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992.
Monolithic integration of AlGaN/GaN metal—insulator field-effect transistor with ultra-low voltage-drop diode for self-protection 下载免费PDF全文
In this paper, we present a monolithic integration of self-protected AlGaN/GaN metal-insulator field-effect transistor (MISFET). An integrated field-controlled diode on the drain side of the AlGaN/GaN MISFET features self-protected function at reverse bias. This diode takes advantage of the recessed-barrier enhancement-mode technique to realize an ultra-low voltage drop and a low turn-ON voltage. In the smart monolithic integration, this integrated diode can block reverse bias (>70 V/μm) and suppress the leakage current (<5×10-11 A/mm). Compared with conventional monolithic integration, the numerical results show that the MISFET integrated with a field-controlled diode leads to a good performance for smart power integration. And the power loss is lower than 50% in conduction without forward current degeneration. 相似文献
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由于铝对人类的危害,防止铅污染已成为世界潮流。无论市场趋势还是国际立法部兮使电子装配中逐步缩减铅的使用,可见,无铅焊接在中国、在我们每一家公司的实施势在必行!实施无铅焊接涉及的材料有元器件、PCB、焊接材料、助焊剂等,同时对设备和工艺也提出了更高的要求。我公司在推行PCBA装联无铅化的工作上,已经有了实质性的进展。 相似文献
994.
995.
反思性学习是指学习者主动反思学习过程、重新梳理学习思维的学习方法.在初中数学教学中,反思性学习符合新课程标准,同时适应学生的学习规律,有利于学生数学思维的发展和数学创新能力的提高.作为初中数学教师,需要在实践教学的不同阶段引导学生开展反思性学习,促进学生学习思维的发展.本文中分析了初中数学反思性学习的现实意义,从课前预习、问题探究、探究活动三个层面出发,探索了新课标背景下初中学生反思性学习的实践路径. 相似文献
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许多提取核反应过程中熵产生的方法只适用于高能核反应过程,而约化d的产额方法可以用于较低能量的重离子核反应中.对于35MeV/u 40Ar+197Au的核反应过程,利用这种方法所得的熵和约化带电粒子多重性提取的熵结果一致.对于后角热核发射体系,实验提取的核温度为(4.7±1.2)MeV,熵为S/A=2.5±0.5,根据实验提取的熵和核温度可以确定其碎裂密度小于0.1ρ0. 相似文献
997.
以氯化铜(CuCl2•2H2O)和硫脲(CH4N2S, Tu)为原料, 乙二醇(C2H6O2)为溶剂, 用溶剂热法于140 ℃反应90 min成功制备了直径为2.2~4.8 µm由纳米片组成的花状硫化铜(CuS)微米球超结构. 用XRD, SEM, TEM, SAED, HRTEM以及UV-Vis等手段对产品进行了表征|以氙灯和高压汞灯为光源, 亚甲基蓝为目标降解物评价了CuS超结构的光催化活性. 结果表明, 所制备的产品是六角相的CuS, 经计算, 其晶胞参数为a=0.3813 nm, c=1.6774 nm|所用溶剂、硫源、铜源及反应温度、反应时间对产品的形貌均有较大影响|UV-Vis分析表明, CuS微米球超结构的带隙能量为2.0 eV|光催化性能测试表明, 所制备的CuS微米球超结构在紫外光区和可见光区均具有较高的光催化活性, 但在可见光区的光催化活性更高, 在35 W氙灯和450 W的高压汞灯下, 光照30 min, 亚甲基蓝的降解率分别达到98.7%和82.9%. 此外, 还讨论了硫化铜微米球超结构可能的形成机理. 相似文献
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根据量子统计模型(QSM)的计算分析,找到了一个提取核反应过程中熵产生的新的可观测量.核反应过程中约化d的产额d/(d+t+3He+4He)和熵有单调的函数关系,并且和体系的碎裂密度(ρ/ρ0)及体系的N/Z都无关,可以作为提取核反应过程中熵产生的一个观测量.和目前已经有的其他方法相比,约化d产额这一提取熵方法可以用于较低能量的重离子核反应中,并且数据处理分析简单.对于35MeV/u40Ar+197Au的核反应过程所提取的熵和利用约化带电粒子多重性提取的熵结果一致.结合后角类靶热核发射体系实验提取的同位素核温度为4.7±1.2MeV及S/A=2.5±0.5,根据熵和核温度的关联关系,可以确定其Break up密度接近但小于0.1(ρ/ρ0)
关键词:
熵
约化d产额
核温度
统计发射 相似文献
1000.
将任意形状槽的连续轮廓近似用一系列相连的矩形阶梯近似,利用各阶梯面上导纳的匹配,以及槽与互作用区边界场的连续与匹配条件,获得了具有任意槽的矩形波导栅慢波结构的色散方程和耦合阻抗的表达式,并进行理论上的验证.加工制作了矩形槽波导栅模型,冷测表明理论值与测量值相吻合.分别求解几种特殊槽形矩形波导栅慢波结构的色散特性及耦合阻抗,其中,三角形结构的色散和耦合阻抗均最弱,而倒梯形结构色散最强,耦合阻抗最大.
关键词:
矩形波导栅
任意槽
色散特性
慢波结构 相似文献