作物和杂草叶片的可见-近红外反射光谱特性

为了进行快速实时的杂草识别,研究了作物和杂草叶片的可见-近红外反射光谱特性.选择了两种常见的 田间作物大豆(Glycine max)和玉米(Zea mays),以及铁苋菜(Acalypha australis L.)和田字草(Marsilea quadrifolia L.)两种杂草作为研究对象.每种各30个样本.共120个样本.采用ASD Fieldspec便携式光谱仪进行光谱采集.在对400～1000 nm的光谱数据进行平滑和-阶求导预处理、.通过主成份分析.去除了一个奇异样本.最后用79个样本组成的建模集进行偏最小二乘法建模.对剩余的40个样本进行预测.预测模型结果的相关性达到0.986,识别率达到100%.说明研究中选用的作物和杂草叶片的可见-近红外反射光谱特性之19有较大的区别,町以用于 进行杂草和作物的区分.     

不同剂量重离子辐照玉米自交系的生物学效应比较

用12C6+和 36Ar18+离子束分别辐照玉米自交系干种子和浸泡种子, 研究了M1—M3代重离子束辐照的生物学效应。 结果表明: 种子发芽势和发芽率随辐照剂量的增加而下降, 不同生理状态的种子对重离子辐照的敏感性也不同。 一般12C6+ 离子辐照干种子的适宜剂量为20—25 Gy; M1代叶型发生明显的变化, M2代植株在株高、穗位、单株穗数、雄穗花药颜色、粒质、穗行数、粒重和抗性等方面均发生了变化, 并产生了许多有益的变异,包括株高和穗位降低、同位多穗、穗行数和粒重增加、粒质由粉质变为硬粒以及抗锈病和红叶病的植株等, 有益突变的频率达7.0％—17.9％;在M3代出现能够稳定遗传的,并且光合效率增加的有益突变株。由此可见,重离子束辐照是玉米种质改良的一种高效手段。 In order to study biological effects of heavy ion irradiation on maize inbred lines, the agronomic traits and photosynthetic rates were investigated from M1 to M3 of maize seeds irradiated with 12C6+ and 36Ar18+ ions．The results showed that the germination rate and planting percent of maize seeds irradiated were decrease as dosage increasing of heavy ion irradiation. Different physiological status of seeds had disparate sensibility to heavy-ion irradiation and the suitable dosage of 12C6+ ion irradiation was 20—25 Gy for dry maize seeds. The leaf type of the plant happened visible changes in M1 generation. The plant height, spike position, spike number per plant, anther color of staminate,grain texture,spike row,grain weight and resistance had changes in M2 generation. Among them occurred some beneficial mutations that include degrading of plant height and spike position height, multi spike at same position in the plant, increasing of pike row and grain change of grain texture from powder seed to hard seed,resistance to rust disease and red leaf disease and so on. The frequency of beneficial mutation was 7.0％—17.9％. Those beneficial mutations could be stably inherited and mutant plants with high photosynthetic efficiency emerged in M3 generation. The study above showed that heavy ion irradiation is a high performance means for improvement germplasm of maize.     

介质阻挡放电系统中超四边形斑图形成的实验研究

采用水电极介质阻挡放电装置,在氩气和空气的混合气体放电中,对超四边形斑图的形成进行了实验研究.发现随着外加电压的升高,斑图类型经历了四边形斑图、准超点阵斑图、超四边形斑图、条纹斑图或六边形斑图的演化顺序.对这些斑图进行了傅里叶谱分析,得到了空间模式随电压的变化关系.此外,在外加电压升高的过程中,出现了具有不同空间尺度的两种超四边形斑图,它们满足不同的驻波条件.分析了壁电荷在超四边形斑图形成中的作用.实验测量了斑图类型随气隙间距和外加电压变化的相图以及超四边形斑图随气隙间距和气隙气压变化的相图.测量了击穿电 关键词： 介质阻挡放电 斑图 壁电荷 放电参量     

AgI（Cr2O3）混合离子导体的ESR研究

本文报道Agl(Cr_2O_3)混合离子导体的电子自旋共振(ESR)实验结果。观测到一种新的稳定的ESR信号,它可能对应于Agl和Cr_2O_3界面层内与Ⅰ~-空位相关(类似F心)的缺陷,这种缺陷的存在可能是提高Ag~+电导率的重要因素。     

