Study of the data analysis process of the neutron wall with simulation

We study the response function of the neutron wall for 300 MeV neutrons with GEANT4 simulations. The methods to find the correct neutron incident position and time are discussed, and the neutron emission angle and energy are reconstructed and compared with the simulation.     

基于局域场加强的近场纳米加工技术

介绍了一种全新的基于飞秒激光局域场加强效应的纳米加工技术,通过使用了微焦级别脉宽为130 fs、波长800 nm的飞秒激光照射于原子力显微镜的探针针尖,利用其局域场加强效应在金薄膜表面加工出各种纳米图形。对加工参数对加工线宽的影响中,我们发现了随着加工能量的减小和加工速度的不断增大将导致加工线宽不断减小,最终达到了极限线宽(～10 nm)。这项技术可以广泛的应用与各种材料的加工中,尤其适合各种金属薄膜的加工,特别是结合了现有的自动化控制系统更是可以加工出任意复杂的二维纳米图形。     

L-Shell X-Ray Yields and Production Cross Sections of Zr and Mo Bombarded by Slow Highly Charged Ar16+ Ions

The L-shell x-ray yields of Zr and Mo bombarded by slow Ar16＋ ions are measured. The energy of the Ar^16＋ ions ranges from about 150 keV to 350 keV. The L-shell x-ray production cross sections of Zr and Mo are extracted from these yields data. The explanation of these experimental results is in the framework of the adiabatic direct- ionization and the binding energy modified BEA approximation. We consider, in the slow asymmetric collisions such as Ar and Mo/Zr, the transient united atoms （UA） are formed during the ion-surface interaction and the direct-ionization is the main mechanism for the inner-shell vacancy production. Generally, the theoretical results are in good agreement with the experimental data.     

植物RNA修饰的功能及分析方法

除经典碱基外, RNA中还包含许多化学修饰.迄今,已经在生命体的三域系统中鉴定出超过150种RNA修饰类型.这些RNA修饰不改变RNA的序列,但会改变其结构和生化特性,从而调节基因的时空表达. RNA修饰作为表观遗传学研究的一个重要领域,在调控植物的生长发育和胁迫应激中起到至关重要的作用.近年来,随着分析技术,特别是RNA修饰测序技术的不断进步,对植物RNA修饰的功能和机制获得了深入的认识.本文主要介绍了植物RNA修饰的功能,总结了针对这些植物中RNA修饰的分析方法,以便为今后系统地开展植物中RNA修饰的研究提供参考.     

萘乙炔基封端的含硅聚酰亚胺的制备与性能

为了获得兼具良好热性能和加工性能的聚酰亚胺树脂,设计合成了不对称二胺(3-氨基-苯基)-(4’-氨基-苯基)-乙炔(AMPA),含萘环的封端剂3-(萘-1-乙炔基)苯胺(NAA)以及含硅二酐双(3,4-二羧基苯基)二甲基硅烷二酐.为研究结构与性能的关系,引入4,4’-双邻苯二甲酸酐(ODPA)和间氨基苯乙炔(APA)为对照二酐和封端剂,制备了一系列分子链中含硅和内炔基团的聚酰亚胺树脂PI-Si-Ⅰ(以APA为封端剂)和PI-Si-Ⅱ(以NAA为封端剂),以及与之相对照的树脂PI-O-Ⅰ和PI-O-Ⅱ(二酐单体为ODPA). PI-Si树脂在常见溶剂如四氢呋喃中具有很好的溶解度,而PI-Si-Ⅱ树脂更是具有低的熔体黏度和100℃宽的加工窗口.热失重的结果显示固化树脂具有良好的耐热性能,5 wt%热失重温度(T_d5)在547℃左右,质量残留率在79%左右;热裂解分析结果表明在聚酰亚胺主链中引入的硅和内炔基团在高温环境中形成硅氧硅结构和苯环等刚性结构,从而提高树脂的耐热性.     

