GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结分布反馈二极管激光器

本文报导了电激励的GaAs-Ga1-xAlxAs双异质结分布反 馈二极管激光器,在80～100°K下实现了激光振荡。激光振荡的反馈是由GaAs有源层和P-Ga1-xAlxAs层之间的波纹界面提供的。在脉冲工作条件下,最低阈值电流密度为2.5KA/cm2。在82°K时,激光发射波长为8112A,半宽度小于0.3A。我们发现,该激光器的发射波长与温度的关系要比通常的法布里——柏罗(Fabry-Perot)激光器的为小。     

碲锡铅可调谐激光器的光谱特性

本文报道了用水平无籽晶气相生长法(HUVT)制造的可调谐二极管激光器的性能参数,在12K温度下,脉冲阈值电流密度为370A/cm~2,直流阈值电流密度为440A/cm~2.在13K温度下的电流调谐率为0.15cm~(-1)/mA.在400mA工作电流下的温度调谐率为2.3cm~(-1)/K.     

InGaAsP—InP大光腔结构激光器

本文针对影响InGaAsP-InP激光器温度特性的各种因素,设计并制备了大光腔(LOC)结构激光器.实验表明,这种结构改善了激光器的温度稳定性,获得了低阈值(宽接触型器件J_(th)≈2.5kA/cm~2),高功率(脉冲输出3W)和高特征温度(T_o=150K)器件.     

ZnSe∶Cr晶体的红外发光

在4.2°K的温度下研究了ZnSe∶Cr在4000-11000cm~(-1)光谱范围内的红外发光。共光谱含有三个有结构的带。能量最低的带峰值位于4746cm~(-1)附近,还有强度很弱的两条线,位于4964和4971cm~(-1)(T=4.2°K)。ZnSe∶Cr在4700cm~(-1)附近的红外发射,可     

CdS—CuGaS_2异质二极管的绿色场致发光

用气相淀积方法,在P型CuGaS_2上外延n型CdS,制成了异质二极管。典型的二极管在正向偏压下发绿光,外部量子效率在77°K时为0.1％,在室温时为0.001％。辐射复合是由于电子注入到CuGaS_2中引起的。     

16μm连续波PbSnSe半导体激光器的调谐特性及其在高分辨率光谱中的应用

本文报道了16μm连续波PbSnSe二极管激光器的调谐特性.以该激光器作为红外光源,测量了CO_2在618cm~(-1)、634cm~(-1)、667cm~(-1),N_2O在618cm~(-1)、588cm~(-1)等频率附近的吸收光谱.这些结果表明,激光器的模质量高,单模调谐范围宽.     

光谱角度特性良好的叠层暖白光有机电致发光器件的研究

采用CsN_3:Bphen/Al/HAT-CN为电荷生成单元,制备了光谱高度稳定的高效暖白光有机电致发光器件.正面出射时,暖白光器件的最大电流效率和功率效率分别为45.4cd/A、28.5lm/W;当工作电流密度从10mA/cm~2增加到30mA/cm~2时,器件色坐标几乎不变;相对色温由3 135K变至3 147K,均在暖白光范围内,这可有效避免照明器件的蓝光伤害.当观察角度由0增加到60°时,器件光谱峰值波长没有明显移动,色坐标变化为(0.02,0.03),且光强分布接近理想的朗伯特体,呈现出良好的角度特性.     

1.55μm大光腔激光器

高功率1.55μm激光器长期以来一直为人们所重视和追求.本文通过合理设计,采用适宜的生长技术,首次成功地制备了大光腔结构,从而实现了脉冲输出功率高达2W以上的激光器.器件还具有阈值电流低(宽接触型结构的J_(th)≤2.7kA/cm~2),温度稳定性高(T_0≈130K)的特点,同时具有良好的光谱模式,是这一波段的理想光源.     

