磷钼钨杂多酸-3,3′,5,5′-四甲基联苯胺电荷转移复合物的形成与光谱研究

采用紫外一可见光谱和红外光谱法研究了磷钼钨杂多酸和-3，3′，5，5′-四甲基联苯胺形成的电荷转移复合物的性质，结果表明杂多阴离子为Keggin结构，电荷转移复合物的特征吸收波长为660nm，在聚乙烯醇介质中，溶液吸光度与钼的浓度呈线性相关。     

磷钼酸作为光催化还原剂制备纳米金溶胶

选择二甲基甲酰(DMF)为电子牺牲剂,以磷钼杂多酸作为光催化还原剂制备了纳米金溶胶,由于DMF与磷钼杂多阴离子间的电荷转移作用,导致钼系杂多酸可成为制备纳米金溶胶的光催化还原剂.实验结果表明,紫外光照作用及光照时间、DMF用量等是影响纳米金的形成和形貌的主要因素,选择适宜的合成条件可以得到粒径均匀、分散性好的纳米金溶胶.     

钨磷(硅)酸磺胺盐电荷转移配合物的合成、光谱学与抗菌活性

以钨磷(硅)酸和磺胺为原料在水相中合成了2个Keggin结构杂多酸电荷转移配合物(C6H9N2O2S)3PW12O40.6H2O(SPW12)和(C6H9N2O2S)4SiW12O40.5H2O(SSiW12)。经元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱、热重表征,确定了标题配合物的结构组成。X射线粉末衍射表明,标题配合物具有新的物相结构,为未见文献报道的杂多化合物;紫外光谱说明,配合物中磺胺阳离子与杂多阴离子之间存在电荷转移作用;热重-差示扫描量热分析结果显示2个标题配合物失重均分4步进行,分别在272.8℃和330.4℃开始分解。抗菌实验表明,标题配合物均具有优良的抗菌活性,其中SPW12对大肠杆菌、金黄色葡萄球菌的抑菌率分别达73.28%和99.36%。     

磷钨钼-罗丹明G-OP法测定痕量磷

研究了钨酸盐和还原剂对溶液中罗丹明 G(Rh G) -杂多阴离子缔合物稳定性的影响。结果表明 ,含钨杂多阴离子的形成、杂多阴离子被还原以及 OP的加入都能提高离子缔合物的稳定性。利用 Rh G-磷钨钼杂多酸 - OP的快速、稳定、灵敏的显色体系 ,建立了一种水相测磷的新方法。该离子缔合物在 5 88nm处有最大吸收 ,缔合物的表观摩尔吸光系数 ε=1.1× 10 5L· mol-1· cm-1。体系在 0— 6 .0 μg/ 5 0 m L范围内符合比耳定律     

三元杂多酸-甲基紫超分子化合物的合成及光谱研究

在水溶液条件下合成了一系列具有Keggin结构的PWxV12 -x MV(x =2 ,4 ,6 ,8,10 )超分子化合物 (PWxV12 -x为具有不同配比的磷钨矾三元杂多酸 ,MV为甲基紫 ) ,并对其紫外光谱 ,红外光谱和荧光光谱进行了研究。结果表明 ,杂多酸阴离子上的端氧与甲基紫阳离子上的N 间通过配合作用相互连结而形成超分子化合物。超分子化合物中仍保持有杂多阴离子的Keggin结构以及甲基紫的基本结构。且随着V的含量增加 ,杂多阴离子的氧化能力增强 ,阴离子PWxV12 -x和阳离子MV的相互作用增强 ,νas(M =Ot) ,νas(M Ob M )和νas(M Oc M )的FTIR吸收峰分别从 96 6 ,886和 80 4cm-1变化至 95 5 ,875和 786cm-1;紫外吸收峰也从 5 19nm移至 5 0 6nm ;用 5 30nm的光激发的荧光发射峰也从 6 92移至 6 4 4nm ,与PWxV12 -x和MV间配合作用的强弱呈现了很好的对应关系。     

具有Keggin结构的多元杂多化合物的合成与光谱研究Ⅱ

本文合成了一些具有Keggin结构的Si-V-Mo-W四元杂多阴离子[SiVxMoyW12-x-6O40]^(4 x)-的化合物（其中，x=1,2和3），并对其进行了红外光谱研究，可看到化合物的M＝Od，M－Ob-M和M－Oc－M的红外伸缩振动峰随着V原子数目的增加而红移；而钨原子数目的增加一般使之蓝移，因此推测出杂多化合物的酸性随着V数目的增加而减, 应性能则相反。这种变化规律与[PVxMoyW12-x-yo40]^(3 x)-相似。另外，可看到P系列的多元杂多酸（或杂多化合物）的配性大于相应的Si系列的酸性。     

