锌与健康

为探讨微量元素锌与人体健康的关系，从锌的食物来源及影响吸收利用因素、锌的生物学作用，锌含量及发锌值，锌缺乏的临床表现等方面进行了综述。     

多糖衍生物手性固定相的制备方法

手性固定相色谱法已成为手性药物拆分的一个重要方法,其关键和核心在于手性固定相的研制,现已开发了众多手性固定相。其中,多糖衍生物手性固定相拆分能力强,可拆分大多数手性药物,广泛应用于手性药物的分析与制备。本文对这类固定相的四种制备方法(涂敷法、键合法、整体成球法以及交联-共聚法)进行了详尽的介绍,并比较了各种制备方法的优缺点。     

轮廓爆破孔壁压力峰值计算方法

爆破孔壁压力峰值是进行非流固耦合爆破动力响应分析的重要参数。针对轮廓爆破孔壁压力峰值的计算方法问题,理论分析了爆炸冲击波与弹性壁面的相互作用,推导了空气冲击波与弹性壁碰撞后压力增大倍数的理论解,并采用流固耦合动力有限元数值分析方法,研究了3种岩体介质、2种轮廓爆破常用炸药、5种常用不耦合系数、2种轴向装药系数工况下轮廓爆破的冲击波碰撞压力增大倍数和炮孔壁压力峰值。结果表明:轮廓爆破时,爆炸冲击波与孔壁碰撞后压力增大倍数并不是常值,与炸药特性、孔壁介质条件、不耦合装药系数等因素相关,孔壁压力峰值也与上述因素密切相关。基于模拟的孔壁压力峰值数据的统计分析,并结合理论推导成果及常用爆破孔壁压力峰值计算形式,提出了一种新的轮廓爆破孔壁压力峰值计算方法。     

节理岩体的爆破松动机理

利用应力波理论对节理岩体的爆破松动机理进行了探讨,同时利用动力有限元数值模拟方法验证了理论分析结果。研究表明,爆破荷载的加载阶段对岩体的挤压蓄能和快速卸载阶段的弹性回复是岩体产生后续松动位移的根本原因;节理岩体的爆破松动在开挖面的法向表现为岩体的剪切错动,在平行于开挖面方向表现为结构面的张开;拉格朗日坐标下的动力有限元数值方法,如ANSYS/LS-DYNA程序,能够较好地用来模拟节理岩体的爆破松动过程。     

不同耦合介质爆破爆炸能量传递效率研究

不耦合装药爆破可有效降低孔壁峰值压力,改善爆破效果。针对不同耦合介质爆破时爆炸能量的传递问题,考虑岩体应变率效应,理论分析了爆炸作用下岩体变形及破坏特征,得到不同耦合介质爆破时理论爆炸能量的传递效率,并结合数值模拟研究了岩体性质、炸药类别及不耦合装药系数对不同耦合介质爆破时爆炸能量传递效率差异的影响。研究结果表明,爆炸能量传递效率与耦合介质相关,装药结构相同时,水耦合爆破比空气耦合爆破爆炸能量传递效率高;不同耦合介质爆破爆炸能量传递效率的差异受爆破岩体、炸药性质及不耦合装药系数等因素影响;装药系数相同耦合介质不同的爆破,岩体强度越高,不同耦合介质爆炸能量传递效率差别越大;岩体性质相同时,不同耦合介质爆破间能量传递效率差异随不耦合装药系数的增大而增大,对于乳化炸药在粉砂岩中的爆破,不耦合装药系数由1.28增至3.44时,水耦合爆破传递入周围岩体的能量由空气耦合爆破的1.45倍增至6.52倍。研究结果可对优化爆破设计、改善爆炸能量分布提供参考。     

孔内起爆位置对爆破振动场分布的影响作用规律

岩石钻孔爆破中,孔内起爆位置决定炸药爆轰波的传播方向,进而影响爆破振动场的分布。通过分析柱状药包爆轰产物和爆炸能量的分配及其爆炸应力场的分布,揭示了起爆位置的影响作用机理;基于Heelan短柱解延长药包叠加计算模型,比较分析了不同起爆位置下爆破振动场的分布规律,并结合现场实验,验证了起爆位置对爆破振动场分布的调节作用效果。结果表明:起爆位置的影响作用机理在于柱状药包爆炸能量的轴向不均匀分配和爆破振动场叠加的相位延迟效应;孔内起爆位置对爆破振动场的分布起调节作用,爆破振动沿爆轰波传播正向叠加增强,且爆破振动场分布的不均匀性受药包长度和炸药爆轰速度的调控;对于常见的几种起爆方式,现场实验统计结果显示,底部起爆时地表爆破振动峰值最大,中部起爆次之,上部起爆最小,且爆破振动差异性随炮孔深度的增加而增大,但振动差异会随距离逐渐消减。     

Mobility Enhancement and Gate-Induced-Drain-Leakage Analysis of Strained-SiGe Channel p-MOSFETs with Higher-k LaLuO3 Gate Dielectric

A strained-SiGe p-channel metal-oxide-semiconductor-field-effect transistors （p-MOSFETS） with higher-k LaLu03 gate dielectric was fabricated and electrically characterized. The novel higher-k （k-30） gate dielectric, LaLuO3, was deposited by molecular-beam deposition and shows good quality for integration into the transistor. The transistor features good output and transfer characteristics. The hole mobility was extracted by the splitting C-V method and a value of 2OOcm2/V.s was obtained for strong inversion conditions, which indicates that the hole mobility is well enhanced by SiGe channel and that the LaLuO3 layer does not induce additional significant carrier scattering. Gate induced drain leakage is measured and analyzed by using an analytical model. Band-to- band tunneling et~ciencies under high and low fields are found to be different, and the tunneling mechanism is discussed.     

优美的圆——阿波罗尼斯圆

高三数学二轮复习的目标是强化高中数学主干知识,优化解题方法,形成良好的知识网络.二轮复习的目标决定二轮复习与一轮复习有很大的不同,需要通过专题复习对主干知识和主要方法进行突破.笔者所教的是文科班,一段时间复习下来,深切的感觉到二轮复习的选题不在多,而在精,必要时可根据学生掌握的情况进行微专题复习,可能会取得不错的效果.     

Compressed sensing sparse reconstruction for coherent field imaging

Return signal processing and reconstruction plays a pivotal role in coherent field imaging, having a significant influence on the quality of the reconstructed image. To reduce the required samples and accelerate the sampling process,we propose a genuine sparse reconstruction scheme based on compressed sensing theory. By analyzing the sparsity of the received signal in the Fourier spectrum domain, we accomplish an effective random projection and then reconstruct the return signal from as little as 10% of traditional samples, finally acquiring the target image precisely. The results of the numerical simulations and practical experiments verify the correctness of the proposed method, providing an efficient processing approach for imaging fast-moving targets in the future.     

Investigation on a solution to improve the irradiation reliability of SOI NMOSFET

A solution is developed to improve the irradiation reliability of SOI NMOSFET (N-type Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). This solution, including SOI (Silicon On Insulator) wafer hardening and transistor structure hardening, protects the SOI circuit from total dose irradiation effect.