第一性原理研究KDP晶体中Ba取代K点缺陷

 用基于第一性原理的CASTEP模拟了Ba替代K缺陷前后形成的电子结构和能态密度。发现晶体能带宽度降至6.4 eV左右,对应着380 nm的双光子吸收,这一结果可以解释掺Ba晶体在紫外波段的吸收现象。Ba替代K点缺陷仅使其周围的晶格及电子结构发生轻微畸变,对晶体整体结构影响不大。     

向列液晶表面弹性能K13项的物理效应及检验方法

通过解析推导和数值计算的方法，得到了平衡态指向矢满足的微分方程和边界条件.研究了表面弹性能K13项对磁场作用下的弱锚定向列液晶盒Fréedericksz转变性质的影响.结果表明，表面弹性能K13项的存在对液晶系统的自由能有很大的影响，从而改变转变的性质，诱导液晶盒在阈值点发生一级Fréedericksz转变.给出了发生一级转变的物理条件，它除了与液晶的结构和材料有关外，还依赖于液晶表面弹性能K13项，同时给出了由此判断K13项是否存在的检验方法. 关键词： 表面弹性能K13项 弱锚定 Fréedericksz转变     

激光脉冲参数对冲击点火的影响

针对激光脉冲参数对冲击点火的影响进行理论分析和数值模拟.首先从冲击波的产生和碰撞过程出发,理论分析冲击脉冲峰值功率、脉宽和上升沿时间对点火的影响;然后通过数值模拟,以点火时间窗口作为评价标准,验证理论分析结果.研究表明:冲击脉冲峰值功率是点火成败的关键因素之一,脉冲宽度则需达到百皮秒以提供足够的点火能量,上升沿时间在小于600 ps的情况下不会对点火造成明显影响. 关键词： 冲击点火 激光冲击脉冲 点火时间窗口     

应用简谐运动加速度的对称性解题

物体做简谐运动的过程中，在关于平衡位置对称的位置，各个物理量的大小相等．图1所示，弹簧振子在A，B点时的加速度等大反向，任意一对对称点都符合此规律。     

A novel superjunction MOSFET with improved ruggedness under unclamped inductive switching

The ruggedness of a superjunction metal–oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) under unclamped inductive switching conditions is improved by optimizing the avalanche current path. Inserting a P-island with relatively high doping concentration into the P-column, the avalanche breakdown point is localized. In addition, a trench type P+ contact is designed to shorten the current path. As a consequence, the avalanche current path is located away from the N+ source/P-body junction and the activation of the parasitic transistor can be effectively avoided. To verify the proposed structural mechanism, a two-dimensional (2D) numerical simulation is performed to describe its static and on-state avalanche behaviours, and a method of mixed-mode device and circuit simulation is used to predict its performances under realistic unclamped inductive switching. Simulation shows that the proposed structure can endure a remarkably higher avalanche energy compared with a conventional superjunction MOSFET.     

基于荧光分析技术的大鼠肠灌流液中H_2S含量测定

荧光素汞在碱性条件下具有很强的荧光,H2S能与荧光素汞结合,使其荧光猝灭,据此建立了一种荧光法测定大鼠肠灌流液中H2S含量的方法。在0.1mol·L-1 NaOH溶液中,以Na2S作为H2S供体,荧光素汞浓度为5.0×10-5 mol·L-1,Na2S浓度为1.0×10-5 mol·L-1时,以498nm为激发波长,在522nm处测定此二元体系的荧光强度。结果表明,在4.0×10-7~2.0×10-6 mol·L-1范围内,H2S浓度与荧光强度的下降程度呈良好的负相关性,r=0.998 0,精密度实验RSD=4.59%(n=7),检出限3.5×10-8 mol·L-1,样品中H2S含量分别为1.01×10-6和1.15×10-6 mol·L-1,加标回收率为95.8%~101.0%。该方法操作简单,灵敏度高,稳定性好,可准确测定肠灌流液中H2S含量,为内源性H2S的测定提供了依据。