PL同伦方法进展

本文综述PL同伦方法的基本理论和主要进展。我们并不过分注意历史过程,方法的几何拓扑结构才是述评的主要出发点。此外,我们还提出进一步讨论的课题。     

低速模拟中叶型最大厚度模化研究

介绍了低速模拟中低速叶型的设计准则,分析说明了叶型喉道宽度与最大厚度、最大厚度位置存在线性关系.建立了最大厚度模型,用以预估低速叶型最大厚度.为了验证最大厚度模型的适用性,进行了一组典型CDA叶型的低速模拟设计.数值计算结果显示,低速模拟叶型的特性和叶表无量纲速度分布较为一致,用以判断最大厚度模型适用性的吸力面峰值速度...     

介观物理系统中的噪声

描述了介观物理系统中噪声的研究现况. 对热噪声和散粒噪声的物理起源做了详细介绍，热噪声是系统的能态占据数发生涨落引起的，而散粒噪声源于载流子传输的微粒特性. 还介绍了研究噪声的主要理论——散射理论，并给出了其在马鞍形半导体量子线和铁磁/绝缘体/半导体双异质结两种介观系统中的应用，指出了噪声研究的实际物理意义. 关键词： 介观物理 热噪声 散粒噪声 散射理论     

一类扰动Kadomtsev-Petviashvili方程的雅可比椭圆函数解的收敛性探讨

为构造一类扰动Kadomtsev-Petviashvili (KP)方程的级数解,利用同伦近似对称法求出三种情形下具有通式形式的相似解以及相应的相似方程.而且,对于第三种情形下的前几个相似方程,雅可比椭圆函数解亦遵循共同的表达式,这可以产生形式紧凑的级数解,从而为收敛性的探讨提供便利:首先,对于扰动KP方程的微扰项,给定u关于变量y的导数阶数n,若n≤1(n≥3),则减小(增大)|a/b|致使收敛性改善;其次,减小ε,|θ-1|以及|c|均有助于改进收敛性.在更一般情形下,仅当微扰项的导数阶数为偶数时,扰动KP方程才存在雅可比椭圆函数解.     

Ferromagnetic barrier-induced negative differential conductance on the surface of a topological insulator

The effect of the negative differential conductance of a ferromagnetic barrier on the surface of a topological insulat（ is theoretically investigated. Due to the changes of the shape and position of the Fermi surfaces in the ferromagnetic barrie the transport processes can be divided into three kinds： the total, partial, and blockade transmission mechanisms. The bias voltage can give rise to the transition of the transport processes from partial to blockade transmission mechanisms, which results in a considerable effect of negative differential conductance. With appropriate structural parameters, the currenl voltage characteristics show that the minimum value of the current can reach to zero in a wide range of the bias voltag and then a large peak-to-valley current ratio can be obtained.     

用于超导储能系统的变压器持续电流开关的研究

本基于变压器的特性提出了一种能用于超导储能系统的新型超导持续电流开关，即变压器持续电流开关。变压器原边线圈Ｔ１的匝数大于副边线圈的匝数，在变压器逼边设置彼此反接的两副边线圈Ｔ２和Ｔ３以减少开关的电感和避免变压器的铁芯饱和。     

单频窄线宽分布布拉格反射光纤激光器研究

分析了单频窄线宽分布布拉格反射（DBR）光纤激光器的单模工作条件,在此基础上算出单模工作区域,制作了一个单频窄线宽分布布拉格反射光纤激光器。该激光器在波长为975.5nm的半导体激光器抽动下,在1556.91nm波长处。当抽运功率为55.35mW时输出功率可达1.43mW,频宽小于1.2MHz(受测量仪器分辨率限制）。经测量,该输出激光是稳定的单纵模输出。     

基于视觉的传感器位置记忆追踪方法

在采用某些特殊传感器测量参数时,需要在传感器移除后确定出原来的测量位置,比如采用穴位传感器测量出患者多个经络穴位的异常表现后,需要确定出异常穴位的实际位置,对其施加干预措施,缓解患者疼痛并改善身体状况.为此,研究了传感器的记忆追踪问题,提出了一种基于视觉的传感器位置记忆追踪方法,在传感器和被测对象上分别粘贴AprilT...     

超薄屏蔽层300 V SOI LDMOS抗电离辐射总剂量仿真研究

本文研究了300 V绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管在电离辐射总剂量效应下的线性电流退化机理,提出了一种具有超薄屏蔽层的抗辐射结构实现线性电流加固.超薄屏蔽层位于器件场氧化层的下方,旨在阻止P型掺杂层表面发生反型,从而截断表面电流路径,有效抑制线性电流的退化.对于横向双扩散金属氧化物半导体场效应管,漂移区上的场氧化层中引入的空穴对线性电流的退化起着主导作用.本文基于器件工艺仿真软件,研究器件在辐照前后的电学特性,对超薄屏蔽层的长度、注入能量、横向间距进行优化,给出相应的剂量窗口,在电离辐射总剂量为0—500 krad(Si)的条件下,将最大线性电流增量从传统结构的447%缩减至10%以内,且辐照前后击穿电压均维持在300 V以上.     

铕激活的铝酸锶镁的合成及发光特性

研究了二价铕激活的Sr1-nMgnAl2O4的合成、发光性质以及基质组分Sr/Mg摩尔比与荧光性质的关系，并对其余辉及衰减进行了测定。