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MAl2O4:Eu^2+,RE^3+,长余辉发光性质的研究 总被引:49,自引:1,他引:48
研究鳞石英结构碱土铝酸盐MAl2O4:Eu^2+,RE^+(M=Mg,Ca,Sr,Ba:RE=Y,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Ym,Yb,Lu)的荧光及长余辉发光性质。其发光由Eu^2+的4f-5d跃迁产生。RE^3+作为辅助激离子,提供合适的陷阱能级。即使用RE^3+的特性波长激发,在MAl2O4:Eu^3+的发光中也观察不到RE^3 相似文献
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本介绍了用熔融法制备Bi2.2Sr1.8Ca1.05Cu2.15-xNaxO8+y(x=0,0.4~0.8)样品,发现诸样品零电阻温度都在90K左右,其中x=0.7,Tc0达到92.5K。在81K较高温区,该类样品仍然表现出良好的超导电性,其临界电流密度还达到10^3A/cm^2量级。 相似文献
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本文成功地合成了一系列新型Pb-1222相层状铜氧化物(Pb0.5Cd0.5)(Sr0.9R0.1)2(R'0.7Ce0.3)2。Cu2Ox,R=R'=Y,Pr,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho以及(R,R’)=(La,Eu),(Sm,Gd),(Sm,Eu),(La,Gd),(Eu,Gd),(Nd,Eu),(Nd,Dy),(Nd,Y),(Nd,Er).X-射线衍射和电子衍射表明它们属于四方晶系,其结构与(Pb,CU)-1222相结构相似.其中(R',R')=(Eu,Gd)的样品在氧气中成相得到23K的超导转变临界温度. 相似文献
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采用Sol-Gel方法首次在比较低的温度下制备了具有氧磷灰石结构的发光体Mg2Y8-x-y(SiO4)6O2:Eu,Bi(x,y≥0),利用XRD、IR、TG-DTA三种手段研究了发光体的形成过程。室温(293K)和液氮温度(77K)的荧光光谱表明Eu3+和Bi3+在这种基质中分别发射红光和蓝光,每mol基质中其最佳掺杂浓度分别为0.14mol和0.03mol,并且其发光都存在温度猝灭。Eu3+的激光感生荧光光谱中存在两条5D0-7F0跃迁线,表明Eu3+同时进入4f格位和6h格位。在Eu3+、Bi3+共掺杂的发光体中,观察到了Bi3+→E3+的部分能量传递。 相似文献
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本成功地合成了一系列新型Pb-1222相层状铜氧化物(Pb0.5Cd0.5)(Sr0.9R0.1)2(R‘0.7Ce0.3)2Cu2Oz,R=R’=Y,Pr,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho以有(R,R‘)=(La,Eu),Sm,Gd),(Sm,Eu),(La,Gd),(Eu,Gd),(Nd,Dy),(Nd,Y),(Nd,Er)。 相似文献
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用第一原理的LDFLMTOASA超元胞法,模拟由X射线吸收谱精细结构测定的BaBiO3中,Bi有两种价态Bi3+和Bi5+及与之相应的两种不同键长的Bi—O八面体,以及K掺杂对晶体结构的影响.计算了Ba4Bi4O12,(Ba3K)Bi4O12,(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O12,K2Bi2O6(简记为(404),(314),(112),(134),(022))五种“样本”的电子结构.结果表明,(404)和(314)分别为Eg=16eV及Eg=15eV的半导体,其它“样本”为金属.总能的分析表明(134)是不稳定的,故溶解极限为x=05.以“取样”方式按伯努利分布确定任意组分各“样本”的概率,进而计算了(Ba1-xKx)BiO3电子结构随组分的变化.最后用逾渗模型说明了超导转变温度Tc在x=0.25附近的突变 相似文献
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利用拉曼散射和红外吸收光谱研究了Y1-xNdxSr2Cu2.7Mo0.3O7-δ(x=0,0.2,0.5,0.8,1.0)系列样品的声子振动性质。实验结果表明,对x=0的样品,在拉曼光谱中主要出现323,443,522和578cm-1几个特征峰,在中红外吸收光谱中出现522,580和646cm-1特征峰。随着样品中Nd组分的增加,323cm-1峰向低波数发生位移,而522和646cm-1峰则向高波数发生位移。本文对这些振动模进行了指认,并对其随不同样品组分的变化行为进行了讨论 相似文献
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本文用第一原理的LDF-LMTO-ASA方法,以超元胞Ba4Bi4O(12),(Ba3K)Bi4O(12),(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O(12),K2Bi2O6五种“样本”计算由于Bi(+3)和Bi(+5)二种价态以及K掺杂引起各芯态能级化学位移的变化.“样本”的电子结构与实验相符,即Ba4Bi4O(12)是Eg=2.0eV的半导体,(Ba3K)Bi4O12是Eg=1.6eV其价带顶有少量空穴的半导体.其余“样本”是金属.芯态的LDF本征值经原子模型△SCF修正更接近实验值.用正态分布表达各芯态能级除化学位移外各种“环境因子”的影响,结合任意组份五种“样本”的伯努利分布,计算芯态电子能谱随x的变化.结果表明,所有芯态的自旋一轨道分裂与实验完全相符,Bi(+3)和Bi(+5)二种价态引起各芯态化学位移的变化均小于0.2eV,K掺杂使各芯态结合能略有增加,其中Bi(4f),Ba(5d)约1.3~1.5eV,其他芯态约0.4eV,以上计算结果与实验基本一致. 相似文献
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系统地研究了Gd掺杂对Bi2Sr2Ca1-xGdxCu2Oy单晶超导电性及各向异性电阻率的影响。Tc满足Tc/Tc,max=1-82.6(ax+b)^2,并随Gd含量的增加而下降,这是由于Gd掺杂引起载流子浓度减小所导致。在x≥0.19时,ρab(T)在Tc随近有类半导体行为,dρab/dT随Gd含量的增大而增大。ρc(T)呈半导体行为,并可用唯象公式ρc(T)=(a/T)exp(△/T)+bT+ 相似文献
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用染料激光来激发Sr原子,首次在实验上发现较强的SrI5s^2^1S0-5s4d^1D2,5s^21S0-5s6d^1D2单光子电四极矩E2共振跃迁离子信号,并对5s^21S0-5s6d^1D2共振离子时,伴随出现的前向相干辐射进行了判断与分析。 相似文献
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用染料激光来激发Sr原子,首次在实验上发现较强的SrⅠ5s21S05s4d1D2、5s21S05s6d1D2单光子电四极矩E2共振跃迁离化信号,并对5s21S05s6d1D2共振离化时,伴随出现的前向相干辐射进行了判断与分析。 相似文献