Pr1—xKxMnO3（0.0≤x≤0.15）的化学键性质研究

采用半经验的复杂晶体化学键理论研究了ｒ１－ｘＫｘＭｎＯ３的化学键性质。计算结果表明，Ｐｒ－Ｏ键及Ｋ－Ｏ的共价性随钾掺杂浓度的增加而略有减小，Ｍｎ－Ｏ的共价性则增加，且Ｍｎ－Ｏ的共价性要强于Ｐｒ（Ｋ）－Ｏ键，得到的键极化率也服从同样的规律。     

La_（2－x）Sr_xCu_（1－y）Fe_yO_4正常态的反常磁性

研究了Ｌａ２－ｘＳｒｘＣｕ１－ｙＦｅｙＯ４（ｘ＝０．１３，０．１５，０．１７和ｙ＝０．０，０．００２，０．００４，０．００６）多晶样品在不同磁场下（Ｈ＝１，３和５Ｔ）正常态直流磁化率与温度的关系和超导转变温度与Ｆｅ掺杂含量的关系．结果表明，不掺杂样品的正常态直流磁化率呈宽峰行为．随着Ｆｅ掺杂量的增多，直流磁化率与温度的关系由宽峰行为变为Ｃｕｒｉｅ－Ｗｅｉｓｓ行为．与此同时，超导转变温度随Ｆｅ掺杂含量的变化而变化．这表明载流子浓度是影响超导的重要因素．对Ｆｅ掺杂样品，其正常态直流磁化率与温度的关系可以用Ｘ＝ａ＋ｂＴ＋ｃ／（Ｔ－Ｔ０）很好的表示．我们认为，其中ａ＋ｂＴ项是带Ｐａｕｌｉ顺磁的贡献．对同一掺Ｆｅ样品，增加外磁场时，居里常数ｃ增大而常数项ａ减小．这是由于在Ｆｅｒｍｉ面存在不满的窄带（ｄｘ２上Ｈｕｂｂａｒｄ带），它是导致居里顺磁的原因．增加磁场时它往高能方向移动，窄带的电子空得更多，这些电子移向较宽的杂化带，导致每个Ｃｕ离子的磁矩增大，而带的Ｆｅｒｍｉ面电子态度减小．我们的实验结果也表明，超导电性与能带结构密切相关．     

Bi2Sr2—xLaxCaCu2Oy体系正常态热电势的研究

测量了掺Ｌａ的Ｂｉ２２１２系统的随温度变化（８０￣３００Ｋ）的热电势。结果表明，热电势随掺杂浓度的增加（载流子浓度减少）而增大。定性解释了绝样样品的热电势的宽峰移动，并且用Ｎ－Ｌ模型及双带模型对热电势的结果进行了定量分析。     

光谱法研究入—4—（十六烷氧基）双酞菁镧的LB膜

测定了八－４－（十六烷氧基）双酞菁镧氯仿溶液在亚相水面上的π￣Ａ曲线，同时制备了它的ＬＢ膜。应用红外光谱及紫外－可见光谱法对其进行了研究。     

Si（100）（2×1）表面光学二次谐波强度随温度的变化关系

通过测量基频光波长为１．０６４μｍ时几个不同掺杂类型和掺杂浓度的Ｓｉ（１００）（２×１）样品表面反射二次谐波强度随温度的变化关系，说明在此波长上二次谐波不是来源于表面耗尽场的影响，而是来源于表面态电子。Ｓｉ（１００）（２×１）表面反射二次谐波强度反比于温度的平方。本文提出了一个简单模型，给出了初步解释。     

（La1—xSrx）2CuO4高Tc单晶样品中Sr对其性质的影响

实验上研究了（Ｌａ１－ｘＳｒｘ）２ＣｕＯ４）高Ｔｃ单晶样品的ｃ－轴正常态电阻同温度的关系以及Ｔｃ附近ｃ－轴电阻作为磁场和磁场取向的函数，结果表明，（１）随着Ｓｒ含量的增加，ｃ－轴正常态电阻从半导体行为变为金属行为，和（２）固有的各向异性随Ｓｒ含量的增加而逐渐变弱，这些意味着Ｓｒ掺杂在Ｌａ基系统中有利于Ｃｕ－Ｏ面间耦合的改善。     

