全文获取类型
收费全文 | 283篇 |
免费 | 54篇 |
国内免费 | 172篇 |
专业分类
化学 | 184篇 |
晶体学 | 2篇 |
力学 | 34篇 |
综合类 | 9篇 |
数学 | 76篇 |
物理学 | 204篇 |
出版年
2023年 | 5篇 |
2022年 | 5篇 |
2021年 | 5篇 |
2020年 | 5篇 |
2018年 | 7篇 |
2016年 | 6篇 |
2014年 | 6篇 |
2013年 | 6篇 |
2012年 | 11篇 |
2011年 | 12篇 |
2010年 | 13篇 |
2009年 | 11篇 |
2008年 | 10篇 |
2007年 | 6篇 |
2006年 | 8篇 |
2005年 | 4篇 |
2004年 | 8篇 |
2003年 | 8篇 |
2002年 | 8篇 |
2001年 | 13篇 |
2000年 | 5篇 |
1999年 | 4篇 |
1998年 | 13篇 |
1997年 | 16篇 |
1995年 | 18篇 |
1994年 | 16篇 |
1993年 | 17篇 |
1992年 | 14篇 |
1991年 | 9篇 |
1990年 | 13篇 |
1989年 | 17篇 |
1988年 | 10篇 |
1987年 | 7篇 |
1986年 | 19篇 |
1985年 | 9篇 |
1984年 | 6篇 |
1983年 | 8篇 |
1982年 | 5篇 |
1981年 | 6篇 |
1979年 | 4篇 |
1963年 | 6篇 |
1962年 | 5篇 |
1961年 | 15篇 |
1960年 | 8篇 |
1959年 | 6篇 |
1958年 | 10篇 |
1957年 | 11篇 |
1956年 | 17篇 |
1955年 | 17篇 |
1954年 | 17篇 |
排序方式: 共有509条查询结果,搜索用时 9 毫秒
1.
High-power and high-efficiency operation of an all-solid-state, quasi-continuous-wave, titanium sapphire laser system 总被引:1,自引:0,他引:1
High-power and high-efficiency operation of an all-solid-state, quasi-continuous-wave, titanium sapphire laser is obtained with a diode-laser-pumped frequency-doubled Nd:YAG laser as the pump source. A maximum output power of 2.5 W is obtained for 16-W power of 532-nm pump light. A much higher conversion efficiency of 15.7% is obtained when at the maximum output power. 相似文献
2.
4.
1975年Chatt等采用质子酸对稳定的钼钨分子氮络合物进行还原质子化反应,取得了生成氨的结果.我们在1979年开展了过渡金属氢化物与稳定和不稳定的分子氮络合物反应的研究,同样也取得了生成氨的结果.这个结果为在温和条件下H_2和配位氮分子氢化反应制取氨准备了实验基础.采用的稳定分子氮络合物有[Mo(N_2)_2(dppe)_2](Ⅰ),trans-[Mo(N_2)_2(PMePh_2)_4](Ⅱ);不稳定固氮体系有[Ti(O-i-Pr)_4-NaNp-N_2] 相似文献
5.
技术经纪人是以促成技术商品交易为目的的一种新型职业,它以技术商品的特殊性、技术商品管理的松散性、技术交易的复杂性、技术经纪的风险性等而存在。同时,经纪人要具备理论基础如社会分工深化理论、市场发育需求理论、信息资源优势理论等。 相似文献
6.
7.
8.
Monolithic integration of an AlGaN/GaN metalinsulator field-effect transistor with an ultra-low voltage-drop diode for self-protection 下载免费PDF全文
In this paper,we present a monolithic integration of a self-protected AlGaN/GaN metal-insulator field-effect transistor(MISFET).An integrated field-controlled diode on the drain side of the AlGaN/GaN MISFET features a selfprotected function for a reverse bias.This diode takes advantage of the recessed-barrier enhancement-mode technique to realize an ultra-low voltage drop and a low turn-ON voltage.In the smart monolithic integration,this integrated diode can block a reverse bias(> 70 V/μm) and suppress the leakage current(< 5 × 10-11 A/mm).Compared with conventional monolithic integration,the numerical results show that the MISFET integrated with a field-controlled diode leads to a good performance for smart power integration.And the power loss is lower than 50% in conduction without forward current degeneration. 相似文献
9.
10.
本文测定和分析了CoCl_2(PR_3)_2(R为苯基、环戊基)三种分子的d-d跃迁吸收光谱。指出它们均具有C_(2v)局部对称性,并从晶体场点电荷模型出发对具有C_(2v)对称性点群的分子进行了配位场半定量计算。对于上述分子,理论结果与实验值很好吻合,表明我们所建立的模型和谱带归属是正确的。 相似文献