对三代微光管光谱响应的测试分析

利用自行研制的光谱响应测试仪对国产三代微光管进行了光谱响应测试,给出了三代微光管的光谱响应特性,利用曲线拟合方法估算了GaAs光电阴极材料的性能参数。结果显示该三代微光管的积分灵敏度约800μA/lm左右,所选GaAs材料的电子扩散长度为2.0μm,与1.6μm的阴极厚度相当,电子表面逸出几率为0.38,后界面复合速率为106cm/s。发现GaAs材料的扩散长度偏低,以及阴极的后界面复合速率太大是限制三代微光管光电发射性能进一步提高的重要原因。     

光电子技术与器件 其他

O462.3 2006043514铟封前后透射式GaAs光电阴极光谱响应特性的测试与分析=Measurement and analysis of spectral response charac-teristic of transmission-mode GaAs photocathode beforeand after indiumseal[刊,中]/杜晓睛(重庆大学光电工程学院.重庆(400044)) ,常本康…∥光学学报.—2006 ,26(4) .—536-540利用自行研制的光谱响应测试仪工程化样机以及在线光谱响应测试技术,考察了铟封前后透射式GaAs光电阴极的光谱响应特性曲线的变化,并根据测试曲线,获得了铟封前后阴极光谱响应特性参量、积分灵敏度以及阴极参量等多个性能参量…     

光电子技术与器件 其他

O462．3 2005032161 GaAs光电阴极稳定性的光谱响应测试与分析=Spectral response measurement and analysis of stability for GaAs photocathode[刊,中]／杜晓晴(南京理工大学电子工程与 光电技术学院．江苏,南京(210094)),宗志园…∥光子学 报．-2004,33(8)．-939-941 利用光谱响应测试仪对激活后的反射式GaAs(Cs,O) 光电阴极进行了稳定性测试,获得了阴极随时间变化的光 谱响应曲线,并表征了阴极在衰减过程中的性能参数变     

Ga1-xAlxAs/GaAs光阴极光谱响应向短波延伸的机理分析和实验研究

为了实现光阴极光谱响应向短波延伸，分析了Ga1-xAlxAs/GaAs三代微光光阴极光谱响应向短波延伸的机理，提出了准禁带宽度的概念，讨论了Ga1-xAlxAs的禁带宽度随铝组份x值的增加而逐渐变宽的变化规律，计算了不同铝组份下光阴极光谱响应的短波限。通过提高光阴极材料的铝组份，做出了宽光谱响应像管，并给出了相应的光谱响应曲线。通过与标准三代微光像管光谱响应对比，发现：所得光谱响应曲线不仅向短波方向得以延伸，而且理论设计与实验结果吻合很好。     

激活台内透射式GaAs光电阴极的光谱响应特性研究

利用在线光谱响应技术,对透射式GaAs光电阴极在高温激活和低温激活后的光谱响应特性进行了测试,计算并比较了高温激活和低温激活后阴极的积分灵敏度和光谱响应特性参数.结果发现,与高温激活相比,低温激活后GaAs光电阴极的积分灵敏度提高了13％,低温激活后阴极的截止波长和峰值波长均向长波有微小偏移.将已获得的测试曲线与铟封后的三代像增强器的光谱响应曲线进行了比较,结果发现铟封前后的光谱响应曲线存在明显差异.     

透射式变掺杂GaAs光电阴极研究

为了将变掺杂GaAs材料应用于微光像增强器,开展了透射式变掺杂GaAs光电阴极实验研究,制备了2种反转结构透射式变掺杂GaAs光电阴极。测试了玻璃粘接前后GaAs光电阴极载流子浓度变化,发现高温粘接后载流子浓度增加现象。通过测试高温激活的透射式变掺杂GaAs光电阴极发现,在450 nm～550 nm波段内,变掺杂GaAs光电阴极仍然具有较高的光谱响应。     

透射式GaAs光阴极的静电键合粘结

提出了用于GaAs光阴极粘结的静电键合方法.相比于传统的热粘结方法,该方法温度低（350℃）,时间短（5 min）,在空气中进行.所制得的GaAs光阴极在激活台内的峰值灵敏度为68.8 mA/W（峰值波长为830 nm）.以此制作的三代微光管的积分灵敏度为1 311 μA/lm,优于传统的热粘结工艺制作的微光管的灵敏度(～1 200 μA/lm).     

