铁电屏蔽理论

利用电极化的边界屏蔽近似,可计算出一些典型铁电单晶的自发极化强度．铁电屏蔽电荷处于表面束缚极化子偶状态;其产生和湮没要跨越位垒．由统计方法给出的一些常见晶体和陶瓷的四种典型电滞回线形状,和实验观察到的结果一致 关键词：     

相控阵雷达导引头便携测试方法及误差角波动机理分析

相控阵雷达导引头组成复杂、测试指标多、数据量大,通常需要在符合远场条件的微波暗室内测试。本文介绍了一种相控阵雷达导引头便携测试方法及测试系统的组成,分析了便携测试机理、便携屏蔽装置设计原理,解释了该便携测试系统中相控阵雷达导引头角跟踪参数测试时偶尔引起的误差角波动现象。该测试方法简便、快捷、实用、成本低,较好的解决了外场或环境试验中产品测试的需求。本文所述相控阵雷达导引头便携测试方法和相关分析结论有较高的实用价值。     

碳谱化学位移计算式中基值的估算

提出一个计算碳谱化学位移计算式中基值的公式:B=-2.3+12.95(ΣP)^1/3sin^0.9θ₁sin^0.5θ₂f/s²+Σα_σ并提出核周电子密度降低和核周电子云的变形是去屏蔽的基本因素的观点.     

HIRFL 束流相位测量系统性能的改进

 在研究HIRFL 相位测量系统工作原理的基础上, 用自行设计的电缆电子学长度校正方法校正了探针电缆的长度, 并重新设计了信号预选器和系统控制软件; 利用自行设计的自检系统找出并校正了影响系统测量精度的因素。提高了系统的可靠性和测量精度, 使系统可以投入实际的调束运行。     

超薄屏蔽层300 V SOI LDMOS抗电离辐射总剂量仿真研究

本文研究了300 V绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管在电离辐射总剂量效应下的线性电流退化机理,提出了一种具有超薄屏蔽层的抗辐射结构实现线性电流加固.超薄屏蔽层位于器件场氧化层的下方,旨在阻止P型掺杂层表面发生反型,从而截断表面电流路径,有效抑制线性电流的退化.对于横向双扩散金属氧化物半导体场效应管,漂移区上的场氧化层中引入的空穴对线性电流的退化起着主导作用.本文基于器件工艺仿真软件,研究器件在辐照前后的电学特性,对超薄屏蔽层的长度、注入能量、横向间距进行优化,给出相应的剂量窗口,在电离辐射总剂量为0—500 krad(Si)的条件下,将最大线性电流增量从传统结构的447%缩减至10%以内,且辐照前后击穿电压均维持在300 V以上.     

猝发双脉冲直线感应加速器组元研究

在原单脉冲直线感应加速器（LIA）组元的基础上，利用电缆延时和电缆反射两种方式获得了间隔500～1 000 ns的猝发双脉冲输出。在感应加速腔上进行了双脉冲实验，获得了幅度大于200 kV、前沿小于35 ns、平顶大于60 ns的双脉冲加速电压波形。两种方式中第一个脉冲的前沿和幅度都达到了原单脉冲组元的水平，表明加速腔负载的变化对波形没有明显影响，但由于电缆对波形的损耗，第二个脉冲的幅度和前沿比第一个脉冲略差。可以利用水介质传输线来代替长电缆，减小传输线的长度及其对波形的损耗。两个脉冲间的幅度差异可以通过改变长电缆的阻抗来调节。实验表明，通过这两种猝发双脉冲的产生方式并结合加速腔磁芯的改进，可简单高效地完成原单脉冲LIA的双脉冲改造。     

Bremsstrahlung neutrino energy loss for ^24Mg, ^28Si, ^32S, ^40Ca, ^56Fe in strong electron screening

Based on Weinberg-Salam theory the bremsstrahlung neutrino energy loss for nuclei ^24Mg, ^28Si,^32S, ^40Ca and ^56Fe are investigated in strong electron screening. Our results are compared with those of Dicus＇ and show that the latter are higher by 2 orders of magnitude in the density-temperature region of 10^8 g/cm^3 ≤p/μe ≤ 10^11 g/cm^3 and 2.5≤ T9≤ 4.5. On the other hand, the factor C shows that the maximum differences are 99.16%, 99.13%, 99.12%, 99.055%, 99.040% corresponding to the nuclei ^24Mg, ^28Si, ^32S, ^40Ca and ^56Fe.     

电荷屏蔽对快中子俘获过程的影响

本文计算在初生中子星中微子驱动的星风环境中弱电荷屏蔽对质子电子俘获反应的影响.结果表明电荷屏蔽对星风中核子的比加热率、熵等物理参量基本没有影响.但是可以明显提高电子丰度,而这种提高有力地支持了最新的快中子俘获核合成结果.     

高超声速飞行器高温流场对激光武器毁伤效应的影响

以美国ABL系统激光武器为例,分析了高超声速飞行器高温流场气体影响激光武器毁伤效应的一些主要因素,包括气体击穿、等离子体屏蔽效应、烧蚀产物颗粒的影响。结果表明:通常情况下,流场电子数密度小于1017cm-3,流场本身等离子体特性不会引起对激光的等离子体屏蔽效应;只有在0.5 km射程以内和宽脉冲激光引起的高压流场(约10 MPa以上)气体击穿,才会导致明显的等离子体屏蔽效应,但在实际战场条件下这种情况一般不会发生;对采用烧蚀手段进行防热的飞行器而言,飞行高度大于10 km,并且基于自由来流流量的无量纲化烧蚀流量小于10-2左右时,烧蚀产物颗粒不会引起激光的衰减。     

Activation and Afterheat Calculation Analysis for TBM

Safety considerations of TBM are part of the design process to ensure that the TBM do not adversely affect the safety of ITER. So accurate calculations of all radioactivity and potential harmfulness are very important for designing of device, selecting of blanket and shield material, analyzing of the safety and environment, disposing of nuclear waste and operation of the reactor.