随机发展方程适度解的存在唯一性(Ⅱ)

讨论如下Hilbert空间中的半线性随机发展方程的Cauchy问题 dy(t)=[Ay(t) f(t,y(t))]dt G(t,y(t))dw(t) y(O)=V_u的适度解的存在唯一性,在更一般的条件下,得到了该问题的适度解的存在唯一性。     

非Lipschitz系数的倒向半线性随机发展方程的适度解

文中将研究如下的无穷维空间的倒向半线性随机发 展方程x(t)+∫TteA(s-t)f(s,x(s),y(s))ds+∫Tte A(s-t )(g(s,x(s))+y(s))dw(s)=eA(T-t)X,在类似于Ymada条件下获得了该方程适度解的存在性和唯一性定理.     

珠心算排积法论

味、.办瞥谬}写.下于爵口口己臼日囚卜干~刁巴,性口口闰「干月之.竺j二,二曰〔臼匕一〕〔‘习〔口〔‘习二二l匡鑫红获园匡二,〕r勺l匡死八酬睡巴勺奎·目鑫三红奎目臼‘‘言,匕一二里二.‘,匕‘‘二‘山‘二足二‘二巴‘二,匕‘』巴-二,释蕊玲狄外一‘谁好淤奄蜜蕊爪介,笼片钾黔J;全理、洪琳歌多辞i子护、伏龚峥势:女28排积法专论七、8梁 乘数123456789 积数08 16 24 32 40 48 56 64 72 l乏243乙52 64 76 够125 25 375 625 75 875 口诀: 八一08、八二16、八三24、j气四32、八五40、J、六48、八七56、Jk八64、八九72。 补加口诀: 八一l乏…     

适度删失时的极值指数估计

讨论在实际中常常会碰到的删失数据情形下的极值指数估计问题.限于极值数据本来就不多,将删失限定为适度删失.构造了适度右删失时Pareto型分布的一个子族—Hall族的极值指数的估计量.借助于估计量的信息,巧妙地构造了加权二乘估计的权数.从理论上说明了加权二乘估计的可行性,并利用MC方法,对Burr(1,1,1)、Burr(1,0.5,2)、Fréchet(1)、Fréchet(2)、学生-t1、学生-t4等几种常见的极值分布进行模拟,说明了加权二乘估计方法对门限值的选取并不敏感,具有很好的稳健性.同时,将利用Burr(1,1,1)、Burr(1,0.5,2)、Fréchet(1)分布模拟所得结果与Beirlant等人(2001)利用指数回归模型所得结果进行比较,说明了新方法比指数回归模型更为理想.     

煤与天然气适度转化的甲醇-动力联产系统

本文开拓性地提出了一个新型煤和天然气综合利用、甲醇和电力联产的能源动力系统。新系统采用了燃料化学能适度转化的方法,煤先和纯氧与蒸汽发生部分气化反应,适度转化成合成气和半焦,碳转化率约为50%;半焦在天然气/水蒸气重整反应器中燃烧,为重整反应提供反应热;将甲醇生产系统与联合循环发电系统有机整合,来自煤和天然气的合成气先用于甲醇生产,未反应合成气用作发电燃料。研究表明在相同产出条件下,多功能系统比分产系统少消耗10%左右的化石燃料。本文工作为煤和天然气综合高效利用提供了新途径。     

带多项偏差变元的脉冲中立型微分方程适度解的存在性

应用不动点定理和分解合成法,获得了一类带多项偏差变元的脉冲中立型微分方程适度解的存在性.通过一个例子说明了主要结论.     

Banach空间上带有非局部条件的二阶发展方程的适度解

讨论了Banach空间中二阶发展方程适度解的存在性.利用Laplace变换及余弦函数族的性质,首先给出了适度解的定义.利用Schauder不动点定理进一步的给出了方程适度解的存在性.改进和推广了已有的一些结果.     

纵横弯曲中轴力对最大正应力的影响

弯曲问题的强度条件是最大正应力不大于材料的许用应力,即σ_(max)[σ].纵横弯曲梁的轴力对截面最大正应力σ_(max)有重要影响,某些情况下适度的轴力可以降低最大正应力,从而提高梁的安全裕度.本文给出了这种特定情况应满足的条件及其适度轴力上限的计算方法.     

随机发展方程适度解的整体存在唯一性

本文考虑了如下Ｈｉｌｂｅｒｔ空间中半线性随机发展方程（１）的Ｃａｕｃｈｙ问题，在两组不同的条件下，分别得到了该问题的适度解的整体存在唯一性。     

Electron Transport Property of CdTe under High Pressure and Moderate Temperature by In-Situ Resistivity Measurement in Diamond Anvil Cell

In situ resistivity measurement has been performed to investigate the electron transport property of powered CdTe under high pressure and moderate temperature in a designed diamond anvil cell. Several abnormal resistivity changes can be found at room temperature when the pressure increases from ambient to 33 GPa. The abnormal resistivity changes at about 3.8 GPa and 10 GPa are caused by the structural phase transitions to the rock-salt phase and to the Cmcm phase, respectively. The other abnormal resistivity changes at about 6.5 GPa, 15.5 GPa, 22.2 GPa and about 30 GPa never observed before are due to the electronic phase transitions of CdTe. The origin of the abnormal change occurred at about 6.5 GPa is discussed. The temperature dependence of the resistivity of CdTe shows its semiconducting behaviour at least before 11.3 GPa.