首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   30015篇
  免费   7888篇
  国内免费   15476篇
化学   27901篇
晶体学   3416篇
力学   1261篇
综合类   876篇
数学   3361篇
物理学   16564篇
  2024年   239篇
  2023年   842篇
  2022年   1180篇
  2021年   1404篇
  2020年   1104篇
  2019年   1212篇
  2018年   891篇
  2017年   1200篇
  2016年   1434篇
  2015年   1654篇
  2014年   2188篇
  2013年   2688篇
  2012年   2658篇
  2011年   2537篇
  2010年   2257篇
  2009年   2639篇
  2008年   2974篇
  2007年   2827篇
  2006年   3063篇
  2005年   2719篇
  2004年   2556篇
  2003年   1982篇
  2002年   1690篇
  2001年   1435篇
  2000年   1098篇
  1999年   1012篇
  1998年   812篇
  1997年   733篇
  1996年   551篇
  1995年   510篇
  1994年   505篇
  1993年   464篇
  1992年   525篇
  1991年   538篇
  1990年   443篇
  1989年   408篇
  1988年   156篇
  1987年   78篇
  1986年   50篇
  1985年   49篇
  1984年   27篇
  1983年   25篇
  1982年   14篇
  1981年   3篇
  1980年   1篇
  1979年   1篇
  1959年   3篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
陈典发 《中国科学A辑》1991,34(3):225-236
本文研究具有随机开参数集的随机场构造,获得了具有已知有穷维分布的随机场存在和唯一性条件。  相似文献   
3.
21世纪最具潜力的新型带隙材料——声子晶体   总被引:1,自引:0,他引:1  
半导体发展中遇到的极大障碍,使许多研究人员开始研究光子晶体。然而,声子晶体比光子晶体具有更丰富的物理内涵,它是一种新型声学功能带隙材料。研究声子晶体的重要意义在于其广阔的应用前景,而且在研究过程中,还可能发现新现象和新规律,进而促进物理学的发展。一、什么是声子晶体声子晶体的概念诞生于20世纪90年代,是仿照光子晶体的概念而命名的。我们都知道,具有光子禁带的周期性电介质结构功能材料称为光子晶体,光子能量落在光子禁带中的光波将被禁止,不能在光子晶体中传播。通过对光子晶体周期结构及其缺陷进行设计,可以人为地调控光子…  相似文献   
4.
本文利用K(o)the函数空间的性质以及K(o)the函数空间与K(o)the-Bochner空间的关系,讨论了K(o)the-Bochner空间E(X)的凸性,主要结果如下:(a)给出E(X)的端点的充分条件,得到了E(X)严格凸的判据,相应地推广了Lp(μ,X)以及LΦ(X)的结果;(b)讨论了E(X)的弱局部一致凸和局部完全k-凸;(c)刻画了E(X)的强凸,给出了E(X)强凸的充要条件.  相似文献   
5.
彭燕玲 《数学研究》2002,35(2):200-203
主要介绍了一个引理,这个引理奠定了K4-同胚图K4(α,1,1,δ,ε,η)色性研究的基础。  相似文献   
6.
(Tm,Ho):YLF晶体激光器的实验研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
姚宝权  BourdetGL 《光学学报》2002,22(10):216-1218
报道了一台连续792nmTi:Al2O3激光器纵向抽运的(Tm,Ho):YLF微片激光器。在室温条件下,当抽运功率为680mW时,激光器在2.06μm波长的输出功率达到90mW。激光器阈值为380mW,光光转换效率为13%,斜率效率为26%.  相似文献   
7.
本文首先将文[1]中的BLD映射推广为弱(L1,L2)-BLD映射,并证明了如下正则性结果:存在两个可积指数 P1=P1(n,L1,L2)<n<q1=q1(n,L1,L2),使得对任意弱(L1,L2)-BLD映射f∈(Ω,Rn),都有f∈(Ω,Rn),即f为(L1,L2)-BLD映射.  相似文献   
8.
利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-Al2O3衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl2O4表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl2O4在高温下不稳定. 在ZnAl2O4覆盖的α-Al2O3衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl2O4厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量.  相似文献   
9.
10.
The electronic structures for three types of PbW04 (PWO) crystals, the perfect PWO, the PWO containing lead vacancy (PWO-Vpb) and fluorine doped PWO crystal (F^-:PWO), are systematically studied within the framework of density functional theory. The computational results show that the Pb 6s state situates below the valence band so that Pb^2 ions are unable to trap holes forming Pb^3 or Pb^4 to compensate for VPb^2-. The hole-trappers in PWO-Vpb are O^2- ions. Two of the longer-bond O^2- ions share a hole forming O2^3-, and four of the longer-bond oxygen ions trap two holes forming an associated color centre [O2^3--Vpb-O2^3-], which may be the origin of the 42Onto absorption band. It is also concluded that the doping of F^- would reduce the band gap and F^- ions substituting for O^2- can effectively restrict the formation of [O2^3--Vpb-O2^3-] and weaken the 42Onm absorption band and hence enhance the scintillation property of PWO.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号