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961.
We report the observation of a near-threshold enhancement in the omegaJ/psi invariant mass distribution for exclusive B-->KomegaJ/psi decays. The results are obtained from a 253 fb(-1) data sample that contains 275 x 10(6) BB pairs that were collected near the Upsilon(4S) resonance with the Belle detector at the KEKB asymmetric energy e(+)e(-) collider. The statistical significance of the omegaJ/psi mass enhancement is estimated to be greater than 8sigma.  相似文献   
962.
We have searched for mixing in the D(0)-D (0) system by measuring the decay-time distribution of D(0) --> K(+) pi(-) decays. The analysis uses 90 fb(-1) of data collected by the Belle detector at the KEKB e(+) e(-) collider. We fit the decay-time distribution for the mixing parameters x' and y' and also for the parameter R(D), which is the ratio of the rate for the doubly-Cabibbo-suppressed decay D(0)--> K+ pi(-) to that for the Cabibbo-favored decay D(0)--> K-pi(+). We do these fits both assuming CP conservation and allowing for CP violation. We use a frequentist method to obtain a 95% C.L. region in the x'(2) - y' plane. Assuming no mixing, we measure R(D) = (0.381 +/- 0.017(+0.008)(-0.016))%.  相似文献   
963.
Utilizing a sum rule in a spin-resolved photoelectron spectroscopic experiment with circularly polarized light, we show that the orbital moment in LaTiO3 is strongly reduced from its ionic value, both below and above the Ne el temperature. Using Ti L2,3 x-ray absorption spectroscopy as a local probe, we found that the crystal-field splitting in the t2g subshell is about 0.12-0.30 eV. This large splitting does not facilitate the formation of an orbital liquid.  相似文献   
964.
高斯光束在外加空间调制电场的光折变晶体中的演化   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了高斯光束在外加空间调制电场的光折变晶体中的演化,结果表明,在不同的外加调制电场作用下高斯光束的光场分布会随着外电场变化而被调制。重点研究了同相位和反相位以及相位差为π/2的高斯光束在外加空间调制电场的光折变晶体中的相互作用,在外加空间分布线性增加电场作用下出现了许多新的实用特性,通过调整外加电场分布,可以让两同相位相干光靠得更近而不发生融合,也可以让两靠得很近的反相位光束可控偏转,还可以控制相位差为π/2的两相干光束进行能量转移。这种连续变化的电场可以用阶梯分布的电场替代,为工程实现提供了可能。  相似文献   
965.
基于二维光栅分光的同步移相干涉测量技术   总被引:7,自引:0,他引:7  
左芬  陈磊  徐春生 《光学学报》2007,27(4):63-667
为了干涉测量的抗振目的,提出了一种新的同步移相干涉测量方案并搭建了实验装置。整个测量系统在迈克耳孙偏振移相干涉仪的基础上,利用一个正交的二维光栅产生对称分光,选取对于理想光栅衍射效率一致的(±1,±1)级衍射光作为测量分光路,使之分别通过偏振方向依次相差45°的一个偏振片组,从而分别形成0°、90°、180°和270°相移的四幅移相干涉图,按照传统的四步移相算法,对被测波面进行了复原。分析了光强畸变和移相误差对系统的测量误差的影响。利用该系统测量一球面系统,结果与在ZYGO干涉仪上相比较,球面系统的均方根误差相差0.012λ,峰谷值相差0.051λ。  相似文献   
966.
该设计解决了低温工程与低温技术等领域所使用的高纯度气体介质换热的要求,具有显著的经济效益和社会效益。其换热器是由四个管壳式热交换器串联组合而成,壳体呈窄矩形,换热管采用U形换热管,四个管壳式热交换器呈方阵置放在低温换热器筒体内。低温换热器采用的材料是0Cr18N i9/304,该种材料的透气性小、耐磨损、抗腐蚀能力强和性能稳定,防止了气体被污染。另外在低温下,考虑了材料的热胀冷缩所产生的应力,使应力能够自行消除,提高了它的密封性能,最终使低温换热器密封性能好,防止了气体被污染,保证了气体的高纯度。  相似文献   
967.
Using 0.8 x 10(6) D+ D- pairs collected with the CLEO-c detector at the psi(3770) resonance, we have searched for flavor-changing neutral current and lepton-number-violating decays of D+ mesons to final states with dielectrons. We find no indication of either, obtaining 90% confidence level upper limits of B(D+ --> pi+ e+ e-) < 7.4 x 10(-6), B(D+ --> pi- e+ d+) < 3.6 x 10(-6), B(D+ --> K+ e+ e-) < 6.2 x 10(-6), and B(D+ --> K- e+ e+) < 4.5 x 10(-6).  相似文献   
968.
The effects of ^60Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of AlGaN/GaN enhancement-mode high-electron- mobility transistors (E-mode HEMTs) are investigated. The results show that having been irradiated by^60Co γ-rays at a dose of 3 Mrad (Si), the E-mode HEMT reduces its saturation drain current and maximal transconductance by 6% and 5%, respectively, and significantly increases both forward and reverse gate currents, while its threshold voltage is affected only slightly. The obvious performance degradation of E-mode A1GaN/GaN HEMTs is consistent with the creation of electronegative surface state charges in the source-gate spacer and gate-drain spacer after being irradiated.  相似文献   
969.
In this paper, we present a model of the Brownian motor in a feedback controlled ratchet, in which the application of the flashing potential depends on the state of the particle to be controlled. We derive an analytical expression for the velocity induced by the feedback ratchet, which is a function of several parameters, including the ratio of the two switching temperatures and the asymmetry parameter of the potential field. The motor shows a current inversion when either parameter is varied.  相似文献   
970.
In this paper,we present a monolithic integration of a self-protected AlGaN/GaN metal-insulator field-effect transistor(MISFET).An integrated field-controlled diode on the drain side of the AlGaN/GaN MISFET features a selfprotected function for a reverse bias.This diode takes advantage of the recessed-barrier enhancement-mode technique to realize an ultra-low voltage drop and a low turn-ON voltage.In the smart monolithic integration,this integrated diode can block a reverse bias(> 70 V/μm) and suppress the leakage current(< 5 × 10-11 A/mm).Compared with conventional monolithic integration,the numerical results show that the MISFET integrated with a field-controlled diode leads to a good performance for smart power integration.And the power loss is lower than 50% in conduction without forward current degeneration.  相似文献   
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