二代树状碳硅烷液晶研究I.端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含36个丁氧基偶氮苯介晶基元（M5）端基新的二代树状碳硅 烷液晶（D_2），并用元素分析，氢谱，激光质谱，红外，紫外，偏光显微镜，DSC和WAXD法表 征D2为向列相，与M5相同，二代树状物相态由介晶基定．D2液晶态相行为是 K85N107I103N69K，其熔点比M5降低27-41℃，清亮点比M5降低17-18宽10-23℃．二 代碳硅烷（D2）与一代碳硅烷（D1）相比熔点增加2-3℃，清亮点降低26-29℃，液 晶态温区减少℃．在二代树状物中观察到S＝＋3／2的高强向错．     

二代树状碳硅烷液晶研究Ⅰ.端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含36个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的二代树状碳硅烷液晶(D2),并用元素分析,氢谱,激光质谱,红外,紫外,偏光显微镜,DSC和WAXD法表征.D2为向列相,与M5相同,二代树状物相态由介晶基元相态决定.D2液晶态相行为是K85N107I103N69K,其熔点比M5降低27～41℃,清亮点比M5降低17～18℃,液晶态温区比M5加宽10～23℃.二代碳硅烷(D2)与一代碳硅烷(D1)相比熔点增加2～3℃,清亮点降低26～29℃,液晶态温区减少29～31℃.在二代树状物中观察到S=+3/2的高强向错.     

二代树状碳硅烷液晶研究——端基含36个己氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含36个己氧基偶氮苯介晶基元(M3)端基的新的二代树状碳硅烷液晶(D2),并用元素分析、氢谱、激光质谱、红外光谱、紫外-可见光谱、偏光显微镜,DSC和WAXD法进行表征.D2为向列相,与M3相同.D2液晶态相行为是K90N105I1l3N75K,D2熔点比M3降低2633℃,D2清亮点比M3降低315℃,D2液晶态温区比M3加宽1130℃.D2和一代树状物D1的相态由介晶基元相态决定.D2熔点比D1降低23℃.D2清亮点比D1降低1121℃,D2液晶态温区比D1减少819℃.     

一代树状碳硅烷液晶研究－端基含12个丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含12个丁氧基偶氮苯介晶基元（M5）端基新的一代树状碳硅 烷（D1）。并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱、红外、紫外、 偏光显微镜、差示扫描量热（DSC）和广角X射线衍射（WAXD）表征。D1为向列相与 M5相同，树状物相态由介晶基元相态决定，D1相行为：K82N133I132N67K，D1熔点 比M5降低30－43℃，D1清亮点比M5增加9－11℃，D1介晶相区比M5加宽39－54℃， 观察到8条黑刷的树状物的高强向错（S＝＋2），D1清亮焓值略低于通常液晶n-i相 变清亮焓值，原因是枝化的树状物核心不易完全变形为液晶态的各向异性结构。     

三代树状碳硅烷液晶研究——端基含丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的三代树状碳硅烷(D3) 液晶,并用元素分析,核磁共振,激光解吸电离飞行时间质谱(MALDI-TOF-MS),红外、 紫外、偏光显微镜、差示扫描量热（DSC）和广角X射线衍射（WAXD）表征，D3为向 列相与M5相同，树状物相态由介晶基元相态决定，D3相行为；K79N1261116N，D3熔 点比M5降低33℃，D3清亮点比M5增加2℃，D3液晶态温区比M5加宽35℃。     

端基含108个己氧基偶氮苯介晶基元三代树状碳硅烷液晶研究

用发散法合成以四碳硅烷为核心,周边含108个己氧基偶氮苯介晶基元(M3)端基的三代树状碳硅烷(D3)液晶,并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱、红外光谱、紫外光谱、偏光显微镜、差示扫描量热(DSC)和X射线衍射法(WAXD)进行表征.D3为向列相液晶,与M3相同,三代(D3)、二代(D2)和一代(D1)树状物的相态由介晶基元的相态决定.D3的液晶态相行为是K79N136I132N,D3的熔点比M3的低19℃,D3的清亮点比M3的增加16℃,D3液晶态温区比M3宽35℃.     

端基含12个己氧基偶氮苯介晶基元的树状碳硅烷液晶的合成

用发散法合成了周边含12个己氧基偶氮苯介晶基元(M3)端基的树状碳硅烷(D1),并用元素分析、氢谱、激光质谱、红外光谱、紫外-可见光谱、偏光显微镜、DSC和WAXD对产物进行表征.结果表明,D1为向列相,与M3相同,树状物相态由介晶基元相态决定,D1的液晶态相行为:K92N126I124N78K,D1熔点比M3降低了24～30℃,D1清亮点比M3提高了6～8℃,D1液晶态温区比M3加宽30～38℃,在树状物中观察到S=+2的高强向错.     