Dawson结构磷钨钒杂多酸有机铵盐的合成及光谱研究

以偏钒酸铵、磷酸二氢钠和钨酸钠为原料,调节溶液的pH值为4,控制反应时间为10 h,合成了三钒取代的Dawson结构磷钨钒杂多酸,然后以化学反应计量的5倍量加入抗衡离子K+,制备了母体杂多酸盐K9P2W15V3O62·41H2O。在不断的搅拌下,将母体杂多酸盐的酸性溶液缓慢滴加到十六烷基三甲基溴化铵溶液中,合成了目标化合物磷钨钒杂多酸有机铵盐(C19H42N)6H3[P2W15V3O62]。经元素分析、红外光谱、X射线粉末衍射、差热-热重等手段进行了表征,表明目标化合物仍保持Dawson结构,为未见文献报道的杂多化合物。     

一组Dawson型多金属氧酸盐和相应的有机-无机杂多化合物的超快非线性光学响应

通过时间分辨率为115fs的超快光克尔方法测量了多金属氧酸盐K8[P2Mo4W13M(H2O)O61] (M=Mn, Co, Ni, Cu, Zn)和相应的有机-无机杂多化合物(C19H25N2)7K3[P2Mo4W13MO62]在830nm处的三阶非线性光学性质。多金属氧酸盐阴离子和相应的杂多化合物都表现出很大的三阶非线性,其中M=Cu的取代物的非线性系数要比其他小一个数量级。通过比较有机-无机杂多化合物和生成前者的反应物的值,发现杂多化合物中的电荷转移效应极大的增强了三阶非线性光学性能。     

杂多酸(蓝)分光光度法在测定痕量元素中的研究进展

杂多酸能被还原为有颜色的杂多蓝,结合分光光度法,可对痕量元素进行准确的分析。目前,杂多酸分光光度法作为一种分析技术,具有精度高、操作简便、分析速度快等优点,在痕量分析领域得到了迅速发展。文章综述了杂多酸在测定痕量元素P, As, Si和V中的应用及研究进展。方法主要包括钼蓝法、杂多酸-碱性染料法、荧光分光光度法、流动注射分光光度法、原子吸收分光光度法、激光热透镜分光光度法等,并对这些方法进行了比较分析。     

一组Dawson型多金属氧酸盐和相应的有机-无机杂多化合物的超快非线性光学响应(英文)

通过时间分辨率为115fs的超快光克尔方法测量了多金属氧酸盐K₈[P₂Mo₄W₁₃M（H₂O）O₆₁]（M=Mn,Co,Ni,Cu,Zn）和相应的有机-无机杂多化合物(C₁₉H₂₅N₂)₇K₃[P₂Mo₄W₁₃MO₆₂]在830 nm处的三阶非线性光学性质.多金属氧酸盐阴离子和相应的杂多化合物都表现出很大的三阶非线性,其中M=Cu的取代物的非线性系数要比其他小一个数量级.通过比较有机-无机杂多化合物和生成前者的反应物的γ值,发现杂多化合物中的电荷转移效应极大的增强了三阶非线性光学性能.     

K7[P2Mo4W13M(H2O)O61]及其有机复合材料的合成及光谱研究

用降解法制得了Dawson结构铬、铁取代的磷钼钨酸钾,并将其与溴化(E)-N-丁基-4-(2-(4-二甲氨基苯基)乙烯基)吡啶反应制备了有机复合材料.通过元素分析和TG-DTA确定了配合物的组成分别为K7[P2Mo4W13M(H2O)O61](M=Cr(1),Fe(2))和(C19H25N2)6K3[P2Mo4W13MO62](M=Cr(3),Fe(4)).利用红外光谱、紫外-可见光谱、固体漫反射紫外-可见-近红外光谱、X射线光电子能谱以及荧光光谱对上述化合物进行了表征,并研究了复合材料中无机与有机组分间的相互作用及其荧光性质.     

