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Four distributed feedback laser array integrated with multimode-interference and semiconductor optical amplifier 下载免费PDF全文
Monolithic integration of four 1.55-μm-range InGaAsP/InP distributed feedback (DFB) lasers using varied ridge width with a 4×1-multimode-interference (MMI) optical combiner and a semiconductor optical amplifier (SOA) is demonstrated. The average output power and the threshold current are 1.8 mW and 35 mA, respectively, when the injection current of the SOA is 100 mA, with a side mode suppression ratio (SMSR) exceeding 40 dB. The four channels have a 1-nm average channel spacing and can operate separately or simultaneously. 相似文献
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利用金属有机物化学气相沉积方法,在n型6H-SiC衬底上制备了15对Si掺杂Al_(0.19)Ga_(0.81)N/Al_(0.37)Ga_(0.63)N DBR,并采用低温AlN缓冲层有效抑制了DBR结构中裂纹的产生,得到了表面均方根粗糙度仅为0.4 nm且导电性能良好的n型DBR,其在369 nm处峰值反射率为68%,阻带宽度为10 nm。在获得导电DBR的基础上,进一步在n型6H-SiC衬底上构建了有、无DBR的垂直结构紫外LED。对比两者电致发光光谱,发现DBR结构的引入有效增强了LED紫外发光强度。 相似文献
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We consider a four-dimensional generalization of Hess–Appel’rot system and costruct its Lax pair. Both classical and algebro-geometric integration procedure are proceeded. The algebro-geometric integration is based on deep facts from geometry of Prym varieties such as the Mumford relation and Mumford-Dalalyan theory. The integration is similar to the integration of Lagrange bitop which has recetly been performed by the authors. 相似文献
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Gap length (GL) of reading head is one of the most critical parameters for high-density magnetic recording systems. A novel method is proposed for quantitative evaluation of the GL fluctuation among a batch of magneto-resistive/giant magneto-resistive heads with same structure design. The method works at head-gimbal assembly level and the evaluation can be done with any read/write analysis equipment. The testing process is based on harmonic analysis of the readback signal. The testing system consists of a selected reference head and sample heads for evaluation. A GL variation function is introduced for the evaluation of GL deviation between the reference head and sample head. This method proved to be easy for implementation and results suggest that variation of GL is considerable and has obvious effect on recording performance in high recording density systems. 相似文献
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高Rayleigh数条件下竖圆环夹层内自然对流换热的实验研究 总被引:3,自引:0,他引:3
对内壁维持恒热流和外壁向环境冷却的大高宽比竖圆环夹层内自然对流换热进行了实验研究。实验装置高宽比分别为235和6667,半径比分别为2.03和3.92。实验数据整理考虑了热辐射影响以获得对流规律。由于已有工作均未考虑高Ra数区域,首次得到Ra数高达10 ̄9的区域内平均Nu数的换热准则式。在低Ra数区域,亦取得了与前人工作一致的结论。本文结果改进了高Ra数区域换热规律的预测能力。 相似文献
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开放量子系统,即系统-热库模型,可以用一个关于密度算符的主方程来描述,比如,用来描述固态物理中耗散现象的Caldeira.Leggett主方程.虽然已经有人为了求解此主方程的约化密度矩阵的精确表达式而做过一些努力,但迄今还未见有解答.本文使用了一种全新的方法来求解Caldeira-Leggett方程,用这个新方法可以得到积分形式的显式表达.该方法的要点在于利用有序算符内积分技术把关于密度算符的微分方程首先转化成关于密度态矢量的微分方程,再将密度态矢量投影到热纠缠态表象中,Caldeira-Leggett方程就转变成了关于波函数的微分方程,而波函数是函数.这样就可以使用数学中求解微分方程的方法来求解出波函数.再次利用有序算符内积分技术,再将波函数转化为态矢量和算符,就得到了Caldeira-Leggett方程的积分形势解. 相似文献
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Improvement on the breakdown voltage for silicon-on-insulator devices based on epitaxy-separation by implantation oxygen by a partial buried n~+-layer 下载免费PDF全文
A novel silicon-on-insulator (SOI) high-voltage device based on epitaxy-separation by implantation oxygen (SIMOX) with a partial buried n +-layer silicon-on-insulator (PBN SOI) is proposed in this paper.Based on the proposed expressions of the vertical interface electric field,the high concentration interface charges which are accumulated on the interface between top silicon layer and buried oxide layer (BOX) effectively enhance the electric field of the BOX (E_I),resulting in a high breakdown voltage (BV) for the device.For the same thicknesses of top silicon layer (10 μm) and BOX (0.375 μm),the E I and BV of PBN SOI are improved by 186.5% and 45.4% in comparison with those of the conventional SOI,respectively. 相似文献
49.
根据云高仪工作原理,从米散射激光雷达方程出发,推导出一种低层大气中气溶胶消光系数边界值的获取方法,并在此基础上利用Fernald方法反演得到了大气消光系数的垂直分布;通过垂直路径上的消光系数反演得到垂直路径的平均能见度,结果表明,该平均能见度更接近垂直方向真实的能见度。用该算法处理了半导体激光云高仪实际测量的数据,并与Vaisala云高仪测量的垂直能见度进行了对比,结果表明:该算法在反演大气垂直能见度时具有较高的准确性和可靠性。 相似文献
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