一代树状碳硅烷液晶研究-端基含12个4-硝基偶氮苯介晶基元

用发散法合成了以四碳硅烷为核心，周边含12个4-硝基偶氮苯介晶基元（M5） 端基的新的一代树状碳硅烷（D1）液晶，并用元素分析、核磁共振、基质辅助激光 解吸离子化飞行时间质谱（MALDI-TOF-MS）、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描 量热（DSC）和X射线衍射法（WAXD）表征。介晶基元化合物（M5）显示向列相，树 状物D1显示胆甾相和S_E相。D1的液晶相相行为是K70Ch188I185Ch58S_E-48K。     

端基含4个丁氧基苯介晶基元光致变色液晶树状物的合成、结构及液晶性研究

合成了周边含4个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的零代光致变色液晶树状物(D0),并用元素分析、核磁共振、基质辅助激光解吸飞行时间质谱、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热(DSC)和广角X射线衍射法(WAXD)表征.D0显示向列相,与M5相同,树状物相态由介晶基元相态所决定,D0的相行为:K138N147I145N118K.对零代(D0)、一代(D1)、二代(D2)和三代(D3)液晶树状物的清亮焓、清亮熵、熔化焓和熔化熵进行了比较.     

一代树状碳硅烷液晶的光化学研究－－端基含12个4－丁氧基氮苯介晶基元

研究了新的含12个丁氧基偶氮苯介晶基元的五代树状碳硅烷液晶D1及偶氮苯介 晶基元化合物M5在氯仿、四氢呋喃、N，N－二甲基甲酰胺、乙醇和苯等溶剂中的量 子产率、反－顺光异构化、光回复异构、反／顺异构组分比、热回复异构及活化能 。D1和M5的光致变色速率常数为10~(-1)s~(-1)，而含同一偶氮基元的光致变色液 晶聚硅氧烷的光致变色速率常数为10~(-8)s~(-1)，因此，液晶树状物D1的光响应 速度比后者快10~7倍。     

一代树状碳硅烷液晶的光化学研究－－端基含12个4－丁氧基氮苯介晶基元

研究了新的含12个丁氧基偶氮苯介晶基元的五代树状碳硅烷液晶D1及偶氮苯介 晶基元化合物M5在氯仿、四氢呋喃、N，N－二甲基甲酰胺、乙醇和苯等溶剂中的量 子产率、反－顺光异构化、光回复异构、反／顺异构组分比、热回复异构及活化能 。D1和M5的光致变色速率常数为10~(-1)s~(-1)，而含同一偶氮基元的光致变色液 晶聚硅氧烷的光致变色速率常数为10~(-8)s~(-1)，因此，液晶树状物D1的光响应 速度比后者快10~7倍。     

端基含36个4-硝基偶氮苯介晶基元的二代树状碳硅烷的液晶性研究

液晶树状物的液晶相态分别为SA相、SC相、SC^*相、向列相、胆甾相、盘状相、立方相和群聚向列相,而SE相液晶树状物尚未见报道,本文报道含吸电性端基(硝基)偶氮苯介晶基元二代树状物(D2)的液晶行为。     

基于季戊四醇的三代硅碳烷液晶树状物研究

用发散法合成了季戊四醇-四烯丙基醚为核、周边含硝基偶氮苯介晶基元(M-NO₂)端基的新型三代硅碳烷液晶树状物PCSi-3G-NO₂, 并利用元素分析、红外光谱(IR)、核磁共振(NMR)、偏光显微镜(POM)、差示扫描量热法(DSC)和X射线衍射(XRD)进行表征. PCSi-3G-NO₂显示胆甾相和近晶S_E相, 其液晶相行为是K57S_E115I100Ch80S_E53K. 而对应的介晶基元M-NO₂显示向列相, 二者在熔点、清亮点和液晶态温区等方面差别较大.     

2,3-二氟代联苯类液晶化合物的合成与性能

以4-烷基环己基甲酸和4-溴-2,3-二氟苯酚为原料,经格氏、黄鸣龙还原、碘代、芳基硼酸化、Suzuki偶联、威廉姆逊和酯化等反应,合成24种侧向二氟取代联苯类液晶化合物,总收率4.2%～8.7%,产物的分子结构经核磁（1H NMR,13C NMR）、红外和质谱确认。 利用差示扫描量热仪（DSC）和偏光显微镜（POM）对目标化合物进行了液晶性能测试。 结果表明,烷基链的长度不仅影响化合物的熔点和清亮点,还影响液晶相态变化;端烯可以降低化合物的熔点（降低了3.7 ℃）,提高清亮点（提高了24.8 ℃）,拓宽向列相区间（由54.1 ℃拓宽到82.6 ℃）;酯基的引入可以提高清亮点,有助于消除近晶相。 该系列化合物在垂直取向(VA)和平面转换(IPS)显示模式中具有潜在的应用前景。     

光致变色液晶高分子研究（Ⅲ）──含胆甾介晶基元和偶氮苯光色基元侧链共聚硅氧烷的液晶行为

用热台偏光显微镜、Ｘ射线衍射和ＤＳＣ研究了含胆甾介晶基元和偶氮苯光色基元侧链共聚硅氧烷（ＰＳＩ）的液晶性．将非介晶基元并入液晶均聚物，所得共聚物的液晶态类型不变，仍显示近晶型织构，在ＰＳＩ共聚物中，保持液晶性的含介晶基元单体的最低极限组成为６０ｍｏｌ％．在液晶性存在的范围内，共聚物的清亮点由１３０℃升至１７０℃，液晶共聚物的热稳定性随非介晶组分含量的增加而增强．     