Dawson结构钼钒磷电荷转移配合物的合成及光谱研究

由(E)-N-丁基-4-(2-(4-二甲氨基苯基)乙烯基)吡啶溴化物与Dawson结构钼钒磷杂多酸合成了一系列组成为(C₁₉H₂₅N₂)₆H_n[P₂Mo_18-nV_nO₆₂]的有机-无机电荷转移配合物。用红外光谱、紫外-可见光谱、固体漫反射可见-近红外光谱、X射线光电子能谱等研究了阴阳离子在固态和溶液中的相互作用。结果表明,该系列固体配合物中阴阳离子间存在着较强的相互作用。     

Effect of the third component on charge transfer character in ternary organic solar cells with a cascade-type electronic structure

By incorporating a third component into the host donor/acceptor organic components, we theoretically investigate the effects of its electronic structure and spatial location on charge transfer character. It is found that both of the two factors can modulate the distribution of transferred charges, and thus change the role of the third component in charge transfer (i.e., electron donor or acceptor). The binding energy of the formed charge transfer (CT) state is also determined by the two factors. Especially, we find an optimized spatial location of the third component, at which the binding energy of the formed CT state has a minimum value. It suggests that charge separation can be promoted. These findings will provide us a clear direction on how to optimize the electronic structure and spatial location of the third component to further improve the charge transfer and separation in ternary organic solar cells.     

X-ray determination of charge transfer in solar grade GaAs

The magnitude and direction of charge transfer in GaAs at various temperatures have been analyzed using our precise and extensive single-crystal X-ray diffraction data. The charge transfer parameters were obtained by employing a quadratic equation method and precise X-ray structure factors collected at 170, 200, 250 and 300 K. A transfer of charge from gallium atom to arsenide atom is evidenced at all the above temperatures.     

CCD中激光光斑的全饱和单侧拖尾现象

利用532 nm连续激光辐照以东芝TCD1200D型线阵CCD为图像传感器的扫描相机进行实验,在相机输出视频中发现了光斑拖尾的现象,拖尾有限长、全饱和并且仅在光斑一侧。分析排除了光分布造成拖尾的可能原因。其单侧、有限长的特点不符合像素溢出或漏光造成的拖尾,而与转移损失造成的拖尾一致。但其全饱和的特点,不符合目前转移损失率的常数模型。针对当前体沟道CCD的内部结构和工作原理,提出了一种转移损失率随电荷量变化的模型,对新发现的全饱和单侧拖尾进行了解释。     

Structure,charge transfer,and superconductivity of M-doped phenanthrene(M = Al,Ga, and In): A comparative study of K-doped cases

Aromatic hydrocarbons doped with K have been shown to be potential high-temperature superconductors. To investigate the doping effects of trivalent metals(Al, Ga, and In) that have a smaller radii than K, we studied the crystal structure, stability,charge transfer, band structure, and superconductivity of trivalent metal-doped phenanthrene via first-principles calculations.Doping with Al/Ga/In considerably differs from doping with K and cannot be simply regarded as a linear developmental change in the structural and electronic characteristics caused by a change in the valence electron numbers. Al/Ga/In atoms are difficult to dope into the intralayer region, and the charge transfer is close to zero, which is far less than the effect of K doping. We found that the metallization of the Al/Ga/In-doped system originates from the formation of gap states instead of charge transfer. The weak superconductivity obtained in the Al/Ga/In-doped system is also different from the K-doped system. These results are helpful in terms of understanding the structure and superconductivity of metal-doped aromatic superconductors.     

Two-band conduction of Si3N4

The kinetics of charge accumulation in a metal-silicon nitride-silicon oxide-semiconductor structure has been investigated theoretically. The results of the performed calculation have been compared with experimental data. For agreement between theory and experiment, the calculation should take into account both the electron transfer and the hole transfer simultaneously. The calculations have predicted that the charge carrier capture cross section should be less than 10^?14 cm².     

非晶态稀土合金Tb-Co的电子结构

用X射线光电子能谱研究了非晶态稀土合金Tb_xCo_1-x的电子结构。比较晶态和非晶态:他们的导带、4f带以及芯态谱没有明显差别,说明Tb-Co之间电荷的转移对两种状态没有什么区别,因而两种状态下磁性的差别不能解释为电荷转移量的不同。 关键词：     

CCD强光串扰效应的串扰线缺口现象及其机制

在激光辐照行间转移CCD相机的实验中发现了关于CCD串扰效应的一个新现象,即在串扰线上出现缺口,该缺口紧邻主光斑上侧且随光强增大而减小。基于行间转移面阵CCD的构造和工作过程,利用CCD串扰效应的一种新机制对现象作出了合理的解释。串扰线的形成依赖于在垂直转移动作过程中CCD信号积分势阱中的载流子向垂直转移CCD寄存器中的溢出。串扰线上缺口的出现则是由于CCD的信号积分势阱被读出转移动作清空后再次填满需要经过一定时间,该时间内无信号电荷溢出至转移沟道;读出转移清空存储势阱的时刻是构成主光斑的主体信号电荷按正常时序进入垂直转移CCD寄存器的时刻,故缺口紧邻主光斑的上侧;光强越大,光电子再次填满存储势阱乃至溢出形成串扰线所需要的时间越短,则缺口越小。