利用梯度掺杂获得高量子效率的GaAs光电阴极

获得高量子效率且稳定性良好的阴极一直是近年来发展GaAs光电阴极的重要方向。对晶面为(100),掺杂Be,厚度为1μm分子束外延生长的反射式GaAs发射层,设计了一种从体内到表面掺杂浓度由高到低分布的新型梯度掺杂结构。掺杂浓度的范围从1×1019cm-3到1×1018cm-3,并利用(Cs,O)激活技术制备了GaAs光电阴极。光谱响应测试曲线显示,与传统均匀掺杂的GaAs光电阴极相比,梯度掺杂的GaAs光电阴极的量子效率在整个波段都有提高,积分灵敏度可达1580μA/lm,且具有更好的稳定性。讨论了这种新型GaAs光电阴极获得更高量子效率的内在机理。该设计结构是现实可行的,且具有很大发展潜力,它为国内发展高性能GaAs光电阴极提供了一条重要途径。     

光电子技术与器件 光放大、控制与器件

TN223 2006043467激光助视下光谱匹配系数的研究=Research of spectralmatching factors under the laser aids[刊,中]/狄慧鸽(郑州大学河南省激光与光电信息技术重点实验室.河南,郑州(450052)) ,刘磊∥光子学报.—2006 ,35(2) .—214-216分析了在激光助视下,景物反射辐射光谱与光电阴极光谱匹配系数的变化,给出了理论公式,分析了此系数的特性和意义。计算了激光助视下光谱与几种典型的超二代管光电阴极( New S25,Super S251,Super S252)的光谱匹配系数,揭示了在激光助视下,光谱匹配系数的特征,为在激光助视下夜视系统的视距评估提供了…     

砷化镓光电阴极光谱响应与吸收率关系分析

为了研究砷化镓(GaAs)光电阴极光谱响应与吸收率曲线间的关系,采用分子束外延法(MBE)和金属有机化合物化学气相沉积法(MOCVD)制备了两类GaAs光电阴极,并测试得到了样品吸收率和光谱响应实验曲线.对每个样品的这两条曲线在同一坐标系中做最大值归一化处理,将归一的光谱响应曲线与归一的吸收率曲线做除法,得到了类似光电阴极表面势垒的形状.结果表明,两种方法制备的光电阴极光谱响应曲线相比吸收率曲线都发生了红移,MBE样品偏移量稍大于MOCVD样品.短波吸收率不截止,光谱响应截止于500 nm左右;可见光波段上,光谱响应曲线的峰值位置相比吸收率曲线红移了几百meV;近红外区域,光谱响应曲线的截止位置相比吸收率曲线红移了几个meV.MOCVD样品中杂质对带隙的影响更小,光谱响应相比吸收率发生的能量偏移更小.这些结论对提高GaAs光电阴极光电发射性能有指导意义.     

GaAs光电阴极稳定性的光谱响应测试与分析

利用光谱响应测试仪对激活后的反射式GaAs(Cs,O)光电阴极进行了稳定性测试,获得了阴极随时间变化的光谱响应曲线,并表征了阴极在衰减过程中的性能参数变化.结果表明:积分灵敏度和峰值响应随着时间不断下降,截止波长向短波推移,表面逸出几率的下降是阴极衰减的直接原因.不同波长下光谱响应的衰减速率并不相同,波长越长,衰减速率越大,因此激活台内阴极在灵敏度衰减的同时长波响应能力也在不断下降.     

光能转换与器件

TM914.42007010630微光光照强度下太阳电池应用研究=Application researchon solar cells under weak light intensity[刊,中]/王涛(国防科技大学.湖南,长沙(410073)),王正志//光电技术应用.—2006,21(2).—32-35在太阳电池标准测试条件之外,定义了太阳电池室内测试条件,研究了该条件下的微光光照强度对几种常见太阳电池效率的影响和它们的光谱响应。结合各种太阳电池自身的价格因素和器件性质,得出了一些可供室内光伏产品设计人员参考的结论。图4参8(于晓光)TM914.42007010631无机纳米晶-共轭聚合物异质结光电池研究进展=Pro-gress in h…     

GaAs光电阴极表面电子逸出概率与波长关系的研究

GaAs光电阴极量子效率公式中用到的表面电子逸出概率,在阴极工作波段范围内通常视为与入射光子波长无关的常数。应用该结论对反射式GaAs光电阴极激活实验结果进行了拟合分析。实验采用分子束外延GaAs材料,外延发射层厚度为1.6μm、掺杂浓度为1×1019cm-3,分析结果显示理论曲线与实验曲线存在偏差,而在激活台内阴极灵敏度下降后的光谱响应曲线拟合结果偏差更大。这种偏差是由于表面电子逸出概率对入射光子波长的依赖关系造成的,并非通常认为的与波长无关。经过光谱响应曲线的拟合分析得出,反射式阴极表面电子逸出概率与入射光子波长之间近似满足指数关系,两者通过表面势垒因子相联系。高、低温激活后阴极表面势垒因子分别为3.53和1.36。     

改进"yo-yo"Cs/O交替激活方法对GaAs光阴极稳定性影响

为提高激活后GaAs光阴极的稳定性,延长微光夜视器件的工作寿命,围绕Cs/O激活方法和衰减特性进行实验研究.通过对比传统"yo-yo"激活法和改进"yo-yo"激活法在Cs/O激活光电流、光谱响应以及光照衰减方面的差异,发现采用改进"yo-yo"激活法的GaAs光阴极光谱灵敏度更高且稳定性更好.利用四极质谱仪监测真空腔...     

