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181.
Growth of Strain Free GaN Layers on (0001) Oriented Sapphire by Using Quasi-Porous GaN Template 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
We report the reduced-strain gallium-nitride (GaN) epitaxial growth on (0001) oriented sapphire by using quasiporous GaN template. A GaN film in thickness of about 1 μm was initially grown on a (0001) sapphire substrate by molecular beam epitaxy. Then it was dealt by putting into 45% NaOH solution at 100℃ for lOmin. By this process a quasi-porous GaN film was formed. An epitaxial GaN layer was grown on the porous GaN layer at 1050℃ in the hydride vapour phase epitaxy reactor. The epitaxial layer grown on the porous GaN is found to have no cracks on the surface. That is much improved from many cracks on the surface of the GaN epitaxial layer grown on the sapphire as the same as on GaN buffer directly. 相似文献
182.
183.
184.
Long-Term Stabilization of Carrier-Envelope Phase for Few Cycles Ti:Sapphire Laser Amplifier 下载免费PDF全文
We realize a long-term carrier-envelope phase (CEP) stabilization for a chirped pulse amplified Ti:sapphire laser by locking the oscillator and amplifier independently. Based on the measurement of CEP by employing f-to-2f interference technique between the octave-spanning spectrum which is generated from a rare gas filled hollow fiber, continuous locking time up to 7.2 h with 85 mrad fluctuation is demonstrated. Finely compensating the dispersion by a set of chirped mirrors, quasi-mono cycle pulses as shorter as 3.8 fs are obtained. Further experimental research on high harmonic generation dependence on CEP shown the waveform of laser pulses has been successfully controlled. 相似文献
185.
介绍了一种测量高温的蓝宝石光纤温度计.蓝宝石单晶光纤由于其极好的高温物理化学性能,适用于高温下光纤测温应用,可用作辐射型光纤温度传感器.蓝宝石光纤温度计采用激光加热小基座法生长出端部掺Cr3+的蓝宝石光纤荧光温度传感头.用激光加热小基座,把对荧光有温度反应的材料如红宝石晶体光纤生长在蓝宝石光纤上,制成具有结构紧凑,耐高温,功能稳定的传感探头.通过荧光寿命的检测,可以测量所对应的温度.根据表面温度,可以依据温度场得到内部温度,用于测量连铸炉中的中间包钢水温度,并给出了温度计的实验系统以及原始实验数据.实验数据表明,此结果精度高,可实现非接触测量. 相似文献
186.
化学气相沉积(CVD)法是制备大面积、高质量石墨烯材料的主要方法之一,但存在衬底转移和碳固溶等问题,本文选用蓝宝石衬底弥补了传统CVD法的不足。利用CVD法在蓝宝石衬底上生长石墨烯材料,研究生长温度对石墨烯表面形貌和晶体质量的影响。原子力显微镜(AFM)、光学显微镜(OM)、拉曼光谱和霍尔测试表明,低温生长有利于保持材料表面的平整度,高温生长有利于提高材料的晶体质量。研究氢气和碳源对蓝宝石衬底表面刻蚀作用机理,发现氢气对蓝宝石衬底有刻蚀作用,而单纯的碳源不能对衬底产生刻蚀效果。在1200 ℃下,直径为50 mm的晶圆级衬底上获得平整度和质量相对较好的石墨烯材料,室温下载流子迁移超过1000 cm2·V-1·s-1。 相似文献
187.
188.
本文以c向蓝宝石单晶为对象采用纳米压痕方法测试了不同载荷下蓝宝石单晶的硬度与杨氏模量.分析表明,当载荷P=25±2 mN时出现了第一次位移突变现象,且位移突变量与最大压入载荷无关;试样的硬度与杨氏模量值随着压入深度的增大而减小,呈现出明显的压痕尺度效应;利用Nix-Gao尺度效应模型对测试数据进行了拟合,最终得出试样的硬度值与杨氏模量为30.956 GPa与382.316 GPa,与前人分析结果符合程度较高,证明Nix-Gao模型适用于蓝宝石单晶纳米压痕测试尺度效应的模拟与分析. 相似文献
189.
首先在蓝宝石衬底上旋涂PMMA/copolymer双层胶,然后再进行电子束光刻处理,随后溅射铝膜,并结合剥离技术,从而制备图形化金属铝膜;最后再采用两步热处理法,使图形铝膜发生固相外延反应.在此过程中,侧重于电子束光刻和高温热处理的工艺优化研究.SEM测试结果表明,图形化铝膜在450℃低温氧化热处理24h后,其图形形貌没有发生明显改变;在温度低于1200℃的高温热处理1h后,图形仍然存在.HRXRD分析表明,图形化铝膜在450℃低温热处理24h后再在1000℃高温热处理1h,可在蓝宝石衬底上形成氧化铝外延薄膜;并且相比于基片,氧化铝外延薄膜的结晶质量还有所提高.本方法成功实现了高效大功率用LED蓝宝石图形衬底的制备. 相似文献
190.
在泡生法生长大尺寸蓝宝石单晶的过程中,为了获得高质量的晶体,精确等径控制至关重要.本文根据晶体的重量变化率来控制热场,实现晶体等径生长.设计了应用在线整定多项式权值的广义最小方差(OAPW_GMV)控制方法,并建立了系统模型.该方法的主要思想是根据在线估计的被控对象参数及OAPW_GMV的输出,调整多项式的权值,实现炉内的热场控制.仿真和实验结果表明该控制方法实现了蓝宝石单晶的精确等径控制,有效地提高了蓝宝石单晶的质量. 相似文献