A=100区奇奇核旋称反转

利用两准粒子加轴对称转子模型,对A=100质量区两个奇奇核¹⁰²Rh和^{9 8}Rh的旋称反转进行了研究.结果表明,在A=160,130,80三个质量区奇奇核的计算中 已得到证实的、可能的旋称反转机制(即低K空间n-p相互作用和科氏力的相互竞争),对 于A=100质量区奇奇核也是适用的.这暗示在不同质量区奇奇核可能存在一种普遍的旋称 反转机制. 关键词： 奇奇核 旋称反转 两准粒子加轴对称转子模型     

椭圆截面非球形颗粒群的多重光散射

尽管非球形下一些特殊形状颗粒的单散射已被得到,球形多颗粒系（颗粒群）的多重散射也被研究,但至今仍未得到非球形颗粒群的多重散射.文中建立了一类椭圆截面非球形颗粒模型,求得其散射相位函数,借助于辐射传播方程,考虑形状及大小分布,得到了该类颗粒群的多重光散射.在两种特例情况下的结果能与已有的结果符合较好,说明了方法的可靠性.计算分析表明：非球形颗粒群的多重散射光强角分布要比球形颗粒平坦.椭圆截面颗粒的粒度或形状参数越大,多重散射光越集中于小的散射角;粒度分布或形状分布越宽,多重散射光强的角分布越平坦.随着光学厚 关键词： 多重光散射 颗粒 非球形 椭圆截面     

GaNAs／GaAs中的激子局域化和发光特性

通过多种光谱手段研究了GaNAs量子阱和体材料中的局域态和非局域态的不同光学特性．在超短激光脉冲激发下，第一次在GaNAs／GaAs量子阱发光光谱中，观察到非局域激子发光．选择激发光谱表明，局域中心主要聚集在GaNAs、GaAs异质结界面．在低N含量的GaNAs体材料发光光谱中，除了与N相关的局域态发光外，也发现发光特性完全不同的GaNAs合金态发光．这些结果为理解Ⅲ-Ⅴ-N族半导体的异常能带特性具有十分重要的意义．     

基于两次采样的大动态微弱信号探测

在大动态微弱信号检测领域，为了提高探测系统的ADC模数转换器(Analog to Digital Converter)的精度，以滨松公司的 CCD电荷耦合器件(Charge Coupled Device)传感器芯片S11156，选择16位精度的ADI公司的AD9265芯片与AD9747芯片，使用两次采样的设计原理，搭建硬件电路，通过对微弱信号的放大，实现低精度ADC对信号的检测。仿真结果表明可以实现在不改变ADC位数的情况下，实现高精度的测量，满足特定情况下的探测需要，同时硬件电路调试时与仿真结果相吻合。     

基于电流镜积分的红外探测器读出电路设计

详细分析了电流镜积分(CMI)读出电路的工作原理、设计过程和CMI结构的噪声,并用CSMC 0.5μm CMOS工艺对所设计的电路进行仿真和版图设计,仿真结果表明CMI结构在电源电压为5 V,积分电容为2 pF时能提供一个较大的电荷存储能力(6.25x107个电子);在光生电流为50 pA时,探测器偏压稳定在3.615...     

全氟庚烷端基聚丙烯酸的制备及其水溶液的表面张力

高分子聚电解质既不同于简单的电解质,也不同于无离解基团的高聚物,表现出特殊的物理化学性能,其研究在理论上有重大的意义．同时,聚电解质具有重要的实用价值,如在污水处理、土壤改良、三次采油、钻井液添加剂、制药等领域有广泛的应用．在生命科学中,高分子聚电解质的研究对于正确理解生物大分子的作用（如蛋白质和脂类在生命体中的作用）是十分重要的［１］．聚丙烯酸（ＰＡＡ）是研究较多的合成聚电解质,其分子链在水溶液中离解而带有大量羧酸阴离子［２］,Ｉｓｈｉｍｕｒｏ等［３,４］较详细研究了ＰＡＡ水溶液的表面张力随其…     

A Study on Porosity Distribution in Nanoporous TiO2 Photoelectrodes for Output Performance of Dye-Sensitized Solar Cells

Porosity as one of the crucial factors to film morphology affects the overall electrical current-voltage characteristics of dye-sensitized solar cell （DSC）. We search for the short-circuit current density, the open-circuit voltage and the maximum power output as the main functional parameters of DSC closely related to porosity under different film thickness. The theoretical analyses show some exciting results. As porosity changes from 0.41 to 0.75, the short-circuit current density shows the optimal value when the film thickness is 8-10 μm. The open-circuit voltage presents different variation tendencies for the film thicknesses within 1-8 μm and within 10-30 μm. The porosity is near 0.41 and the film thickness is about 10 μm, DSC will have the maximum power output. The theoretical studies also illustrate that given a good porosity distribution, DSC can obtain an excellent short-circuit current characteristic, which agrees well with the experimental results reported in previous literature.     

等离子体增强化学气相沉积工艺制备SiON膜及对硅的钝化

研究了等离子体增强化学气相沉积工艺条件对氮氧化硅膜的生长厚度及折射率的影响以及氮氧化硅/氮化硅叠层膜对p型硅片的钝化效果.实验结果表明,NH3的流量和N2O/SiH4流量比对氮氧化硅膜的影响较大,薄膜折射率能从1.48变化到2.1,厚度从30—60 nm不等.腔内压力和射频功率主要影响膜厚,压力越大,功率越大,沉积速率加快,生成的膜越厚.温度对膜厚和折射率的影响可以忽略.钝化效果显示,在有无NH3下,N2O/SiH4流量比分别为20和30时,退火后氮氧化硅/氮化硅叠层膜对p型硅的钝化效果最好,其潜在电压和少子寿命分别为652 mV,56.7μs和649 mV,50.8μs,均优于参照组氮化硅膜样品的钝化效果.     

低N含量GaAsN材料的共振喇曼散射及其带边以上的光致发光光谱

利用显微光致发光技术,观测到了N含量为0.1%,0.22%,0.36%和0.62%的GaAsN合金的E0,E0+△0和E+能级的光致发光峰.共振喇曼散射谱进一步证实了这些发光峰来源于所研究材料的本征能级,而不是来源于GaAsN合金中的一些局域激子发射.随着N组分的增加,E0+△0和E+能级分别向低能和高能方向移动并在N组分为0.16%时发生交错.文中提出了一种少量等电子掺杂和显微光致发光谱相结合的方法来直接观测半导体材料带边以上的跃迁能级,尽管光致发光谱通常没有用来观测这些能级位置.     

Photoreflectance system based on vacuum ultraviolet laser at 177.3 nm

Photoreflectance (PR) spectroscopy is a powerful and non-destructive experimental technique to explore interband transitions of semiconductors. In most PR systems, the photon energy of the pumping beam is usually chosen to be higher than the bandgap energy of the sample. To the best of our knowledge, the highest energy of pumping laser in reported PR systems is 5.08 eV (244 nm), not yet in the vacuum ultraviolet (VUV) region. In this work, we report the design and construction of a PR system pumped by VUV laser of 7.0 eV (177.3 nm). At the same time, dual-modulated technique is applied and a dual channel lock-in-amplifier is integrated into the system for efficient PR measurement. The system's performance is verified by the PR spectroscopy measurement of well-studied semiconductors, which testifies its ability to probe critical-point energies of the electronic band in semiconductors from ultraviolet to near-infrared spectral region.