Improvement of Properties of p-GaN by Mg Delta Doping

The Mg-delta-doped GaN structure has been grown by low-pressure metalorganic chemical vapour deposition.The Hall-effect measurements reveal that the electrical properties are enhanced. The hole concentration is enhanced twice and hole mobility is enhanced three times by Mg-delta doping. Both the etch pit density data and the x-ray diffraction data demonstrate that Mg-delta doping can reduce the threading dislocation density of p-type GaN epilayer.     

空间分辨漫反射的一阶散射参量灵敏度

以输运理论的P3近似为基础,推导了空间分辨漫反射的一阶散射参量灵敏度的解析表示,并进行了数值分析,比较了散射参量对P3近似和漫射近似漫反射的影响.结果表明:在距光源两个输运平均自由程以内,该灵敏度与相应于漫射近似的灵敏度差别较为明显;距离光源约四个输运平均自由程附近,该灵敏度等于零,并且与光源之距与相应于漫射近似情况也...     

Partial-SOI high voltage P-channel LDMOS with interface accumulation holes

A new partial SOI (silion-on-insulator) (PSOI) high voltage P-channel LDMOS (lateral double-diffused metal-oxide semiconductor) with an interface hole islands (HI) layer is proposed and its breakdown characteristics are investigated theoretically. A high concentration of charges accumulate on the interface, whose density changes with the negative drain voltage, which increase the electric field (E_I) in the dielectric buried oxide layer (BOX) and modulate the electric field in drift region . This results in the enhancement of the breakdown voltage (BV). The values of E_I and BV of an HI PSOI with a 2-μm thick SOI layer over a 1-μm thick buried layer are 580V/μm and -582 V, respectively, compared with 81.5 V/μm and -123 V of a conventional PSOI. Furthermore, the Si window also alleviates the self-heating effect (SHE). Moreover, in comparison with the conventional device, the proposed device exhibits low on-resistance.     

CO电子基态P线系跃迁谱线的理论研究

基于微分的思想,结合经典的双原子分子跃迁谱线表达式,提出了预言双原子分子P线系高激发振-转跃迁谱线的新解析物理公式.对于某分子电子体系的某一P支跃迁带,利用实验上获得的一组(15条)精确的跃迁谱线和该跃迁带对应的上下振动态的转动常数(B_υ',B_υ″)的精确数据,该公式不仅可以精确地重复已知的实验跃迁谱线,而且还能预测出实验上难以获得的更高激发态的跃迁谱线数据.利用该公式,研究了CO分子电子基态的(2,0)振-转跃迁带的< 关键词： 双原子分子 发射光谱 P线系')" href="#">P线系 CO     

紧凑型P波段相对论返波振荡器的粒子模拟

 设计了一种紧凑型P波段相对论返波振荡器,其电动力学结构是由同轴慢波结构和同轴引出结构组成的。同轴慢波结构缩小了器件的径向尺寸;同轴引出结构缩短了器件的轴向长度,且提高了束波作用效率。通过粒子模拟研究了器件内束波作用的物理过程,模拟结果表明：器件具有结构紧凑、束波作用效率高的特点。在二极管电压700 kV,电流7 kA,导引磁场1.5 T时,器件在频率833 MHz处获得较高的微波输出,饱和后输出微波的平均功率达1.58 GW,效率约为32%,器件电磁结构尺寸仅为108 mm×856 mm。     

P(α,α′)πN反应中N(1440)激发的蒙特卡罗研究

在P(α,α′)πN反应的几种反应机制中研究N^*(1440)激发, 利用蒙特卡罗模拟的办法重现N^*(1440)共振峰的位置, 我们在给定入射能量情况下模拟出末态各出射粒子的动量, 角分布情况. 计算结果可以在πN的不变质量谱中观察到明显的N^*(1440)共振峰, 同时达里兹图中在πN系统能量平方为2100MeV²附近事件分布密集, 而别的组态却没有观察到这些情况, 这都说明了πN共振粒子N^*(1440)的产生.     

负P表示非经典光场的Wehrl熵和Shannon熵

研究了负P表示非经典光场的Wehrl熵和Shannon熵与场参数m和平均光子数(-n)的关系,结果显示,负P表示的非经典光场的Wehrl熵随着场参数m和平均光子数的增大而减小,当(-n)增大到一定程度时Wehrl熵趋向于一个不变的常数.用数值计算的方法研究了负P表示光场的Shannon熵与平均光子数(-n)的关系,结果表明,Shannon熵随着场参数m和平均光子数(-n)的增大而增大.同时发现,Wehrl熵随光场总噪声的增大而减小,Shannon熵随力学量起伏的减小而减小.     

基于改进的压缩式随机游走算法对静态电源/地网的模拟

将随机游走法和等效电路压缩相结合,对静态P/G网(Power and Ground Networks)进行分析.针对一个大规模的电路,在经过多层的参数提取和建模后,得到静态P/G网模型.首先根据网络的规律性,运用等效电路压缩法将原始的P/G网进行压缩处理,然后运用随机游走法求解,最后利用计算得到的化简网络电压值,通过相关的插值公式得到原网络的电压值.实验数据表明,改进的压缩式随机游走法可有效简化网络的复杂性,节省计算时间,计算速度提高到普通随机游走法的两个数量级以上.     

Raman和FT—IR光谱研究乙酰胺和银（Ⅰ）,铜（Ⅱ）离子的作用

用Ｒａｍａｎ和ＩＲ光谱研究乙酰胺和Ａｇ（Ⅰ）－Ｃ（Ⅱ）离子的作用。结果发现，Ａｇ（Ⅰ）和Ｃｕ（Ⅱ）离子可增强对乙酰胺光谱频带的识别能力，原在ＡＡ中被掩盖的某些谱带，由于Ａｇ－Ｃｕ离子的进入而得到了辨认。     

铁磁绝缘层对正常金属/铁磁绝缘层/正常金属/p波超导结隧道谱的影响

在正常金属/铁磁绝缘层/正常金属/自旋三重态p波超导隧道结中,考虑到铁磁绝缘层的磁散射和粗糙界面散射,运用Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程和Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论模型,研究了铁磁绝缘层对隧道结微分电导的影响.研究表明:(1)对于px波,粗糙界面散射和磁散射都能使零偏压电导峰变低,能隙处凹陷升高;随着磁散射的增强,谱线的尖锐峰消失,宽峰逐渐变为凹陷;(2)对于py波,粗糙界面散射和磁散射都能使零能凹陷上移,能隙峰变低,随着粗糙界面散射的增强,两能隙峰间距减小;随着中间正常金属层厚度的增加,能隙内电导随外加偏压呈现振荡行为,能隙外电导仅与普通势垒有关;(3)对于px+ipy波,随着粗糙界面散射的增强,零偏压电导峰被压低,双凹陷处的值逐渐增大为小的能隙峰,而磁散射并不改变谱线中各凹陷处的电导值.