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1.
许明浩 《武汉大学学报(理学版)》1996,(1)
讨论如下Hilbert空间中的半线性随机发展方程的Cauchy问题 dy(t)=[Ay(t) f(t,y(t))]dt G(t,y(t))dw(t) y(O)=V_u的适度解的存在唯一性,在更一般的条件下,得到了该问题的适度解的存在唯一性。 相似文献
2.
分子筛经活化后用复合薄膜包装袋封装存放一定时间后使用,由于水汽缓慢渗透和包装袋微量泄漏的存在,可能使分子筛吸湿,从而直接影响其使用效果和有效期,因此试验研究分子筛产品包装贮存前后吸附性能的变化,以验证理论计算结果,并为分子筛应用提供重要的试验依据。 相似文献
3.
文中将研究如下的无穷维空间的倒向半线性随机发 展方程x(t)+∫TteA(s-t)f(s,x(s),y(s))ds+∫Tte A(s-t )(g(s,x(s))+y(s))dw(s)=eA(T-t)X,在类似于Ymada条件下获得了该方程适度解的存在性和唯一性定理. 相似文献
4.
味、.办瞥谬}写.下于爵口口己臼日囚卜干~刁巴,性口口闰「干月之.竺j二,二曰〔臼匕一〕〔‘习〔口〔‘习二二l匡鑫红获园匡二,〕r勺l匡死八酬睡巴勺奎·目鑫三红奎目臼‘‘言,匕一二里二.‘,匕‘‘二‘山‘二足二‘二巴‘二,匕‘』巴-二,释蕊玲狄外一‘谁好淤奄蜜蕊爪介,笼片钾黔J;全理、洪琳歌多辞i子护、伏龚峥势:女28排积法专论七、8梁 乘数123456789 积数08 16 24 32 40 48 56 64 72 l乏243乙52 64 76 够125 25 375 625 75 875 口诀: 八一08、八二16、八三24、j气四32、八五40、J、六48、八七56、Jk八64、八九72。 补加口诀: 八一l乏… 相似文献
5.
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Evaluation of thermal resistance constitution for packaged A1GaN/GaN high electron mobility transistors by structure function method* 下载免费PDF全文
The evaluation of thermal resistance constitution for packaged A1GaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) by structure function method is proposed in this paper. The evaluation is based on the transient heating measurement of the A1GaN/GaN HEMT by pulsed electrical temperature sensitive parameter method. The extracted chip-level and package-level thermal resistances of the packaged multi-finger A1GaN/GaN HEMT with 400μm SiC substrate are 22.5 K/W and 7.2 K/W respectively, which provides a non-invasive method to evaluate the chip-level thermal resistance of packaged A1GaN/GaN HEMTs. It is also experimentally proved that the extraction of the chip- level thermal resistance by this proposed method is not influenced by package form of the tested device and temperature boundary condition of measurement stage. 相似文献
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10.