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Sr3Ga2Ge4O14晶体中Cr^3+和Cr^4+吸收光谱特性 总被引:1,自引:0,他引:1
采用提拉法生长了掺Cr的Sr3Ga2Ge4O14低温石榴石结构型单晶,测量了它的吸收光谱及其偏振特性,系统描述了该晶体在可见和近红外波段各级收带的特征,指出Cr在此晶体晶格中主要存在两种介态Cr^3+和Cr^4+,Cr^4+在近红外的吸收将影响到Cr^3+的发光。 相似文献
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关于掺杂C60超导体超导电性的一种可能机制 总被引:1,自引:0,他引:1
本对掺杂C60超导体建议了一种可能的超导机制,即巡游载流子与局域电子对相互作用,此机制对Rb3C60的超导转变、磁场穿透深度、相干长度、热力学临界磁场以及Tc处的经热跳跃作了计算,结果和实验基本一致,掺杂C60超导体与高温氧化物超导化玎比更多地表现出传统BCS超导体行为,对此进行了讨论。 相似文献
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C60/PSt复合材料的反饱和吸收与光限幅特性 总被引:4,自引:1,他引:3
报道了C60/PSt(Polystrene)复合材料的制备,测量了材料的线性吸收光谱,研究了不同线性透射率的C60/PSt材料的反饱和吸收与光限幅特性. 相似文献
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SiC晶须VLS生长机理及生长动力学研究 总被引:2,自引:1,他引:1
对VLS机理下稻壳合成SiC晶须(SiCw)及生长动力学进行了研究,结果表明,SiO2与C在高温下生成SiO的反应是SiC晶须生长的速率控制步骤;在形成晶须的催化剂作用下,SiC晶须的生长速率与SiO在催化剂熔球周围的浓度成正比;SiC晶须生长的催化选择性温度的增加而提高.复合催化剂可提高合成SiC晶须反应速率及催化选择性。 相似文献
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C60分子之间相互作用势的Kihara形式 总被引:1,自引:1,他引:0
根据C60-晶体的升华焓,晶包参数和压缩系数,求得了C60分子之间相互作用势的Kihara形式,并且讨论了简单的Lennard-Jones势不能很好地描述C60分子之间的相互作用。根据C60分子之间相互作用势的Kihara形式,计算了不同C60晶型的某些性质,讨论了C60晶体不同晶型的稳定性问题。 相似文献
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OpticalLimitingEffectofSiO_2GelContainingC_(60)¥XIAHaiping;ZHUCongshan;GANFuxi(ShanghaiInstituteofOpticsandFineMechanics,Acad... 相似文献
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研究了C60和C70分别在溶液,聚苯乙烯薄膜两种不同状态下的吸收特性,实验结果表明,C60在聚苯乙烯薄膜中的吸收峰相对于在正己烷中峰位红移2~10nm,并且发现随着C60浓度的增大,薄膜中观察到有形状规则的针状固体物质出现,C70在聚苯乙烯薄膜中吸收峰同在甲苯中峰位基本重合,我们认为:C60在聚苯乙烯薄膜中是以“微晶”形式存在,而C70在聚苯乙烯薄膜中以比C60更小的颗粒存在或以单分子形式存在。同 相似文献
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自从W.Kratschmer等用石墨电弧法制备出克量级的C60的方法问世以来,人们对C60固体的性质进行了多方面的研究。本仅就C60、C70晶体的结构,有序-无序相变和玻璃化转变的实验和理论工作做一扼要的总结。 相似文献
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用LB方法在电沉积CdS薄膜上修饰了PcCu单分子膜,并利用表面光电压谱对CdS薄膜与PcCu修饰的CdS薄膜进行了测试。结果表明,修饰后的CdS薄膜其表面光电压值提高约50倍,并且光电压响应由300-500nm扩展为300-700nm。紫外-可见偏振光谱测试表明,LB膜中酞菁环的取向角为45度。 相似文献
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Al(Ⅲ)-CAS-OP-PVA体系分光光度法测定沸石分子筛中的铝 总被引:7,自引:0,他引:7
研究了在聚乙二醇辛基苯基醚(乳化剂OP)及聚乙烯醇(PVA)存在下铝(Ⅲ)与铬天青S(CAS)的显色反应。在pH5.3的HAc-NaAc缓冲介质中,题示体系最大吸收波长λmax=612nm,对比度Δλ=102nm,表观摩尔吸光系数ε612nm=2.84×104L·mol-1·cm-1。铝(Ⅲ)浓度在0-0.60μg/mL范围内遵守比耳定律。本法已成功地用于沸石分子筛中铝含量的测定,结果良好。该法具有稳定性高、准确度好的特点。 相似文献
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报道了在C60与NH2(CH2)3Si(OC2H5)3中的胺基反应生成C60-NH2(CH2)3Si(OC2H5)3物质后引入r-缩水甘油醚基丙基三甲氧基硅烷「CH2OCHCH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)3,3-Glycidoxypropltrimethoxysilane,简称KH560」与二甲基二乙氧基硅烷「(CH3)2Si(OC2H5)2,Diethoxydimethylsilane 相似文献