溶液中热回复异构化速率常数kH的顺序均为G1>G2>M3,在热回复异构化反应中的反/顺异构体组分比A′/A0′在氯仿及四氢呋喃溶液中的顺序均为G2>G1>M3.     

二代光致变色液晶树枝状碳硅烷的光化学研究——端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元

研究了新的含36个丁氧基偶氮苯介晶基元的二代光致变色液晶树枝状碳硅烷(D2)在氯仿、四氢呋喃溶液中的光强,吸收光强,摩尔消光系数,最大吸收波长,量子产率,活化能,异构转换率,光回复异构化反应平衡常数,反-顺光异构化反应速率常数,光回复异构化正/逆和热回复异构化反应速率常数.     

光致变色液晶高分子研究（Ⅲ）──含胆甾介晶基元和偶氮苯光色基元侧链共聚硅氧烷的液晶行为

用热台偏光显微镜、Ｘ射线衍射和ＤＳＣ研究了含胆甾介晶基元和偶氮苯光色基元侧链共聚硅氧烷（ＰＳＩ）的液晶性．将非介晶基元并入液晶均聚物，所得共聚物的液晶态类型不变，仍显示近晶型织构，在ＰＳＩ共聚物中，保持液晶性的含介晶基元单体的最低极限组成为６０ｍｏｌ％．在液晶性存在的范围内，共聚物的清亮点由１３０℃升至１７０℃，液晶共聚物的热稳定性随非介晶组分含量的增加而增强．     

光致变色液晶高分子研究（Ⅲ）：含胆甾介晶基元和偶氮苯…

用热台偏光显微镜、Ｘ射线衍射和ＤＳＣ研究了含胆甾介晶基元和偶氮苯光色基元侧链共聚硅氧烷（ＰＳＩ）的液晶性。将非介晶基元并入液晶均聚物，所得共聚物的液晶态类型不变，仍显示近晶型织，在ＰＳＩ共聚物中，保持液晶性的含介晶基元单体的最低极限组成为６０ｍｏｌ％．在液晶性存在的范围内，共聚物的清亮点由１３０℃升至１７０℃，液晶共聚物的热稳定性随非晶组分含量的增加而增强。     

端基含36个己氧基偶氮苯基元的二代碳硅烷光致变色液晶树状高分子的光化学研究

研究了含36个己氧基偶氮苯介晶基元的二代(G2)光致变色液晶树枝状高分子在氯仿和四氢呋喃溶液中的最大吸收波长,摩尔消光系数,反顺光异构化反应速率常数,光化学回复异构化正逆反应速率常数及其平衡常数,G2和G1的光致变色反应速率常数kp为10-1s-1,而含偶氮基元光致变色液晶聚硅氧烷的kp为10-8s-1,因此液晶树状高分子的光响应速率比后者快107倍.     

端基含4个丁氧基偶氮苯介晶基元光致变色液晶树状物的光化学研究

研究了新化合物含4个丁氧基偶氮苯介晶基元的零代(D0)光致变色液晶树状物在氯仿和四氢呋喃中的吸收光强、最大吸收波长、摩尔消光系数、量子产率、活化能、异构转换率、反-顺光异构化反应速率常数、热回复异构化反应速率常数、光回复异构化反应平衡常数及速率常数．D0的光致变色反应速率常数为10^-1s^-1,而含偶氮基元液晶聚硅氧烷的光致变色反应速率常数为10^-8s^-1,因此液晶树状物D0的光响应速度比后者快10^7倍．     

新型偶氮苯类树状液晶的合成及表征

采用酯化反应合成端基含8个甲氧基偶氮苯介晶基元的新型树状液晶分子，并用元素分析、核磁共振(NMR)、红外光谱(IR)、差示扫描量热(DSC)和偏光显微镜(POM)表征树状液晶分子的结构与液晶性。结果表明：树枝状液晶分子在76℃表现出近晶态(S)向向列态(N)转变；在137℃表现出向列态向各相同性态转变；通过偏光显微镜观察到近晶态典型的焦锥织构，向列态典型的丝状织构。