（La_（1－x）Sr_x）_2CuO_4高T_c单晶样品中Sr对其性质的影响

实验上研究了（Ｌａ（１－ｘ）Ｓｒｘ）２ＣｕＯ４高Ｔｃ库晶样品的ｃ－轴正常态电阻同温度的关系以及Ｔｃ附近ｃ－轴电阻作为磁场和磁场取向的函数．结果表明，（１）随着Ｓｒ含量的增加，ｃ－轴正常态电阻从半导体行为变为金属行为，和（２）固有的各向异性随Ｓｒ含量的增加而逐渐变弱，这些意味着Ｓｒ掺杂在Ｌａ基系统中有利于Ｃｕ－Ｏ面间耦合的改善．     

发光体Mg_2Y_（8－x－y）（SiO_4）_6O_2：Eu_x~（3＋），B

采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ方法首次在比较低的温度下制备了具有氧磷灰石结构的发光体Ｍｇ２Ｙ８－ｘ－ｙ（ＳｉＯ４）６Ｏ２：Ｅｕ，Ｂｉ（ｘ，ｙ≥０），利用ＸＲＤ、ＩＲ、ＴＧ－ＤＴＡ三种手段研究了发光体的形成过程。室温（２９３Ｋ）和液氮温度（７７Ｋ）的荧光光谱表明Ｅｕ３＋和Ｂｉ３＋在这种基质中分别发射红光和蓝光，每ｍｏｌ基质中其最佳掺杂浓度分别为０．１４ｍｏｌ和０．０３ｍｏｌ，并且其发光都存在温度猝灭。Ｅｕ３＋的激光感生荧光光谱中存在两条５Ｄ０－７Ｆ０跃迁线，表明Ｅｕ３＋同时进入４ｆ格位和６ｈ格位。在Ｅｕ３＋、Ｂｉ３＋共掺杂的发光体中，观察到了Ｂｉ３＋→Ｅ３＋的部分能量传递。     

Fe（Ⅱ）对Cr（Ⅵ）—Ⅰ—体系诱导反应机的研究

本文考查了Ｆｅ（Ⅲ）－Ⅰ－、Ｃｒ（Ⅵ）－Ⅰ－及Ｃｒ（Ⅵ）－Ⅰ－Ｆｅ（Ⅱ）体系的反应曲线，证明由于Ｆｅ（Ⅱ）的引入，体系产生Ｃｒ（Ⅴ）中间体并快速氧化Ⅰ＾－；通过实验确定Ｃｒ（Ⅵ）－Ｉ＾－－Ｒｅ（Ⅱ）体系的化学计量关系，导出了诱导反应的机理及速率方程，并通过反应曲线的研究进一步证实了反应机理，对含铬废水中铬的测定起到一定作用。     

（Cu（Me6（14）4,11—dieneN4）^2＋——丙酮酸—溴酸钠—硫酸体系的新型振…

报道一种以５，７，７，１２，１４，１４－六甲基－１，４，８，１１－四氮杂环十四－４，１１－二烯酮（Ⅱ）配合物为催化剂，丙酮酸为有机底物，溴酸钠作氧化剂，硫酸为介质的振荡化学反应新体系，描述了该体系的振荡特性，得到了振荡范围，详细研究了各物种的初始浓度，温度等对振荡行为的影响，通过研究还原性物质（维生素Ｃ和葡萄糖）自由基抑制剂（丙烯酰胺，丙烯腈和Ｈ２Ｏ２），Ａｇ＾＋，Ｈｇ＾２＋和ＣＣｌ４等对振荡的影     

混晶（RbxK1—x）2SnCl6的相变研究

用非极性喇曼散射光谱研究了混晶（ＲｂｘＫ１－ｘ）２ＳｎＣｌ６性质随组份（０〈ｘ〈１）及温度（１０Ｋ〈Ｔ〈３００Ｋ）的变化，发现在纯Ｋ２ＳｎＣｌ６晶体中用Ｒｂ＾＋部分替代Ｋ＾＋后，将降低原Ｋ２ＳｎＣｌ６的相变温度Ｔｃｌ。当混晶中Ｒｂ＾＋成份超过极限浓度（ｘ〉０．７）后，该相变就被抑制，不同组份样品的同一喇曼模频率，随Ｒｂ＾＋的增加，向低频方向移动，用平均力常数拟合给出很好的理论解释。     

