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31.
用库仑-莫尔屈服准则对厚壁球的极限分析   总被引:4,自引:0,他引:4  
用库仑-莫尔屈服准则对厚壁球进行了极限分析。该分析能够较好地反映出考虑材料的拉压屈服强度不同而对结构极限承载能力的影响。结果表明,厚壁球的极限承载能力随坟拉比K的增大而增大。本文导出的公式,对于理论研究和工程设计都具有参考价值。  相似文献   
32.
三维有限体积TVD方法与冲击波的多级扩散研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
将TVD方法应用到三维,给出三维有限体积TVD方法,并对三维冲击波的多级坑道扩散问题进行了数值模拟,取得了令人满意的结果。  相似文献   
33.
用C+离子束轰击多壁碳纳米管后, 发现了大量的由无定形碳纳米线组成的连接结构. 这种用高分辨透射电子显微镜和电子衍射分析确认的离子束焊接方法, 不但可以作为准备纳米电子(光子)学器件和线路的手段, 结合微操纵技术, 也有可能对其它系统器件排布的制作有所贡献.  相似文献   
34.
缩比模型的宽频时域太赫兹雷达散射截面(RCS)研究   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
本文首次以钛宝石飞秒激光振荡级为抽运源,搭建了国内首套宽频时域太赫兹雷达(带宽0.1—1.3 THz)并进行了基于标准球的系统校正验证.利用该雷达测量了太赫兹波段三种缩比模型的散射时域信号.通过改进后的后向投影算法对模型的轮廓外形进行了成像研究,验证了新型时域散射信号成像机理.太赫兹雷达更高的频率,宽谱的特征和高分辨率成像的能力有望用于隐形外形设计过程,成为新兴的太赫兹散射特征研究平台.  相似文献   
35.
对Jacobi椭圆函数展开法进行了扩展,且利用这一方法求出了Zakharov方程组的一系列新的精确周期解,在极限情况下可得到相应的孤波解,补充了前面研究的结果. 关键词: Jacobi椭圆函数展开法 非线性发展方程 精确解 周期解  相似文献   
36.
基于光导微探针的近场/远场可扫描太赫兹光谱技术   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
太赫兹技术已经成为涉及公共安全、军事国防和国民经济等国家核心利益的前沿研究领域.以往太赫兹测量技术中通常以远场测量为主,如常用的太赫兹时域光谱仪.近年来太赫兹近场技术得到了迅猛的发展,特别是基于光导天线的探针技术的发展,为可扫描的太赫兹近场测量提供了可能.本文详细报道了我们近期在可扫描太赫兹近场光谱仪研究中的进展.采用光纤耦合的光导微探针实现了方便灵活的太赫兹近场/远场三维扫描,并同时获得振幅和相位信息.该系统将有可能广泛应用于人工微结构、石墨烯、表面等离子激元、波导传输、近场成像、生物样品检测、芯片检测等研究领域.  相似文献   
37.
38.
固态多环芳烃化合物的THz时域光谱研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
利用太赫兹时域光谱技术室温下对芳烃化合物萘、联苯、葸、α-萘酚和β-萘酚在3-73cm^-1(0.1.2.2THz)频谱范围内进行了光谱测量。结果表明,多环芳烃化合物在此波段有不同的吸收特征。不能形成氢键的萘、联苯和蒽在67cm^-1(2.0THz)附近均有一吸收峰,这可能是由于分子之间的振动即晶格振动所引起的;而能够形成氢键的口一萘酚和卢.萘酚,其吸收峰可归结于分子间氢键的相互作用所引起的集体振动模式。1Hz时域光谱不仅能够鉴别分子结构存在微小差别的化合物而且还能鉴别同分异构体。  相似文献   
39.
关荣华  张书敬  杨国琛 《物理》2003,32(9):577-582
液晶表面和与它接触的固体表面的相互作用,作为边界条件对液晶显示起着重要的控制作用,并影响着液晶表现出的各种物理效应.液晶表面和界面科学一直是液晶物理学研究的重要领域.这一领域内一个重要的课题是,从物理机理出发寻找正确反映界面作用规律的数学物理方程,以便完善发展液晶界面理论,指导界面诱导技术.文章就这一研究领域已取得的成果、未解决的问题、当前研究的热点(一级转变和挠曲电效应)及目前有争议的问题(表面弹性项是否存在等)进行了介绍。  相似文献   
40.
以稻壳为原料,采用自蔓延燃烧法制备高活性的稻壳灰.以稻壳灰为原料,采用碱溶煮-酸反应法制备较高纯度的白炭黑.以六甲基二硅氮烷(HMS)为改性剂,采用溶胶-凝胶法制备超疏水性的白炭黑及其膜.主要研究酸反应过程中的pH值和反应时间对白炭黑中SiO2含量的影响,以及六甲基二硅氮烷改性剂对白炭黑(SiO2)膜疏水性能的影响,通过XRD、SEM、IR和润湿接触角进行性能表征.研究结果表明,将稻壳灰在NaOH溶液中加热到90℃后溶煮2h,再用硫酸调节溶液的pH值为3,反应时间控制在2h时,白炭黑SiO2的含量可达98.48;.当六甲基二硅氮烷用.量为0.15(与硅钠溶液的质量之比)时,可以获得接触角为166.3.的SiO2的SiO2超疏水膜.而改性剂对SiO2表面改性作用是一种接枝反应,将疏水性基团接枝替代SiO2表面的羟基,而使SiO2表面疏水.  相似文献   
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