甲基紫分子拉曼激发虚态的研究

从拉曼峰强入手,求得了甲基紫分子的“时间分辨键极化率”,并与第一原理计算的基态电子密度做对比,讨论了该分子的激发拉曼虚态的性质.研究结果表明,该分子的拉曼激发虚态中电子向分子外围以及两环之间的键流动,并且拉曼弛豫后的键极化率分布与基态电子的密度分布相似.通过研究键极化率的弛豫过程,发现连接两环的键上的键极化率弛豫时间较其他键大.这些结果说明了甲基紫这类双环分子拉曼激发虚态的性质,这对于研究拉曼散射的中间态具有一定意义. 关键词： 拉曼峰强 时间分辨键极化率 弛豫特征时间     

C59N和C19N晶体的合成

通过溶解C₆₀的CCl₄溶液在大气中的慢蒸发可以合成C₅₉N和C₁₉N晶体,这项实验结果为C_nN（n≤59）晶体研究开辟了一种简单而有效的途径. 关键词： 富勒烯晶体 飞行时间质谱 透射电子显微镜 X射线光电子能谱     

Alq3和CdSeS量子点掺杂体系的载流子输运性质的研究

利用飞行时间法(time-of-flight)测定了有机小分子发光材料8-羟基喹啉铝(Alq₃)与CdSeS量子点掺杂体系的载流子迁移率.研究了Alq₃和CdSeS混合薄膜的载流子迁移率与外加电场强度和量子点浓度的变化关系.研究结果表明,CdSeS量子点的掺杂浓度的增加会引起薄膜样品位置无序的增加.除此之外,Alq₃和CdSeS量子点界面之间的电荷转移作用,以及在量子点之间进行跳跃传输的电子数量都会改变样品的载流子迁移率. 关键词： 3')" href="#">Alq₃ CdSeS量子点 飞行时间法     

界面生长中断对GaAs (111)衬底上AlGaAs/GaAs量子阱电子自旋寿命的影响

用固源分子束外延技术(SSMBE)在GaAs(111)衬底上,采用不同的界面中断时间生长了多组AlGaAs/GaAs多量子阱样品(MQWs),通过室温发光光谱和时间分辨克尔旋转谱(TRKR)研究了界面生长中断对发光光谱半峰全宽(FWHM)和量子阱中电子自旋弛豫时间(自旋寿命)的影响,发现了自旋寿命随着界面生长中断时间的增加呈现先减小后增加的趋势,此变化趋势与荧光光谱半峰全宽表征的材料质量随中断时间的变化一致,适当的界面生长中断时间能有效的增加GaAs (111)衬底上AlGaAs/GaAs 多量子阱中电子自旋寿命。     

多孔介质中流体输运的孔尺度SPH模拟

本文采用光滑粒子流体动力学(SPH)方法[1]对流体流过多孔介质的过程进行数值模拟,方法与程序用经典的Poiseuille流与多孔介质流动的Kozeny解进行了验证.PH进一步用于数值模拟跨膜流动,获得了跨膜流动中速度场随时间的演化过程.多孔膜孔径在1 靘到200 靘范围内,流体跨膜渗透速度的SPH结果与K-K方程的计算值吻合较好.文中还讨论了粒子数目与计算精度的关系.本文的计算结果表明SPH方法具有模拟多孔介质微流动的能力.     

平行导体板与带电直导线电场的保角变换分析

平行导体板间点电荷的静电场问题,由于其物理图像清晰,已经得到解决．平行导体平板问线电荷的静电场,可用分离变量法求解其问的电场,但比较繁琐、不直观．本文采用保角变换法分析了平行导体板和线电荷形成的静电场问题,采用指数变换与镜像法联合使用的方法,求解其间的电场分布．通过电势表达式,得到电场的解析形式,并结合Maflab画出电场线图形,最后将结果引申到平行导体板带电情况下的电势分布．     

探索两个世界的分界线

据2008年9月27日美国Science News报道:9月3日费米实验室的Dzero探测器发言人DmitriDenisov宣布,他们发现了一个由底夸克和围绕着它旋转的两个奇异夸克组成的奇异粒子,该粒子被命名为Ωb-(Omega-b-minus).这是继1964.年发现由3个奇异夸克组成的奇异粒子后,又一个符合粒子物理标准模型所预见的粒子.美国斯坦福直线加速器中心的物理学家Michael Peskin誉此发现为装饰在美妙理论桂冠上的又一根羽毛.     

外加电场法制备LiNbO3周期畴的反转电流特性研究

采用外加电场法制备了LiNbO3单晶周期畴结构.在对不同尺寸周期畴的反转电流进行比较研究的基础上,提出了一种确定反转畴成核时间和纵向贯穿速率的方法.根据这一方法,得到在电场强度为25.1 kV/mm,脉冲宽度为50 ms的脉冲方波作用下,LiNbO3单晶反转畴的成核时间约为80 ns,纵向贯穿速率约为O.1667 m/s.