亚硝基-烯(Nitroso-ene)反应的研究进展

烯丙基胺类化合物是有机化学中的重要合成中间体,亚硝基-烯(nitroso-ene)反应是合成这类化合物最为高效的方法之一.在一些天然产物和药物分子的全合成中,亚硝基-烯反应也往往作为关键步骤.这篇综述主要介绍了亚硝基–烯反应的发展、应用以及机理研究方面的进展.     

朱砂中汞的生物可接受性及其吸收与排泄

研究了朱砂中汞的生物可接受性及其在体内的吸收与排泄.采用体外消化透析法测定了朱砂中汞的生物可接受性;计算了大鼠灌胃给予临床剂量(50mg/kg)朱砂后汞的药动学参数;测定了给予临床剂量的朱砂后大鼠粪样中汞的排泄量.结果表明,朱砂中汞的溶出率为0.011%,生物可接受率为0.003 3%.大鼠灌胃给予临床剂量的朱砂后,汞的药动学参数为:最高血药浓度(ρmax)为(6.3±1.3)μg/L,达峰时间(tmax)为(1.3±0.4)h,半衰期(t1/2)为(4.2±0.5)h,血药浓度-时间曲线下面积(AUC)为(54.7±8.7)μg.h.L-1.给予朱砂12h后汞在粪便中排泄量最大,96h后在粪样中仍可检测到少量汞.朱砂中汞的生物可接受性较低,在体内吸收少,滞留时间较长,排泄缓慢,长期服用可在体内蓄积,产生毒性.     

高效液相色谱-氢化物发生-原子荧光光谱法检测牛黄解毒片中的砷

采用高效液相色谱-氢化物发生-原子荧光光谱法(HPLC-HG-AFS)测定了牛黄解毒片中AsIII和AsV的含量,制定了牛黄解毒片中砷的质量控制标准;对砷的提取、分离和分析条件进行了优化.结果表明,在优化的提取、分离和分析条件下,牛黄解毒片中的AsⅢ和AsV分离良好,测定精密度和准确度较高;5个不同厂家生产的牛黄解毒片中均含有AsⅢ和AsV,所有厂家生产的牛黄解毒片中AsⅢ的含量均比AsV的含量高.     

磁电式仪表中铝框骨架的作用演示装置

针对教材的需要,自制了演示简易磁电式仪表中铝框作用的演示装置.在该演示装置中,若给强磁铁旁的线圈通电,线圈将在安培力的作用下带动线圈框一同摆动,通过对比铝质和PVC材质骨架的线圈框的摆动情况,可明显看出铝质的线圈框骨架很快停止摆动,进而说明了铝框骨架受到了电磁阻尼作用.     

中药指纹图谱研究的某些进展与展望

在中药现代化的过程中,中药的质量控制标准直接影响到中药的国际化问题。近年来,国内很多学者对中药指纹图谱用于质量控制的问题进行了深入的研究,取得了很多成果。本文着重就近几年来中药指纹图谱的某些进展进行了综述,内容包括气相色谱指纹图谱、液相色谱指纹图谱以及其他指纹图谱。最后就指纹图谱研究的发展提出了几点看法。共引用文献161篇。     

Nd~(3+)∶YAG的946nm准三能级激光系统理论分析

建立了Nd3+ ∶YAG的 946nm准三能级激光系统的速率方程。指出了端面抽运的准三能级激光系统增益介质存在的最佳长度。讨论了激光阈值、斜效率随a值的变化关系。采用特殊膜系抑制了谱线竞争 ,实现了 946nm的激光振荡。通过优化设计 ,在最大功率为 2W的 80 8nmLD的抽运下 ,获得了最大输出功率为 490mW的 946nm的激光。     

苯胺在SnO2/Ti电极上的电化学氧化

研究了以SnO2/Ti为阳极降解苯胺的电化学降解特性.实验结果表明,同Pt电极比较,掺 F的SnO2/Ti电极对苯胺的降解表现了明显的效果.苯胺在SnO2/Ti电极上氧化降解速率主要决 定于其中间产物的阳极溶解行为.由中间产物构成的有机膜的阳极溶解是反应的慢步骤.研究 了苯胺溶液的浓度、pH和电流密度对苯胺降解速率的影响规律,对反应中间产物的复杂性及 构成“膜”的理化性质进行了初步分析.     

荷电液滴捕集细颗粒物的数值模拟研究

对固定荷电液滴吸附细颗粒物进行了数值模拟计算。采用微漏电模型计算电场分布和作用在液滴上的电场力。利用VOF模型追踪液滴自由界面,考虑自由界面流体体积分数过渡引起的物性参数变化。通过求解牛顿方程计算固体细颗粒物的运动轨迹。计算模拟了细颗粒物在库仑力、电场力、流体黏阻以及重力的作用下脱离基底被荷电液滴捕集的全过程,分析了不同电场强度、颗粒粒径以及液滴粒径等因素对吸附效率的影响。计算结果与实验结果吻合较好。     

明日叶水溶性总糖含量的测定

采用苯酚-硫酸比色法测定明日叶水溶性总糖含量.以葡萄糖为标准品,6％苯酚溶液和浓硫酸作显色剂,应用分光光度法在490 mn波长处测定样品的吸光度,按标准曲线计算总糖含量.实验结果表明,明日叶水溶性总糖提取物中总糖含量（质量分数）为17.82％,实验精密度及重复性好.高、中、低三种不同浓度加样量加标回收率分别为101.55％、100.42％、101.26％,相对标准偏差（RSD）分别为：1.67％、0.76％、1.38％,回收率高.此方法操作简便,重复性、稳定性好,准确度高,可为明日叶水溶性总糖含量测定提供可靠的定量检测方法,为明日叶进一步研究开发提供科学依据.     

脉冲激光原位辐照对InAs/GaAs(001)量子点生长的影响

在InAs/GaAs(001)量子点生长过程中, 当InAs沉积量为0.9 ML时, 利用紫外纳秒脉冲激光辐照浸润层表面, 由于高温下In原子的不稳定性, 激光诱导的原子脱附效应被放大, 样品表面出现了原子层移除和纳米孔. 原子力显微镜测试表明纳米孔呈现以[110]方向为长轴(尺寸: 20-50 nm)、[110]方向为短轴(尺寸: 15-40 nm)的表面椭圆开口形状, 孔的深度为0.5-3 nm. 纳米孔的密度与脉冲激光的能量密度正相关. 脉冲激光的辐照对量子点生长产生了显著的影响: 一方面由于纳米孔的表面自由能低, 沉积的InAs优先迁移到孔内, 纳米孔成为量子点优先成核的位置; 另一方面, 孔外的区域因为In原子的脱附, 量子点的成核被抑制. 由于带有纳米孔的浸润层表面具有类似于传统微纳加工技术制备的图形衬底对量子点选择性生长的功能, 该研究为量子点的可控生长提供了一种新的思路.