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101.
介质化学纯度影响受激布里渊散射的实验研究 总被引:3,自引:0,他引:3
选用对532 nm绿光吸收很弱的氯化铜甲醇溶液(氯化铜为掺杂物质)作散射介质,实验研究了不同掺杂浓度的甲醇溶液所产生的后向受激布里渊散射光的远场光斑大小、脉冲波形、相对能量的差异,分析讨论了介质化学纯度对后向受激布里渊散射光的影响. 相似文献
102.
采用熔融共混法制备了不同重量比例的新型含二氮杂萘酮结构聚芳醚砜酮(PPESK)与聚醚砜(PES)共混物.利用热失重(TGA)及动态热机械仪(DMTA)对该共混物的热性能及动态机械性能进行了研究.研究结果表明,在氮气氛围中,PPESK热分解分为两步反应进行,反应级数n=1,说明PPESK在氮气氛围中的热分解反应类型与β(升温速率)无关而与材料物性有关;采用Ozawa方法得出在15%热失重前,热分解活化能的平均值为240 kJ/mol;随着升温速率的提高,PPESK热降解速率有减缓趋势.在280℃以前,PPESK储能模量值随温度变化较小,保持在较高值,温度在280~330℃之间,储能模量值降低幅度突变.另外,PPESK中加入PES会降低其储能模量值及其热稳定性. 相似文献
103.
104.
A multimode fiber-optic surface plasmon resonance(SPR) sensor with a MgF2 film as a modulated layer is studied.The fiber-optic SPR sensor is investigated theoretically,specifically the influence of the dielectric protecting layer,using a four-layer model.The sensor is then fabricated with the optimal parameters suggested by the theoretical simulation.The sensor has a high sensitivity in the analyte refractive index(RI) range of 1.33-1.40.The best sensitivity of 4 464 nm/RIU is achieved in the experiment.The use of dielectric film(MgF2) can not only modulate the resonance wavelength of the sensor,but also protect the silver film from oxidation. 相似文献
105.
Ultra-low specific on-resistance vertical double-diffused metal-oxide semiconductor with a high-k dielectric-filled extended trench 下载免费PDF全文
An ultra-low specific on-resistance trench gate vertical double-diffused metal-oxide semiconductor with a high-k dielectric-filled extended trench(HK TG VDMOS) is proposed in this paper.The HK TG VDMOS features a high-k(HK) trench below the trench gate.Firstly,the extended HK trench not only causes an assistant depletion of the n-drift region,but also optimizes the electric field,which therefore reduces Ron,sp and increases the breakdown voltage(BV).Secondly,the extended HK trench weakens the sensitivity of BV to the n-drift doping concentration.Thirdly,compared with the superjunction(SJ) vertical double-diffused metal-oxide semiconductor(VDMOS),the new device is simplified in fabrication by etching and filling the extended trench.The HK TG VDMOS with BV = 172 V and Ron,sp = 0.85 mΩ·cm2 is obtained by simulation;its Ron,sp is reduced by 67% and 40% and its BV is increased by about 15% and 5%,in comparison with those of the conventional trench gate VDMOS(TG VDMOS) and conventional superjunction trench gate VDMOS(SJ TG CDMOS). 相似文献
106.
增强荧光辐射在生物成像、高灵敏探测、集成光源等方面都具有重要的应用价值.金属纳米颗粒的周围或者金属纳米结构的间隙都可以产生强的电磁场,相应的,这些结构附近的局域态密度也被极大地增强.虽然增强荧光辐射已经在多种金属纳米颗粒和颗粒对中被证明,但是利用金属纳米结构对荧光分子的吸收和辐射过程同时进行调制仍然是一个有挑战的问题.本文研究了金属-介质-金属超表面对荧光辐射的调控,其中局域表面等离激元(LSP)和磁等离激元(MPP)分別与于分子的吸收和辐射过程发中耦合相互作用.对于吸收过程,LSP的耦合作用使得可以通过旋转泵浦激光的偏振态来实现荧光分子的空间选择激发.此外,MPP模式的偏振依赖特性使得矩形渔网结构中的荧光分子的辐射波长和偏振态也受到调控.实验观测结果经过了时域有限差分模拟的验证.本文报道的纳米结构在光辐射器件和纳米尺度集成光源等方面都具有潜在的应用价值. 相似文献
107.
提出了一种用衰荡光谱法测量对流层OH自由基的新方法,并从理论上推 导出OH自由基浓度与衰荡时间的关系,讨论了该方法的可行性和灵敏度,分析了各种干扰因 素对测量的影响,认为该方法与传统测量OH自由基的方法相比优势较为明显。 相似文献
108.
109.
设计了一种用于逐次逼近型模数转换器中的比较器失调和电容失配自校准电路.通过增加校准周期,该电容自校准结构即可与原电路并行工作,实现高精度与低功耗.校准精度可达14bit.采用该电路设计了一个用于逐次逼近型结构的10bit 3Msps模数转换器单元,该芯片在SMIC 0.18μm 1.8V工艺上实现,总的芯片面积为0.25mm2.芯片实测,在采样频率为1.8MHz,输入320kHz正弦波时,信号噪声失真比为55.9068dB,无杂散动态范围为64.5767dB,总谐波失真为-74.8889dB,功耗为3.1mW. 相似文献
110.