区间线性系统的区间解

工程及科技实践中,多种不确定系统的数学模型可以用区间系统以及区间优化模型来刻画.文章主要探讨混合区间系统的区间解问题.我们定义了混合区间线性系统几种新的区间解,包括弱区间解、强区间解、容许区间解和控制区间解,并研究了它们的相关性质.特别地,我们还刻画了区间方程Ax=b和区间不等式Ax≤b之各类区间解的特征,这些特征与区...     

宽视场长焦距离轴三反射镜光学系统的设计

分析了离轴三反射镜系统成像特性．根据共轴三反射镜光学系统像差理论，确定结构参数的基本计算公式．设计了长焦宽视场的离轴三反射镜光学系统，分析了系统结构参量对像差的影响．结果表明，该系统视角较大，地面复益范围较宽，成像质量接近衍射极限．     

分布反馈光纤激光器的研制

利用相位掩膜板,直接在掺饵光纤上紫外写入π／２相位光栅,研制出１０ｃｍ长相移分布反馈（ＤＦＢ）光纤激光器,并对其调制特性进行了研究。     

时间序列散斑干涉场中相位函数的计算

散斑干涉或电子散斑干涉计量应用于连续运动或变形物体时,就会产生一个时变的散斑干涉场,通过摄像系统连续地采集这一时变散斑场,可获得一系列时间序列散斑干涉图,通过对序列散斑图上各点在时间轴上光强值的变化进行分析,提出了一种基于时间序列的分析方法,用以提取干涉场的相位值,进而获得物体全场变形信息。     

用气垫导轨演示弹簧振子的简谐振动的方法

用现在中学配备的J2125型、J2125—1型和J2125—2型气垫导轨,来演示弹簧振子的简谐振动规律和验证其周期公式,均能获得较好的效果。兹将实验方法介绍于下,供参考. 一、演示弹簧振子的简谐振动首先把导轨调成水平,将一个滑块放在导轨的中部,在滑块的两端各挂上一个弹簧,弹簧的另一端分别固定在导轨的两端,见图1(甲).     

真空腔测量空气折射率的方法及精度分析

空气折射率的测量及补偿效果在高精度激光干涉测量中起着“瓶颈”作用。分析了空气折射率的补偿原理 ,研究了用预抽气真空腔测量和补偿空气折射率的测量原理、方法及装置 ,分析了该方法对测量误差产生的原因。最后对测量精度作出了估计。     

基于阈值因子的结构可靠性解耦优化方法

基于结构可靠性理论,引入阈值因子的概念,其物理意义为当前最优解满足可靠性约束需将阈值增减的幅度。随着迭代的进行,对于有效约束,阈值因子收敛于1,能够使得最可能失效点快速向满足可靠性约束的极限状态曲面靠拢,优化效率得以提升。解耦模型中,优化变量可为随机变量也可为非随机变量,当优化变量为随机变量时,采取优化变量拆解方式进行计算。数值算例表明,本文方法对优化变量拆解方式不敏感,对有效约束和非有效约束均能够获得满意的优化结果,且计算效率明显高于经典方法。     

测量绝缘材料的真实电阻值的方法

用高阻计等外加直流电压的方法测量绝缘材料的真实电阻值是很困难的．这是由于在直流电场作用下,介质的极化及电容的充、放电等使测量回路的电流随时间变化,对于薄片材料,这点尤为突出．本文介绍用全电流充、放电法能消除（或补偿）回路电流变化所引起的影响,很容易测出材料的真实电阻值．如众所知,附有电极的绝缘材料膜片的等效电路可用Ｒ和Ｃ并联表示．Ｒ是材料的体电阻,Ｃ是电极两端的总电容．当样品两端加直流电压时?...     

High-voltage super-junction lateral double-diffused metal-oxide semiconductor with a partial lightly doped pillar

A novel super-junction lateral double-diffused metal-oxide semiconductor(SJ-LDMOS) with a partial lightly doped P pillar(PD) is proposed.Firstly,the reduction in the partial P pillar charges ensures the charge balance and suppresses the substrate-assisted depletion effect.Secondly,the new electric field peak produced by the P/P-junction modulates the surface electric field distribution.Both of these result in a high breakdown voltage(BV).In addition,due to the same conduction paths,the specific on-resistance(R on,sp) of the PD SJ-LDMOS is approximately identical to the conventional SJ-LDMOS.Simulation results indicate that the average value of the surface lateral electric field of the PD SJ-LDMOS reaches 20V/μm at a 15μm drift length,resulting in a BV of 300V.