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91.
Some compound lattices in photonic crystals with large complete photonic band gaps, such as the diamond structure and the two-dimensional hexagonal compound structure, is desired for fabrication. A novel method for fabrication of compound lattices by holographic lithography is reported. The key point is phase modulation by photoelectrical control and multiple-exposure techniques. This technique introduces many advances: for instance,using the same coherent beams and without changing the position of the sample during multiple-exposure. 相似文献
92.
为了研究热致相位失配对中红外连续波单谐振光学参量振荡器(CW-SRO)输出效率的影响, 结合CW-SRO计算模型和热传导方程,利用有限元分析方法,重点对输出3.3 m波长闲频光的CW-SRO进行了分析。计算了不同信号光输出耦合率及不同泵浦功率下CW-SRO晶体输出截面上热致相位失配量的分布。由计算结果可以看出:晶体吸收腔中振荡信号光是导致晶体热效应的主要因素;在相同的输入条件下,泵浦功率在30 W以上时CW-SRO的热致相位失配将会大大降低其泵浦损耗率;通过增加信号光输出耦合率的方法,可以减少热致相位失配对CW-SRO输出效率的影响,但CW-SRO的振荡阈值会增加。 相似文献
93.
Red frequency-upconversion fluorescence emission is observed in europium(Ⅲ) complex with encapsulating polybenzimidazole tripodal ligands, pumped with 930- and 1070-nm picosecond laser pulses. The lumines- cence of transition 5D0 →7F2 (612 nm) is induced by two-photon absorption of hypersensitive transitions 7F0 →5D2 (465 nm) and 7F1 →5D1 (535 nm). Analysis results suggest that the two-photon excitation strength of these hypersensitive transitions is increased dramatically owing to the C3 symmetry of the coordination field. 相似文献
94.
95.
Monolithic integration of an AlGaN/GaN metalinsulator field-effect transistor with an ultra-low voltage-drop diode for self-protection 下载免费PDF全文
In this paper,we present a monolithic integration of a self-protected AlGaN/GaN metal-insulator field-effect transistor(MISFET).An integrated field-controlled diode on the drain side of the AlGaN/GaN MISFET features a selfprotected function for a reverse bias.This diode takes advantage of the recessed-barrier enhancement-mode technique to realize an ultra-low voltage drop and a low turn-ON voltage.In the smart monolithic integration,this integrated diode can block a reverse bias(> 70 V/μm) and suppress the leakage current(< 5 × 10-11 A/mm).Compared with conventional monolithic integration,the numerical results show that the MISFET integrated with a field-controlled diode leads to a good performance for smart power integration.And the power loss is lower than 50% in conduction without forward current degeneration. 相似文献
96.
97.
为探讨混凝土箱梁噪声的时变特性,以京沪高铁32 m混凝土简支箱梁为原型,制作了1:10的缩尺模型,通过模态试验的方法验证箱梁模型与原型的相似关系,通过声学试验验证箱梁声学计算模型的正确性。然后,建立了箱梁缩尺模型与原型两种计算模型,利用有限元和边界元法求出两种模型的瞬态结构噪声。研究发现,箱梁缩尺模型与箱梁原型的材料参数满足一定关系,模型试验的方法能够验证箱梁模型与箱梁原型之间符合相似关系,箱梁模型的振动噪声测试结果能真实反映原型振动噪声水平。两种模型的结构噪声在时域内声压级及对应场点的声压存在一定相似关系。该研究可为箱梁缩尺模型结构噪声反演至箱梁原型提供依据,所采用的方法和得到的结果对桥梁结构振动与声辐射实验研究具有参考作用。 相似文献
98.
交联壳聚糖在硒的形态分析中的应用研究 总被引:20,自引:0,他引:20
本文研究了交联壳聚糖对Se(Ⅳ)和Se(Ⅵ)的吸附行为,并吸附机理进行了探讨。结果表明:在PH=4时,Se(Ⅳ)捐附率达95%,而对Se(Ⅳ)几乎无吸附;吸附Se(Ⅵ)后,用1mol/L盐酸定量解吸,建立了氢化物发生原子吸收测定环境中痕量Se(Ⅳ)/Se(Ⅵ)和有机硒的方法。本法的检出限为20ng/L,回收率为93-106%,变异系数为2.0-5.0% 相似文献
100.