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为确定双阳极霍尔推力器中阳极电压分布对推力器效率及推力的影响,采用PIC三维数值模拟对双阳极结构霍尔推力器的放电过程进行了模拟。基于垂直分布的双阳极结构,得到了放电后离子羽流分布以及电子在放电区域的分布。通过对放电状态的模拟,计算得到了不同工况下的推力以及效率。在双阳极结构中第二阳极的电压增加会增大离子能量,但将影响电子约束,而过高的电压将引起电子密度减小。推力随着霍尔电流的增大而增大,但效率会随之减小,导致在提升推力的同时损失效率。 相似文献
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真空腔测量空气折射率的方法及精度分析 总被引:1,自引:0,他引:1
空气折射率的测量及补偿效果在高精度激光干涉测量中起着“瓶颈”作用。分析了空气折射率的补偿原理 ,研究了用预抽气真空腔测量和补偿空气折射率的测量原理、方法及装置 ,分析了该方法对测量误差产生的原因。最后对测量精度作出了估计。 相似文献
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测量绝缘材料的真实电阻值的方法 总被引:1,自引:0,他引:1
用高阻计等外加直流电压的方法测量绝缘材料的真实电阻值是很困难的.这是由于在直流电场作用下,介质的极化及电容的充、放电等使测量回路的电流随时间变化,对于薄片材料,这点尤为突出.本文介绍用全电流充、放电法能消除(或补偿)回路电流变化所引起的影响,很容易测出材料的真实电阻值.如众所知,附有电极的绝缘材料膜片的等效电路可用R和C并联表示.R是材料的体电阻,C是电极两端的总电容.当样品两端加直流电压时?... 相似文献
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High-voltage super-junction lateral double-diffused metal-oxide semiconductor with a partial lightly doped pillar 下载免费PDF全文
A novel super-junction lateral double-diffused metal-oxide semiconductor(SJ-LDMOS) with a partial lightly doped P pillar(PD) is proposed.Firstly,the reduction in the partial P pillar charges ensures the charge balance and suppresses the substrate-assisted depletion effect.Secondly,the new electric field peak produced by the P/P-junction modulates the surface electric field distribution.Both of these result in a high breakdown voltage(BV).In addition,due to the same conduction paths,the specific on-resistance(R on,sp) of the PD SJ-LDMOS is approximately identical to the conventional SJ-LDMOS.Simulation results indicate that the average value of the surface lateral electric field of the PD SJ-LDMOS reaches 20V/μm at a 15μm drift length,resulting in a BV of 300V. 相似文献
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