Gd掺杂对Bi2Sr2Ca1—xGdxCu2Oy单晶载流子浓度和各向异性电阻率？…

系统地研究了Ｇｄ掺杂对Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ１－ｘＧｄｘＣｕ２Ｏｙ单晶超导电性及各向异性电阻率的影响。Ｔｃ满足Ｔｃ／Ｔｃ,ｍａｘ＝１－８２．６（ａｘ＋ｂ）＾２,并随Ｇｄ含量的增加而下降,这是由于Ｇｄ掺杂引起载流子浓度减小所导致。在ｘ≥０．１９时,ρａｂ（Ｔ）在Ｔｃ随近有类半导体行为,ｄρａｂ／ｄＴ随Ｇｄ含量的增大而增大。ρｃ（Ｔ）呈半导体行为,并可用唯象公式ρｃ（Ｔ）＝（ａ／Ｔ）ｅｘｐ（△／Ｔ）＋ｂＴ＋     

发光体Mg2Y8—x—y（SiO4）6O2：Eux^3^＋,Biy^3^＋的形成过程及发光…

采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ方法首次在比较低的温度下制氧磷灰石结构的发光体Ｍｇ２Ｙ８－ｘ－ｙ（ＳｉＯ４）６Ｏ２：Ｅｕｘ＾３＾＋，Ｂｉｙ＾３＾＋（ｘ，ｙ≥０），利用ＸＲＤ，ＩＲ，ＴＧ－ＤＴＡ三种手段研究了发光体的形成过程。室温（２９３Ｋ）和液氮温度（７７Ｋ）的荧光光谱表明Ｅｕ＾３＾＋和Ｂｉ＾３＾＋在这种基质中分别发射红光和蓝光，每ｍｏｌ基质中其最佳掺杂浓度分别为０．１４ｍｏｌ和０．０３ｍｏｌ，并且其发光都存在     

Y1-xRxBa2Cu3O7—δ体系（R=Eu、Gd）的正电子寿命和超导性研究

本文报道了对Y1-xRxBa2Cu3O7-δ（R=Eu、Gd）两个系列样品的超导电性研究结果．首先，发现随着Eu、Gd掺杂量x的增加，Y1-x]EuxBa2Cu3O7-δ和Y1-xGdxBa2Cu3O7-δ的晶胞体积均随之增大．但所有样品均保持与Y-123样品相同的单相正交结构；正电子平均寿命实验结果表明Cu—O链处局域电子密度ne随Eu、Gd掺杂浓度x的增加而减小．说明Eu、Gd对Y位的替代引起晶胞结构参量的变化不汉改变了Y位的电子密度．同时也影响了Cu-O链周围的电子密度分布；超导转变温度Tc随Eu、Gd掺杂浓度x增加而略有增加，反映了Eu、Gd掺杂虽然改变了体系的局域电子结构．但没有破坏超导所需的Cu-O链与CuO2面之间的耦合：Y位掺杂体系的超导电性与掺杂离子的磁性无关，而与掺杂离子的半径有关．     

受激喇曼散射在掺铒光纤放大器中的影响

本文在分析了均匀掺杂分布式光纤放大器（d－EDFA）的基础上，提出了沿传输方向掺杂浓度单调下降（单变），和降升结合（两变）的两种渐变型分布式光纤放大器，并用传输方程研究了透明传输和最佳掺杂浓度下，受激喇曼散射对均匀、单变和两变型三种d－EDFA的各种特性的影响．     

〔（NH_4）_xK_（1－x）〕_2SnCl_6混晶的喇曼散射研究

本文用喇曼散射的方法研究了六氯锡化钾铵混晶系列样品［（ＮＮ_４）_ｘＫ_（１－ｘ）］_２ＳｎＣｌ_５（ｘ＝０，０．０５，０．１，０．１５，０．２，０．２５，０，３，１）从室温到７７Ｋ的行为，首先观察到了其外振动模的双模行为，并且还发现了其一内模Ｔ_（２ｇｉｎｔ）的宽度随铵离子浓度ｘ的增加而增加，相变温度Ｔｃ却随铵离子浓度的增加而迅速下降，下降速率约为ｄＴ_ｃ／ｄｘ＝－６００Ｋ／ｍｏｌ，这一行为是由于正四面体的ＮＨ_４￣＋离子对正八面体的ＳｎＣｌ_６￣（２－）离子团的转动产生阻碍而引起。内模Ｔ_（２ｇｉｎｔ）的宽度变化也是由于铵离子的转动影响以及由它引起的晶格畸变所导致。双模行为来自于强烈的集团效应。     

