Compton软化过程的扩散方程

本文讨论X射线穿过“冷”等离子体介质时所发生的辐射转移过程,这种由电子-光子散射造成的特殊转移过程被称做Compton软化.文中导出了软化过程的扩散方程式,并指出它在天体物理与辐射物理中的潜在应用.     

关于完备Riemann流形的本性谱

本文证明一类具非负截曲率完备Riemann流形的Laplace算子的本性谱为(0,+∞)。     

具有随机生存域的随机场

本文研究具有随机开参数集的随机场构造,获得了具有已知有穷维分布的随机场存在和唯一性条件。     

熔融LiCl及其急冷非晶键取向序的分子动力学模拟研究

本文进一步讨论了我们新近提出的等近邻数键球谐函数方法,并通过分子动力学模拟研究了熔融LiCl及其急冷过程。对计算机模拟各时间步产生的瞬态构型进行平均,计算了不同温度下键序Q_l谱.将模拟Q_l谱与线性组合模型Q_l谱比较,观察到模拟Q_l谱与含90％局部正四面体结构的组合模型十分相似,表明熔融Licl及其急冷非晶中局部键取向序明显倾向于正四面体序。急冷过程中不同温度下局部键取向序可用同一线性组合模型描述,但模型方差随模拟温度明显变化。方差随温度而降低,且在发生玻璃态转变时有一显著下降。不同温度下的键角分布也作了计算,观察到键角分布在109°(正四面体局部结构键角)附近且分布峰随温度升高而展宽,与键序Q_l得到的结论一致。     

光纤面板传输机理研究(Ⅱ)

本文在文献[1]研究的基础上,建立了光纤面板的结构模型。利用光学信息理论,研究了光纤面板的传输机理。通过分析、计算光纤面板传输的光学信息量,给出了光纤面板传递最大信息量时的最佳结构参数和扩散参量。     

硅中铜与电子辐照缺陷的相互作用

本文研究了FZ与CZ硅中铜与电子辐照缺陷的相互作用.实验表明,这种作用使扩铜并经电子辐照的n型FZ硅出现两个未经报道的新的深中心,E(0.043)和E(0.396).前者只存在于FZ硅而不存在于CZ硅.后者在扩铜并经电子辐照的n型FZ和CZ硅中都存在.电子辐照再加适当温度的热处理还可电激活硅中的铜,另外,铜的存在还使硅中双空位的退火温度显著地降低.种种实验表明,在硅中与铜有关的六个主要能级分别对应于六种不同结构的深中心,在这些深中心之中既包含铜又包含点缺陷.其中E(0.043)很可能是铜与间隙硅原子的络合物,而E(0.167)及H(0.411)则很可能是铜与空位的不同形态的络合物.     

真值维护系统的语义研究

本文研究了带有CP(Conditional Proof)验证式 TMS(Truth Maintenance System)理论的形式语义,证明了TMS理论J转换为新理论J*后,原指称的有效性;讨论了U. Junker和Kurt Konolige所定义的不带CP验证式 TMS理论的扩充在我们的语义模型中的有效性。此外,本文还讨论了CP验证式的一些性质,结论是:CP验证式和非单调可证明性、逻辑真有着密切的关系。     

带延迟约束单机排序的改进算法

给出了带延迟排序的一个改进启发式算法,从而解决了Wikum等提出的一个问题。并且此算法可以最优求解单位加工时间的问题,进一步对另一个问题,此算法亦被证明好于Wikum等原来的算法。     

含氢硅单晶2210cm-1红外吸收峰本质的理论研究——Ⅰ.振子频率的价键力场计算

本文根据Urey-Bradely 力场的思想,用价键力场的方法对文献[1]中提出的含氢硅单晶中2210cm^-1吸收峰对应的缺陷复合体的两个模型:空位+4H,间隙硅烷,进行了振动频率的计算.在对计算结果和力常数调节合理性分析的基础上,得出了空位+4H模型比较合理的结论.此外还介绍了理论计算揭示的从实验上区分两个模型的可靠途径.     

考虑两种不确定性的模糊决策方法

本文提出了一种新的考虑两种不确定性的模糊决策方法。该方法采用贴近测度SM和阈值λ以决定是否启用某条规则,井用修正函数MF修正推出的结论;然后,再利用专家对规则的置信度SC再一次校正修正后的结论。这种决策方法将为专家系统提供有效的推理工具。本文最后,提出了算法及例子。