大孔树脂同时分离纯化黄蜀葵花总黄酮和多糖工艺优化

本文将大孔树脂分离纯化黄蜀葵花中总黄酮和多糖的工艺进行了优化,分离后能够同时得到含量较高的总黄酮和多糖两种附加值较高的产物。采用响应面实验方法确定大孔树脂最佳工艺为：从5种树脂中选用D101型大孔吸附树脂,黄蜀葵花粗提物以20%乙醇溶解,上样浓度为45mg/mL,上样流速2mL/min;洗脱时用5BV蒸馏水富集多糖;再用3BV 40%乙醇富集总黄酮。最终可同时得到纯度分别为67.33%和52.24%的总黄酮和多糖提取物,其两者含量分别提高了58.5%和18.0%。DPPH、ABTS和FRAP的抗氧化测定结果均表明抗氧化活性强度为：总黄酮提取物>多糖提取物>粗提物。该方法能够从黄蜀葵花提取物同时分离得到总黄酮和多糖两种产物,抗氧化活性测定结果也显示了富集后有更强的抗氧化活性,大大提高了黄蜀葵花中高附加产物的分离纯化效率,减少了分离过程中副产物的浪费,为黄蜀葵花高值化利用提供新的途径。     

相对流量技术及其在电子碰撞微分散射截面测量中的应用

为了提高原子分子动力学参数的测量精度,本文把气体相对流量技术应用到快电子碰撞研究中.并且在此基础上测量了氙原子6s激发的广义振子强度,所得结果在小动量转移区间与前人的结果符合很好,表明气体相对流量技术在电子碰撞方法中的适用性.大动量转移区间6s的表观广义振子强度对电子碰撞能量的依赖行为,说明500 eV的电子碰撞能量还不满足一阶玻恩近似条件.与Hartree-Fock方法相比,考虑电子关联效应更全面的随机相移近似计算结果与本文的实验结果符合更好,说明对于像Xe这样的重原子,电子关联效应十分重要.     

苯胺四聚体-聚乙二醇-苯胺四聚体嵌段共聚物薄膜的自组装

以氨基封端的苯胺四聚体为基础,以甲苯2,4-二异氰酸酯(TDI)为中间体制备了苯胺四聚体-聚乙二醇-苯胺四聚体(ANI₄-PEG-ANI₄,PEG600,M_n＝600)嵌段共聚物,并溶于乙醇/N,N-二甲基甲酰胺(DMF)混合溶剂后,涂覆于导电玻璃(ITO)表面制备成薄膜,利用原子力显微镜(AFM)、紫外-可见光谱(UV-Vis)和循环伏安(CV)等研究了薄膜的自组装及电化学行为等,讨论了诱导溶剂对嵌段共聚物薄膜形态和性能的影响. 研究发现,通过改变混合溶剂比和诱导溶剂种类,ANI₄-PEG-ANI₄嵌段共聚物薄膜可以实现多种形态的转变.     

Design and fabrication of GeAsSeS chalcogenide waveguides with thermal annealing

We reported a chalcogenide glass-based rib waveguide fabricated using photolithography and dry etching method. A commercial software(COMSOL Multiphysics) was used to optimize the waveguide structure and the distribution of the fundamental modes in the waveguide based on the complete vector finite component. We further employed thermal annealing to optimize the surface and sidewalls of the rib waveguides. It was found that the optimal annealing temperature for Ge As Se S films is 220℃, and the roughness of the films could be significantly reduced by annealing. The zero-dispersion wavelength(ZDW) could be shifted to a short wavelength around ~2.1 μm via waveguide structural optimization, which promotes supercontinuum generation with a short wavelength pump laser source. The insertion loss of the waveguides with cross-sectional areas of 4.0 μm×3.5 μm and 6.0 μm×3.5 μm was measured using lens fiber and the cut-back method. The propagation loss of the 220℃ annealed waveguides could be as low as 1.9 d B/cm at 1550 nm.