F8BT∶P3HT共混薄膜放大自发辐射的温度效应

研究了温度对聚合物poly(9,9-dioctylfluorene-co-benzothiadiazole)(F8BT)和poly(3-hexylthiophene)(P3HT)共混薄膜的放大自发辐射(ASE)的影响。在80~320 K温度范围测试了不同P3HT质量比的共混聚合物薄膜和纯F8BT薄膜的ASE特性。在室温条件下,共混聚合物的阈值随着P3HT所占比例的增加先降低后升高。当P3HT比例约为20%时,阈值最低约为2.59×10~3W/cm~2。当温度从320 K下降到80 K时,纯F8BT薄膜的ASE阈值光功率由5.36×10~3W/cm~2下降到4.15×10~3W/cm~2,P3HT质量比为20%的共混薄膜的ASE阈值光功率由2.84×10~3W/cm~2下降到2.03×10~3W/cm~2。在一特定泵浦光功率(5.29×10~3W/cm~2)下,当温度由320 K下降至80 K时,ASE强度约提高4倍。随着温度的降低,混合物薄膜的ASE峰位红移,移动达12 nm。     

InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的温度电压特性

研究了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器在不同温度下的电流-电压特性,并建立了一个理论模型进行描述。实验所用激光器腔长为0.3 mm,脊条宽度为3μm。实验测量得到该激光器在15～100 K的电压温度系数(dV/dT)为7.87～8.32 mV/K,在100～300 K的电压温度系数为2.93～3.17 mV/K。由理论模型计算得到该激光器在15～100 K的电压温度系数为2.56～2.75 mV/K,在100～300 K的电压温度系数为3.91～4.15 mV/K。在100～300 K,实验测量与理论模型计算得出的电压温度系数接近,理论模型能较好地模拟激光器的温度电压特性;但在15～100 K相差较大,还需要进一步完善。     

甲氧基(CH_3O)的红外吸收光谱研究

为研究甲氧基CH_3O的红外吸收光谱,以Nd:YAG激光器为光源,使用间质隔离法对p-H_2间质中的CH_3ONO进行光解,在光解产物中观测到CH_3O和NO的红外吸收谱.其中CH_3O红外吸收谱线及分析所得的各自振动模式分别为:689.3/694.6 cm~(-1),振动模式为电子态E1/2a1对称性的ν6;945.9/951.7cm~(-1),振动模式为电子态E1/2a2对称性的ν6;1041.8 cm~(-1),振动模式为电子态E3/2对称性的ν2;1224.7cm~(-1),振动模式为电子态E3/2e对称性的ν6;1235.5 cm~(-1),振动模式为电子态E1/2e对称性的ν6;1347.7cm~(-1),振动模式为电子态E1/2a1对称性的ν5;1365.4 cm~(-1),振动模式为电子态E3/2对称性的ν2;1427.5cm~(-1),振动模式为电子态E1/2对称性的ν2;1522.3 cm~(-1)振动模式为电子态E1/2e对称性的ν5.     

Nb_3Sn超导带材在高磁场下的临界电流

本文报告了扩散Nb_3Sn和气相沉积Nb_3Sn带材样品在4.2K、高磁场(～22T)下的临界电流测量结果,表明这两种材料具有良好的超导性能,在12T下,其Jc(Nb_3Sn)分别为3.0×10~3A/cm~2及2.9×10~5A/cm~2;在15T下分别为1.4×10~5A/cm~2及6.0×10~4A/cm~2.文中对测量结果进行了简要评价.     

用Al蒸汽扩散法制备ZnTe MIS场致发光二极管

在没有表面腐蚀的Zn气氛下,以碘作为输运气体,将Al蒸汽扩散到ZnTe内,得到了高电阻率(300°K时为10~(11)～10~(12)Ωcm)层。用这种方法制备了雪崩MIS场致发光二极管。二极管的光谱,在300°K时是黄色,在77°K时是绿色或黄绿色。黄色的外部量子效率为0.1～0.2％,绿色为10％,黄绿色为20％。黄色和绿色场致发光的出现是由于双倍离化的Zn空位和一个未知的施主组成的受主-施主对,因此黄绿色是掺Al ZnTe的特征。     

