亮孤子在宇称时间对称波导中的传输和控制

基于光波在宇称-时间(PT)对称波导中传输的理论模型, 数值研究了亮孤子在呈高斯分布的PT对称克尔非线性平板波导中的传输和控制. PT对称波导, 要求波导的折射率分布呈偶对称, 而增益/损耗分布呈奇对称. 结果表明: 当波导的折射率分布强度为正时, PT对称波导的中心折射率最大, 即使没有自聚焦克尔非线性效应, PT对称波导也可以束缚光波, 形成波浪形光束且长距离传输; 当折射率分布强度为负时, PT对称波导的中心折射率最小, 光波的传输方向发生偏移. 而增益/损耗分布可控制光波的偏移方向: 增益/损耗分布强度为正, 光波向左偏移; 强度为负, 光波向右偏移; 强度为零时, 光波被分为两束. 且当折射率分布强度为负时, 可以很好地抑制相邻亮孤子间的相互作用. 该研究结果可为未来PT对称波导在全光控制方面的应用提供一定的理论依据.     

铕激活的铝酸锶镁的合成及发光特性

研究了二价铕激活的Sr1-nMgnAl2O4的合成、发光性质以及基质组分Sr/Mg摩尔比与荧光性质的关系，并对其余辉及衰减进行了测定。     

混沌和超混沌系统中的奇怪吸引子及其分析

用四阶定步长龙格—库塔算法对几种混沌和超混沌系统进行数值求解，绘制了各种系统典型奇怪吸引子的相图，对奇怪吸引子的结构和特性进行了分析。     

热效应对光折变晶体两波耦合的特性影响的理论分析

用一种模型对两波耦合进行了分析，导出了强度相位的解析式，对影响两波耦合的参数进行了理论分析。分析了对ＢａＴｉＯ３光折变晶体的两波耦合的测量结果。     

BOUND POLARONS IN ASYMMETRIC QUANTUM WELLS IN AN ELECTRIC FIELD

We have proposed the Hamiltonian of a polaron bound to a donor impurity in semiconductor quantum wells (QWs) in the presence of an electric field. The couplings of an electron with the confined bulk like longitudinal optical (L₀) phonons, halfspace L₀ phonons and interface phonons are considered. In particular, the interaction of the impurity with the various phonon modes is also included. We have calculated the ionization energy of a bound polaron in Al_xl Ga_1-xl As/GaAs/Al_xr Ga_1-xr As asymmetric and symmetric QWs. Results are obtained as a function of the barrier height (or equivalently of Al concentration x),the well width, the electric field intensities and the position of impurity in the QWs. Our numerical calculations show clearly that the interaction between the impurity and the phonon field plays an important role in screening the Coulomb interaction. It is shown that for at hin well (＜12nm), the cumulative effects of the electronphonon coupling and the impurityphonon coupling can contribute appreciably to the donor ionization energy and polarizability.     

多狭缝空间滤波假彩色编码

利用空间滤波合成狭缝彩虹全息技术对二维透射物进行假彩色编码,当参考光以不同的方向传播时,记录二维透射物的不同空间频谱所对应的物像,全息图在白光再现时将透镜平移就呈现不同颜色全息效果图。     

超薄屏蔽层300 V SOI LDMOS抗电离辐射总剂量仿真研究

本文研究了300 V绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管在电离辐射总剂量效应下的线性电流退化机理,提出了一种具有超薄屏蔽层的抗辐射结构实现线性电流加固.超薄屏蔽层位于器件场氧化层的下方,旨在阻止P型掺杂层表面发生反型,从而截断表面电流路径,有效抑制线性电流的退化.对于横向双扩散金属氧化物半导体场效应管,漂移区上的场氧化层中引入的空穴对线性电流的退化起着主导作用.本文基于器件工艺仿真软件,研究器件在辐照前后的电学特性,对超薄屏蔽层的长度、注入能量、横向间距进行优化,给出相应的剂量窗口,在电离辐射总剂量为0—500 krad(Si)的条件下,将最大线性电流增量从传统结构的447%缩减至10%以内,且辐照前后击穿电压均维持在300 V以上.     

平台式和斜坡式表面放电辐射源放电特性的比较

 介绍了平台式和斜坡式两种结构的表面放电辐射源,研究了在1.0 μF和1.5 μF储能电容、15~30 kV充电电压等实验条件下两种辐射源的放电特性,并对实验结果进行了比较分析。得到如下结论：对于斜坡式辐射源,增加电极间距可导致放电回路面积增大,因此等效电阻和等效电感也将增加;在相同电压及电容值条件下,斜坡式辐射源的放电电流、平均沉积功率均小于平台式辐射源的相应值,但放电沉积效率略大;电压升高使放电周期、电流达到峰值时间及放电沉积效率呈减小趋势,对于同一种辐射源,使用1.5 μF电容时放电回路参数更加匹配,放电沉积效率得到提高。     

Friction Properties of Bio-mimetic Nano-fibrillar Arrays

Nano-fibrillar arrays are fabricated using polystyrene materials. The average diameter of each fiber is about 300 nm. Experiments show that such a fibrillar surface possesses a relatively hydrophobie feature with a water contact angle of 142°. Nanoscale friction properties are mainly focused on. It is found that the friction force of polystyrene nano-fibrillar surfaces is obviously enhanced in contrast to polystyrene smooth surfaces. The apparent coefficient of friction increases with the applied load, but is independent of the scanning speed. An interesting observation is that the friction force increases almost linearly with the real contact area, which abides by the fundamental Bowden-Tabor law of nano-seale friction.