GaAs光电阴极光谱响应曲线形状的变化

利用光谱响应测试仪测试了反射式GaAs光电阴极在激活过程中以及激活后衰减过程中的光谱响应曲线,测试结果显示在这两个过程中光谱响应曲线形状都在不断发生变化。在激活过程中随着GaAs表面双偶极层的形成,阴极表面有效电子亲和势不断降低,光谱响应则不断提高,但长波响应提高得更快。在激活结束后,位于激活室中受白光照射的GaAs光电阴极由于Cs的脱附影响了双偶极层结构,阴极表面有效电子亲和势不断升高,光谱响应则不断下降,但长波响应下降得更快。上述现象无法用常用的反射式阴极量子效率公式进行解释,它们与阴极高能光电子的逸出有关。由于反射式阴极发射电子能量分布随着入射光子能量的升高而向高能端偏移,同时阴极表面势垒形状的变化对低能电子比对高能电子的影响更大,从而导致了光谱响应曲线形状的变化。     

超二代微光像增强器Na2KSb(Cs)多碱光电阴极荧光谱研究

利用785 nm波长激光作为激发源,测量了超二代微光像增强器Na2KSb(Cs)多碱光电阴极的荧光谱.试验中发现该荧光谱不是一条光滑的高斯型曲线,而是一条在高斯型荧光谱上叠加了一定频率间隔小锯齿峰的曲线.经实验验证和理论分析证明该荧光谱上的小锯齿峰是一种干涉条纹,与超二代微光像增强器的结构有关.干涉条纹之间的间距与相邻两干涉峰波长的乘积成正比,与超二代微光像增强器的近贴聚焦距离成反比.干涉条纹调制度大小与Na2KSb(Cs)多碱光电阴极的厚度成反比.通过测量超二代微光像增强器Na2KSb(Cs)多碱光电阴极荧光谱上两相邻干涉条纹的间距和调制度,就可以测量或比较出不同超二代微光像增强器Na2KSb(Cs)多碱光电阴极的膜厚、近贴聚焦距离.研究结果对提高超二代微光像增强器阴极灵敏度和分辨力提供了一个有效的分析手段.     

微光像增强器光阴极灵敏度理论极限问题研究

光阴极灵敏度(量子效率)是微光像增强器最重要和最基本的性能参数之一,它决定着微光成像系统在低照度下的视距和图像清晰度。根据半导体光电发射物理模型及普朗克黑体辐射理论,简介了光电发射5个环节（光子不完全吸收、GaAlAs/GaAs后界面、GaAs光阴极激活层体特性缺陷、GaAs光阴极表面位垒和GaAs光阴极-MCP之间近贴电场电子隧道效应）对光阴极量子效率的影响,给出了相关数学表达式。在假定5个环节子量子效率均为100%的前提下,估算出蓝延伸GaAs光阴极在（0.41～0.93）μm波段内的极限积分灵敏度,其值为6569μA/lm。文末,对此结果的意义给予评价。     

夜视象增强器

三代18mm 微道板薄片象增强器是为微光夜视应用设计的。高效 GaAs 光电阴极与7056玻璃输入窗口粘接在一起,有一个微道板电流放大器和荧光屏。光电阴极对580—820nm 的微光和红外图象很灵敏。光电阴极的电子图象近贴聚焦在微道板上并几乎无畸变的被放大。微道板的电子图象被近贴聚焦在绿色 P—20荧光屏上,此荧光屏沉积在     

光放大、控制与器件

TN144 2004064395 微光像增强器的进展及分代方法=Image intensifier’s progress and division of generations[刊,中]/金伟其(北京理工大学信息科学技术学院光电工程系.北京(100081)),刘广荣…∥光学技术.—2004,30(4).—460-463,466 介绍了微光像增强器的主要性能指标及其对系统成像的影响。分析了像增强器按技术分代和按性能水平分代的方法。针对欧洲的超二代以及美国的三代/超三代像增强器的主要技术指标,说明了按性能分代的合理性。结果表明,这种分代方法在军用和民用领域的应用中对     

美国第三代象增强器问世

<正> 使用高量子效率透射式GaAs光电阴极的第三代微光象增强管——第三代薄片管,最近已由美国国际电话电报公司电光产品分部研制成功。这种管子是由荧光屏纤维光学面板、含微道板的金属陶瓷体和连接光电阴极衬底的金属化阴极玻璃面板组成。微道板作为内部电流倍增器。光电阴极、微道板和荧光屏组成双近贴聚焦系统。