从In_(1-x)Ga_xP气相生长的p-n结发出的橙色激光和明亮的场致发光

已经制成气相生长的结型In_(1-x)Ga_xP激光二极管。在80°K下能发出波长为6105A的相干光,其阀值电流密度为4000～6000A/cm~2。这是至今报导的半导体 p—n结发出波长最短的激光,也是发射橙色相干光的首例。由气相生长法制成的In_(1-x)Ga_xP发光二极管在室温下发出橙光和红光,其外量子效率超过0.1％。     

850nm高亮度锥形半导体激光器的光电特性

采用激射波长为850 rm的AlGaInAs/AlGaAs梯度折射率波导分别限制增益量子阱结构的外延片,设计并制备了具有条形结构和锥形结构的半导体激光器.在输出功率同为1 W时,锥形激光器的发散角、光束传播因子和亮度分别为4°、2.8和9.9 MW·cm-2·sr-1,远好于条形激光器的6°、9.2和3.0 MW·cm...     

Two-dimensional electron gas characteristics of InP-based high electron mobility transistor terahertz detector

The samples of In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As two-dimensional electron gas(2DEG)are grown by molecular beam epitaxy(MBE).In the sample preparation process,the In content and spacer layer thickness are changed and two kinds of methods,i.e.,contrast body doping andδ-doping are used.The samples are analyzed by the Hall measurements at 300 Kand 77 K.The In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As 2DEG channel structures with mobilities as high as 10289 cm~2/V·s(300 K)and42040 cm~2/V·s(77 K)are obtained,and the values of carrier concentration(Nc)are 3.465×10~(12)/cm~2and 2.502×10~(12)/cm~2,respectively.The THz response rates of In P-based high electron mobility transistor(HEMT)structures with different gate lengths at 300 K and 77 K temperatures are calculated based on the shallow water wave instability theory.The results provide a reference for the research and preparation of In P-based HEMT THz detectors.     

大面积激光化学沉积的WO_3膜层的特性

本文报道了首次用XeCl准分子激光器大面积地沉积WO_3膜层,膜层面积为1cm~2,沉积速率为41A/pulse,并测量了膜层的组分,电阻率等特性。     

2.9THz束缚态向连续态跃迁量子级联激光器研制

采用气源分子束外延技术生长了GaAs/AlGaAs束缚态向连续 态跃迁的太赫兹量子级联激光器材料, 基于半绝缘等离子体波导工艺制作了太赫兹量子级联激光器. 测量了激光器的发射光谱和功率-电流-电压关系曲线, 研究了器件的激光特性. 器件激射频率约2.95 THz, 脉冲模式下, 最高工作温度为67 K. 连续波模式下, 阈值电流密度最低为230 A/cm², 最大光输出功率1.2 mW, 最高工作温度为30 K. 关键词： 太赫兹 量子级联激光器 分子束外延 波导     

C-mount封装激光器热特性分析与热沉结构优化研究

为了降低单管半导体激光器的结温、提高器件的散热效果,基于C-mount热沉的热特性分析提出了一种优化的台阶热沉结构,研究了单管激光器结温和腔面侧向温度分布曲线的影响。在热沉温度298 K和连续输出功率10 W的条件下,腔长为1.5 mm的典型C-mount封装结构激光器的结温为343.6 K,热阻为4.6 K/W。通过在典型C-mount热沉中引入台阶结构,使封装激光器的结温降低为333.8 K,热阻减小到3.5 K/W。计算表明,其输出功率可提高近20%。     

2μm InGaAsSb/AlGaAsSb双波导半导体激光器的结构设计

为了提高2μm InGaAsSb/AlGaAsSb半导体激光器的最大输出功率,减小远场垂直发散角并实现单模稳定输出,在非对称波导结构的基础上设计了具有双波导结构的2μm InGaAsSb/AlGaAsSb半导体激光器.同时,利用相关的物理模型及SimLastip程序语言构建了InGaAsSb/AlGaAsSb Macro文件,利用SimLastip软件对具有不同结构的2μm InGaAsSb/AlGaAsSb半导体激光器进行了数值模拟分析.研究结果表明,双波导结构可以将半导体激光器的有源区限制因子由0.019 2减小至0.011 3,器件的最大输出功率提高了1.7倍,远场垂直发散角由57°减小到48°,器件性能得到了改善.