端基含4个丁氧基偶氮苯介晶基元光致变色液晶树状物的光化学研究

研究了新化合物含4个丁氧基偶氮苯介晶基元的零代(D0)光致变色液晶树状物在氯仿和四氢呋喃中的吸收光强、最大吸收波长、摩尔消光系数、量子产率、活化能、异构转换率、反-顺光异构化反应速率常数、热回复异构化反应速率常数、光回复异构化反应平衡常数及速率常数．D0的光致变色反应速率常数为10^-1s^-1,而含偶氮基元液晶聚硅氧烷的光致变色反应速率常数为10^-8s^-1,因此液晶树状物D0的光响应速度比后者快10^7倍．     

新型吡啶环液晶化合物的合成及性能

以2-溴-5-吡啶甲醛和5-溴-2-吡啶甲醛为起始原料,合成出4种新型含吡啶环二联芳基和三联芳基化合物,总收率20%~30%。 热性能研究结果表明,二联芳基化合物未呈现出液晶相,而三联芳基化合物在加热和冷却过程中均表现向列相液晶态,且当氮原子位于正丁基的间位时,其与不含氮原子的三联苯化合物(2c)相比,熔点降低了11.7 ℃,清亮点升高6.3 ℃,液晶相区拓宽了18 ℃,表现出了良好的热性能。 光电性能测试结果表明,用吡啶环替代苯环后,化合物的光学各向异性值均较参比化合物(1c或2c)增大;当N原子位于正丁基的邻位的化合物,介电各向异性值较参比化合物增大,且液晶的阈值电压、饱和电压均降低。 通过对三环同分异构体化合物的不同构象能量态的计算分析,解释了介电各向异性的变化规律。     

偶氮型光致变色液晶树状大分子的量子产率、异构转化率和活化能研究

研究了化合物端基含36个己氧基偶氮苯介晶基元的二代(G2)光致变色液晶树状大分子在氯仿及四氢呋喃溶液中的量子产率、吸收光强Ia、活化能E、异构转化率A/A0、热回复异构化速率常数kH及其反/顺异构体组分比A′/A′0,并与一代光致变色液晶碳硅烷树状大分子(G1)及介晶基元化合物(M3)的光化学行为进行了比较.在氯仿及四氢呋喃溶液中的量子产率的顺序均为M3>G1>G2,吸收光强Ia在氯仿及四氢呋喃溶液中的顺序分别为G2>G1>M3(氯仿)和M3>G1>G2(四氢呋喃),在氯仿及四氢呋喃溶液中活化能的顺序均为M3>G2>G1,在氯仿及四氢呋喃溶液中热回复异构化速率常数kH的顺序均为G1>G2>M3,在热回复异构化反应中的反/顺异构体组分比A′/A0′在氯仿及四氢呋喃溶液中的顺序均为G2>G1>M3.     

光致变色液晶高分子研究（Ⅲ）：含胆甾介晶基元和偶氮苯…

用热台偏光显微镜、Ｘ射线衍射和ＤＳＣ研究了含胆甾介晶基元和偶氮苯光色基元侧链共聚硅氧烷（ＰＳＩ）的液晶性。将非介晶基元并入液晶均聚物，所得共聚物的液晶态类型不变，仍显示近晶型织，在ＰＳＩ共聚物中，保持液晶性的含介晶基元单体的最低极限组成为６０ｍｏｌ％．在液晶性存在的范围内，共聚物的清亮点由１３０℃升至１７０℃，液晶共聚物的热稳定性随非晶组分含量的增加而增强。     

新型低聚噻吩衍生物的设计、合成及其液晶性能的研究

设计、合成了一系列新型低聚噻吩衍生物N,N’-双烷烃基-5,5’-二溴基-2 ,2’：5’,2’-三噻吩-4,4’-二酰胺[N,N’-dialkyl-5,5’-dibromo-2,2’:5 ’,2’-terthiophene-4,4’-dicarboxamide](DNCnDBr3T,n=5,8,6,18)。示差扫描 量热法（DSC）测定的结果及偏光光学显微镜观察的结果显示,DNC18DBr3T, DNC16DBr3T,DNC8DBr3T具有近晶A形液晶性质,DNC5DBr3T不具有液晶性质。为了探 讨分子间氢链对液晶形成的影响,设计、合成了新型低聚噻衍生物4,4“-双烷烃 酯-5,5“-二溴基-2,2’:5’,2’-三噻吩[4,4’-bis(alkyloxycarbonyl)-5,5’ -dibromo-2,2’:5’,2’-terthiophene](DOCnDBr3T,n=5,8,16,18).测定和观察的 结果发现,DOCnDBr3T(n=5,8,16,18）不具有液晶的结果。这个结果表明,酰胺基 的存在于液晶的形成起着重要的作用。测定DNC18DBr3T在结晶状态和液晶状态下的 红外光谱,进一步证实了部分分子间氢键对于液晶的形成起着重要的作用。