Er￣（3＋）掺杂光纤孤子放大器（Ⅰ）传输放大方程

采用半经典理论，建立了Ｅｒ￣（３＋）掺杂光纤中孤子的传输放大方程。该方程考虑泵浦激发态吸收，故适用于０．５－１．４９μｍ波长范围的所有泵浦情况。同时，该方程适用于任意折射率分布光纤，任意泵浦和信号光波模式、任意掺杂形状、均匀加宽和非均匀加宽、集总放大和分布放大，为深入研究Ｅｒ￣（３＋）渗杂光纤孤子放大特性、优化掺杂光纤设计提供了必须的基本分析方程。     

A3Ln（Ⅲ）1—xTb（Ⅲ）x（A=邻氨基苯甲酸;Ln=La,Gd,Y;x=0—0.1）稀土配？…

采用共沉淀法合成了掺杂Ｌａ、Ｇｄ、Ｙ的Ｔｂ－邻氨基苯甲酸配合物,研究其荧光性能,结果显示,掺杂Ｌａ、Ｇｄ、Ｙ后,对Ｔｂ配合物的发光有增敏作用,讨论了不同的掺杂离子（Ｌａ、Ｇｄ、Ｙ）及掺杂量对其荧光性能的影响。发现,当掺杂离子取代大部分Ｔｂ＾３＋时,其发光增强仍十分显著。     

La_（1．85）Sr_（0．15）Cu_（1－x）Fe_xO_（4－y）的窄能带行为与超导电性关系的研究

用ＳＱＵＩＤ直流磁强计研究了Ｌａ（１．８５）Ｓｒ（０．１５）Ｃｕ（１－ｘ）ＦｅｘＯ（４－ｙ）（ｘ＝０．００２，０．００４和０．００６）多晶样品在不同磁场下（Ｈ＝０．０１，０．０３，０．０５Ｔ）正常态的直流磁化率与温度关系和超导转变温度与Ｆｅ掺杂含量的关系．实验结果表明，不掺Ｆｅ的样品其直流磁化率与温度的关系里宽峰行为，随着Ｆｅ掺杂的增多，直流磁化率与温度的关系由宽峰行为迅速转变为Ｃｕｒｉｅ－Ｗｅｉｓｓ行为．与此同时，超导转变温度也由不掺Ｆｅ的３１．０Ｋ增加到３３．６Ｋ（ｘ＝０．００２），然后再单调降低．这清楚地表明，载流子浓度才是影响超导的最重要的因素。对于掺Ｆｅ的样品，其正常态直流磁化率Ｘ与温度Ｔ的关系可以用Ｘ＝ａ＋ｂＴ＋ｃ／（Ｔ一Ｔ０）很好地表示．我们认为，式中ａ＋ｂＴ项是由于Ｃｕｄ带泡利硕磁的贡献．增加磁场时，对于同一个接Ｆｅ样品，居里常数Ｃ增大而常数项ａ减小．这是由于掺Ｆｅ的样品在Ｆｅｒｍｉ面存在不满的窄带（ｄｘ２上Ｈｕｂｂｒｄ带），它是产生居里硕磁的原因．增加磁场时，它往高能量方向移动，窄带的电子空得更多，这些电子移向较宽的Ｃｕ杂化带．这样一来，增加磁场时，每个Ｃｕ离子的磁矩增大．而Ｃｕｄ带的Ｆｅ     

N—（2—（2‘—氨基—乙氨基）乙基）草酰甲酯胺合铜（Ⅱ）的合成及其红…

在水溶液中通过Ｎ－（２－（２’－氨基－乙氨基）乙基）草酰甲酯胺与硫酸铜反应合成了具有单核和桥联多核心１，１０－邻菲咯啉端接的标题配合物，测定了其红外光谱，并对主要的红外吸收带进行了归属。