铌酸锂γ射线辐照色心缺陷的研究

对铌酸锂晶体进行γ射线辐照处理，吸收光谱显示基础吸收边紫移，４８０ｎｍ波长附近出现一明显吸收峰，这是由空位色心Ｖ０和Ｎｂ＾４＋缺陷引起的，Ｎｂ＾４＋的存在进一步被ＥＰＲ实验所证实。本文对上述辐照缺陷的产生机理进行了讨论。     

光纤通信在市内接入网的应用

先说明市内接入网的单位用户和住家用户两大类使用通信和电视、交互型和分配型业务的要求不相同，相应地对光纤传输的应用须作不同的考虑，文中认为；光纤从市内交换局直连办公大楼是合乎现实需要的，而对于居民住家，宜选用光纤连至路边或光纤与同轴结合和适当利用无源光网络等方案，俟将来时机成熟才实行光纤连至每一家，文末有概括总结，说明接入网不同于长途网，接入网的光纤系统可以使用常规单模光纤，工作于波长1．3μm，而光放大器和波分多路系统不是普遍需要，但光电子集成在光端机中是必要的。     

α,α′-二氧代烯酮环二氮代缩醛的NMR研究

报道了5种新的α，α′-二氧代烯酮环二氮代缩醛化合物的NMR谱，初步探讨了分子结构对化学位移的影响．     

玻璃陶瓷材料中Tm3+离子红外到蓝色上转换发光

系统研究了PbF2+GeO2+WO3ⅩⅣTmF3玻璃陶瓷材料中,在近红外光(1.06μm)激发下,Tm3+离子的发光特性.实验中观测到Tm3+离子的两组峰值位置分别在20920cm-1和22173cm-1的蓝色上转换发光,并证实这两组上转换发光分别与吸收三个和四个光子有关,同时建立了上转换发光的模型.为了选择最佳掺杂浓度,详细地测量了Tm3+离子峰值为20920cm-1的蓝色上转换发光强度与TmF3浓度的关系.     

随机发展方程适度解的存在唯一性(Ⅱ)

讨论如下Hilbert空间中的半线性随机发展方程的Cauchy问题 dy(t)=[Ay(t) f(t,y(t))]dt G(t,y(t))dw(t) y(O)=V_u的适度解的存在唯一性,在更一般的条件下,得到了该问题的适度解的存在唯一性。     

双层桥梁耦合系统的强迫振动

本文研究作为双层桥模型的梁方程耦合系统，利用Ｌｅｒａｙ－Ｓｃｈａｕｄｅｒ不动点定理，得到了一个关于这种系统的解的存在性定理，它类似于ＭｃＫｅｎｎａ和Ｗａｌｔｅｒ文２中关于吊桥方程的一个定理。     

Local and Parallel Finite Element Algorithms for Eigenvalue Problems

Abstract Some new local and parallel finite element algorithms are proposed and analyzed in this paper foreigenvalue problems.With these algorithms, the solution of an eigenvalue problem on a fine grid is reduced tothe solution of an eigenvalue problem on a relatively coarse grid together with solutions of some linear algebraicsystems on fine grid by using some local and parallel procedure.A theoretical tool for analyzing these algorithmsis some local error estimate that is also obtained in this paper for finite element approximations of eigenvectorson general shape-regular grids.     

四角晶相HfO2(001)表面原子和电子结构研究

采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO₂)体相及 其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明，t-HfO₂(001)表面不会 产生重构现象.与体相电子结构相比, t-HfO₂(001)表面态密度明显高于体相态 密度.其次，表面原子的态密度更靠近费米能级(E_F)，价带往低能量处移动，并 有表面态产生.计算结果表明了t-HfO₂表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度. t-HfO₂(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位 数减少，表面原子周围的环境发生变化而引起的. 关键词： 密度泛函理论 2(001)')" href="#">t-HfO₂(001) 表面电子结构     

Ag+掺杂的立方相Y2O3:Eu纳米晶体粉末发光强度研究

采用化学自燃烧法制备了不同Ag⁺掺杂浓度的Y₂O₃:Eu纳米晶体粉末样品(［Y³⁺］∶［Eu³⁺］∶［Ag⁺］=99∶1∶X，X=0—3.5×10^-2)，以及通过退火处理得到了相应的体材料.根据X射线衍射谱确定所得纳米和体材料样品均为纯立方相.实验表明在纳米尺寸样品中随着Ag离子浓度的增加，荧光发射强度随之增加，当X=2×10^-2时达到最大值，其发光强度比X=0时提高了近50%.当Ag离子浓度继续增加，样品发光强度保持不变.在相应的体材料样品中则没有观察到此现象.通过对各样品的发射光谱，激发光谱，X射线衍射图谱，透射电镜(TEM)照片和荧光衰减曲线的研究，分析了引起纳米样品荧光强度变化的原因是由于Ag离子与表面悬键氧结合，从而使这一无辐射通道阻断，使发光中心Eu³⁺的量子效率提高；Ag⁺的引入所带来的另一个效应是使激发更为有效.这两方面原因使发光效率得到了提高.     

共沉淀法制备Y_2O_2S∶Eu~(3+),Mg~(2+),Ti~(4+)红色长余辉材料

用共沉淀法制备了Y2O2S∶Eu3 ,Mg2 ,Ti4 红色长余辉材料。测量了材料的电子显微形貌、晶体结构和发射光谱。通过与固相法制备的Y2O2S∶Eu3 ,Mg2 ,Ti4 长余辉材料比较,发现两种方法都可以制备粒度基本相同的纯相Y2O2S基质晶体,但共沉淀法样品的颗粒结构更松散。研究了Eu3 浓度对两种方法制备样品的谱线发射强度的影响,通过比较共沉淀法和高温固相法制备的样品中Eu3 的5D1→7F3较高能级跃迁的587.6 nm谱线强度随Eu3 浓度的变化,发现共沉淀法更有利于Eu3 均匀进入Y2O2S基质晶格而形成有效的发光中心。