800nm激光泵浦掺Nd^3＋的氟化物玻璃光纤正向双程超荧光分析

从实验上探讨了掺Ｎｄ＾３＋的氟化物玻璃光纤正向双程超荧光基本特性，包括输入－输出特性、输出－带宽特性以及输出－波长（激发）特性。并给出了理论上的拟合公式，实验表明利用氟化物玻璃光纤有望获得性能优异的有应用前景的低相干度集成化光源。     

有机薄膜光盘的微区结构

通过光学显微镜（ＯＭ）扫描电镜（ＳＥＭ）和扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）观察了光记录有机薄膜的微区结构，从微区结构的形貌可以看出光记录后酞菁薄膜上产生了鼓泡，通过这些观察方法的比较发现扫描隧道显微镜可以提供更加详细，精确的三维参数，薄膜的微区结构研究对于分析光盘的性能，了解记录机理具有重要意义。     

酞菁钴薄膜的折射率及吸收特性

通过真空镀法在单晶硅片上制备了酞菁钴薄膜，在波长扫描和入射角可变全自动椭圆偏振光谱仪上研究了ＣｏＰｃ薄膜的椭偏光谱并分析了其电子结构。     

(Nb,N)共掺杂锐钛矿电子结构和光学性质的第一性原理研究

二氧化钛（TiO₂）作为一种性能优良的光催化剂已经受到越来越多的关注.本研究采用密度泛函理论的第一性原理和广义梯度近似+U方法,对锐钛矿结构TiO₂晶体三种可能的（Nb,N）共掺杂TiO₂的几何结构、形成能、能带结构、电子密度和光吸收系数进行了研究,并与单掺杂（Nb/N）体系进行了对比.对掺杂后体系的几何结构进行的计算表明杂质原子掺入后晶格发生了不同程度的畸变.此外,（Nb,N）共掺杂体系与纯TiO₂相比,其禁带宽度和吸收边较小.同时,与N掺杂TiO₂相比,N的2p态在共掺杂情形下变为完全占据,从而减少了电子空穴对的复合.而且共掺杂体系的形成能比N单掺杂体系低,因而更加稳定.因此,（Nb,N）共掺杂可以很好地提升锐钛矿型TiO₂在可见光波段的光催化性能.     

Improvement on the breakdown voltage for silicon-on-insulator devices based on epitaxy-separation by implantation oxygen by a partial buried n~+-layer

A novel silicon-on-insulator (SOI) high-voltage device based on epitaxy-separation by implantation oxygen (SIMOX) with a partial buried n +-layer silicon-on-insulator (PBN SOI) is proposed in this paper.Based on the proposed expressions of the vertical interface electric field,the high concentration interface charges which are accumulated on the interface between top silicon layer and buried oxide layer (BOX) effectively enhance the electric field of the BOX (E_I),resulting in a high breakdown voltage (BV) for the device.For the same thicknesses of top silicon layer (10 μm) and BOX (0.375 μm),the E I and BV of PBN SOI are improved by 186.5% and 45.4% in comparison with those of the conventional SOI,respectively.     

C波段加速器初步热测实验

为了开展加速器小型化技术研究,进行了C波段2 MeV驻波加速器研制工作。目前,该加速器研制取得了显著进展,完成了全密封加速管的焊接,建立了加速器热测实验平台。在重复频率50 Hz情况下,进行了初步热测出束实验,利用电离室剂量仪测试了加速器靶前1 m处的X射线剂量率,并利用钢吸收法测试了电子束的能量。初步实验结果表明:电子束能量约2.5 MeV,剂量率超过330 mGy/(minm)。     

强激光能源系统的Marx触发器

针对强激光能源系统对Marx触发器的输出性能和可靠性要求,介绍了一种六级的Marx触发器。通过采用多级低电感脉冲形成电路获得了高幅值、陡前沿的输出脉冲,运用实验与概率分析相结合的方法,确定了它的工作参数。实验研究结果表明:这种Marx触发器的误触发率和触发气体开关成功率均符合两参数的威布尔概率分布;当欠压比为65%、工作电压为13.5 kV、工作气压（绝压）为0.35 MPa时,能输出幅值120 kV、前沿20 ns的电压脉冲;该触发器能同时满足误触发率低于0.000 1%,正常触发成功率高于99.999 9%的技术要求。经过长时间现场运行测试,Marx触发器工作良好,无异常现象。     

长脉冲相对论速调管中束流脉冲缩短的研究

介绍L波段长脉冲相对论速调管放大器研究中，长脉冲强流相对论电子束(IREB)经过输入腔和中间腔间隙后的脉冲缩短问题.分析了造成束流脉冲缩短的主要机理之一是高频系统的角向非均匀模式与电子束相互作用而使得束流扩散形成的，并经过实验参数的调节，减轻了长脉冲IREB的脉冲缩短问题，得到了较强的基波调制电流.从长脉冲加速器引出500 kV，3.5 kA，1.3 μs的电子束，经过输入腔和两个群聚腔的调制后，得到了2.0 kA的基波调制电流，束流脉冲宽度由0.3 μs增加到1 μs，束流脉冲缩短问题得到明显减轻. 关键词： 相对论速调管放大器 脉冲缩短 高功率微波 长脉冲强流相对论电子束